### 对比文件名称
2015-06-25_JP2015119008A_发明专利_JP2015119008A 太陽電池モジュールおよびその製造方法
### 目标专利名称
1666太阳能电池CN107039542B
### 本次调用的模型名称
大型语言模型（GPT-4）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>《直接公开》 | 对比文件[0062]：“一導電型単結晶シリコン基板”（一导电型单晶硅基板）。[0063]：“単結晶シリコン基板は、導電性を持たせるために、シリコンに対して電荷を供給する不純物を含有している。”（单晶硅基板为了具有导电性，含有供给电荷的杂质）。 | 直接公开。对比文件明确公开了晶体半导体基板（单晶硅基板）包含第一导电型杂质（n型或p型），并具有前表面和后表面，与目标专利中的描述实质相同。该基板用于形成异质结太阳能电池。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“一導電型単結晶シリコン基板の一方の面(光入射側の面)に、導電型シリコン系薄膜”（在一导电型单晶硅基板的一个面（光入射侧的面）上形成导电型硅系薄膜）。 | 直接公开。对比文件在基板前表面（光入射面）设置了导电型硅系薄膜，该薄膜作为掺杂层（例如p型或n型），与基板形成p-n结，作用与目标专利的前掺杂层相同。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“一導電型単結晶シリコン基板の他方の面(光入射側とは異なる面)には、導電型シリコン系薄膜”（在基板的另一个面（与光入射侧不同的面）上形成导电型硅系薄膜）。 | 直接公开。对比文件在基板后表面设置了导电型硅系薄膜，作为后掺杂层（例如n型），与基板形成异质结，作用相同。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“光入射側透明電極層”（光入射侧透明电极层）。[0073]：“光入射側透明電極層6aの膜厚は、透明性、導電性、および光反射低減の観点から、10nm以上140nm以下であることが好ましい。”（光入射侧透明电极层的膜厚从透明性、导电性和光反射降低的观点看，优选10nm以上140nm以下）。 | 直接公开。对比文件公开了设置在前掺杂层上的光入射侧透明电极层，该层具有降低光反射（抗反射）的作用，且具有厚度（第一厚度），完全对应于防反射层。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“光電変換部表面の光入射側透明電極層上には、受光面電極が形成されている。”（在光电转换部表面的光入射侧透明电极层上形成有受光面电极）。 | 直接公开。受光面电极即前收集器电极，直接设置在透明电极层（防反射层）上，用于收集载流子。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“他方の面には、…裏面側透明電極層”（背面侧透明电极层）。[0070]：“透明電極層”（透明电极层）。 | 直接公开。对比文件公开了设置在后掺杂层下面的背面侧透明电极层，该层与后续的背面电极一起实现反射功能，具有第二厚度。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“裏面側透明電極層上には…裏面電極が形成されている。”（在背面侧透明电极层上形成有背面电极）。 | 直接公开。背面电极即后收集器电极，设置在透明电极层（反射层）下面。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>《直接公开》 | 对比文件[0061]：“光入射側透明電極層”和“裏面側透明電極層”。[0070]：“透明電極層は、導電性酸化物を主成分とする。”（透明电极层以导电氧化物为主要成分）。 | 直接公开。前和后透明电极层均为透明导电层，以导电氧化物为主要成分。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及通过氧含量控制电学和光学特性，也未直接教导或暗示反射层厚度小于防反射层厚度。 | 对比文件没有公开透明导电层中氧的作用，也没有公开前后厚度关系。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出该特征，也没有任何推理基础。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及氧含量的比较。 | 对比文件未公开任何关于氧含量差异的技术内容，不能直接或隐含得到该特征。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>《未公开》 | 对比文件未提及吸光率及其与氧含量的关系。 | 对比文件未公开吸光率的比较，无法得出该特征。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>《未公开》 | 对比文件[0073]仅公开了前透明电极层厚度10-140nm，未涉及薄膜电阻差异，也未公开反射层厚度25-75nm。 | 对比文件没有教导薄膜电阻的关系，也没有指定反射层厚度为25-75nm，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>《直接公开》 | 对比文件[0090]：“透明電極層6aおよび6bとして、各々酸化インジウム錫(ITO、屈折率:1.9)を100nmの膜厚で製膜した。”（作为透明电极层6a和6b，分别以100nm的膜厚形成了氧化铟锡（ITO））。 | 直接公开。实施例中明确前、后透明电极层均由相同的ITO材料形成，材料相同。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>《直接公开》 | 对比文件[0071]：“酸化インジウムが用いられる場合、ドーピング剤としては、亜鉛や錫、チタン、タングステン、モリブデン、ケイ素等が挙げられる。”（使用氧化铟时，掺杂剂可列举锌、锡、钛、钨、钼、硅等）。 | 直接公开。对比文件公开了包含氧化铟作为主要成分并掺杂锡、锌、钨的透明导电层，这些明确落入特征N的选项中。Ce和H虽未单独列出，但特征N为可选列表，公开其任一即满足。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>《直接公开》 | 对比文件[0071]：“酸化インジウムが用いられる場合、ドーピング剤としては、…チタン…等”（使用氧化铟时，掺杂剂包括钛）。 | 直接公开。对比文件明确公开了掺杂钛的氧化铟，满足包含钛的条件。钽虽未提及，但特征O为“至少一种”，钛已公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>《直接公开》 | 对比文件[0071]：“酸化亜鉛が用いられる場合、ドーピング剤としては、アルミニウムやガリウム、ホウ素、ケイ素、炭素等が挙げられる。”（使用氧化锌时，掺杂剂可列举铝、镓、硼、硅、碳等）。 | 直接公开。对比文件明确公开了氧化锌掺杂铝、镓、硼。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>《直接公开》 | 对比文件[0071]：“酸化錫が用いられる場合、ドーピング剤としては、フッ素等が挙げられる。”（使用氧化锡时，掺杂剂可列举氟等）。 | 直接公开。对比文件公开了氧化锡掺杂氟。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>《未公开》 | 对比文件[0076]：“受光面電極は、…櫛形状に形成することが好ましい。”（受光面电极优选形成为梳状）。[0077]：“裏面電極として、金属膜や導電性ペースト等を用いることができる。”（背面电极可以使用金属膜或导电性糊料等）。 | 对比文件仅公开前电极可为梳形（隐含指状），但后电极为大面积覆盖的金属膜或导电糊，并非指状+汇流条结构，因此未公开后电极具有指状和汇流条。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>《未公开》 | 对比文件未具体描述电极延伸方向。 | 对比文件未公开指状电极的延伸方向，也不涉及汇流条，无法得出该特征。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>《未公开》 | 对比文件未公开汇流条电极。 | 对比文件没有汇流条电极的明确描述，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>《隐含公开》 | 对比文件[0073]：“光入射側透明電極層6aの膜厚は、…10nm以上140nm以下であることが好ましい。”（光入射侧透明电极层厚度优选10-140nm）。 | 隐含公开。对比文件公开的前透明电极层厚度范围（10-140nm）包含了70-100nm，本领域技术人员在优化电池性能时容易选择该子范围，因此隐含公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | 对比文件[0066]：“透明電極層6a/p型非晶質シリコン系薄膜3a/i型非晶質シリコン系薄膜2a/n型単結晶シリコン基板1/…”（透明电极层/p型非晶硅薄膜/i型非晶硅薄膜/n型单晶硅基板…）。 | 直接公开。i型非晶硅薄膜2a作为前钝化层位于p型掺杂层和基板之间，用于钝化和异质结。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | 对比文件[0066]：“…/n型単結晶シリコン基板1/i型非晶質シリコン系薄膜2b/n型非晶質シリコン系薄膜3b/透明電極層6b”（…/n型单晶硅基板/i型非晶硅薄膜/n型非晶硅薄膜/透明电极层）。 | 直接公开。i型非晶硅薄膜2b作为后钝化层位于n型掺杂层和基板之间。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>《直接公开》 | 对比文件[0066]：“p型非晶質シリコン系薄膜3a”、“n型非晶質シリコン系薄膜3b”、“i型非晶質シリコン系薄膜2a,2b”。 | 直接公开。掺杂层（p型、n型）为非晶硅，钝化层为本征非晶硅。隧穿氧化物未明确，但本征非晶硅已被公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《直接公开》 | 对比文件[0063]：“単結晶シリコン基板は、光閉じ込めの観点から、表面にテクスチャ構造を有することが好ましい。”（单晶硅基板从光封闭的观点看，优选表面具有纹理结构）。[0062]：“テクスチャが形成された一導電型単結晶シリコン基板”（形成有纹理的一导电型单晶硅基板）。 | 直接公开。对比文件明确公开基板前表面和后表面具有纹理化表面。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《隐含公开》 | 对比文件[0063]公开基板具有纹理。[0064]：“テクスチャが形成された一導電型単結晶シリコン基板の表面に、シリコン系薄膜が製膜される。”（在形成有纹理的一导电型单晶硅基板表面上成膜硅系薄膜）。透明电极层随后形成于这些薄膜之上。 | 隐含公开。由于透明导电层是沉积在具有纹理的表面上，本领域技术人员可以合理推断透明导电层也相应形成纹理化表面，以保持光陷效果，因此隐含公开该特征。 |
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### 公开性代码
基于上述分析，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、D、E、F、G、H、M、N、O、P、Q、V、W、X、Y；
对比文件隐含公开的技术特征有：U、Z。
未公开的技术特征（I、J、K、L、R、S、T）不插入任何代码。
代码输出（结尾）：
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