对比文件的名称：2015-08-06_KR1020150090606A_发明公开_KR1020150090606A 태양 전지 및 이의 제조 방법
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。《直接公开》 | [0049]基板(110)由第一导电类型如n型导电类型的硅晶片制成，含有磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等五价元素的杂质。[0052]基板(110)的前表面和后表面分别形成为纹理化表面。 | 对比文件公开了基板为n型晶体硅基板，含有n型杂质，并明确具有前表面和后表面，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。《直接公开》 | [0057]发射极部(130)位于基板(110)的前表面上，具有与基板导电类型相反的第二导电类型例如p型，由非晶硅(a-Si)形成。 | 对比文件公开了前掺杂层（发射极部）直接设置在基板前表面，由非晶硅形成且含有杂质（p型），因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。《直接公开》 | [0087]后表面场部(170)形成在基板(110)的后表面，是掺杂有比基板更高浓度的与基板相同导电类型（n型）的杂质区域，由非晶硅形成。 | 对比文件公开了后掺杂层（背场）设置在基板后表面，由非晶硅形成且含有n型杂质，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。《直接公开》 | [0062]第一透明导电膜(140)位于发射极部(130)的前表面，作为氧化膜基导电膜，起到抗反射膜的功能。 | 对比文件公开了第一透明导电膜设置在前掺杂层上，具有抗反射功能，且膜具有厚度（未指定具体值，但“具有第一厚度”仅要求存在厚度），因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。《直接公开》 | [0080]前电极(150)形成在第一透明导电膜(140)上，与第一透明导电膜电连接和物理连接。 | 对比文件公开了前电极位于第一透明导电膜（防反射层）上，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。《直接公开》 | [0090]第二透明导电膜(180)位于后表面场部(170)的后表面（下面）。[0095]纳米片或纳米点形式的第二金属粒子(184)使后表面反射效率最大化。 | 对比文件公开了第二透明导电膜设置在后掺杂层下面，具有反射功能，且膜具有厚度（未指定具体值），因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。《直接公开》 | [0101]背电极(190)形成在第二透明导电膜(180)的整个后表面上（下面）。 | 对比文件公开了背电极位于第二透明导电膜（反射层）下面，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。《直接公开》 | [0064]第一透明导电膜(140)包括第一导电层(142)和第一金属粒子(144)。[0091]第二透明导电膜(180)包括第二导电层(182)和第二金属粒子(184)。 | 对比文件明确第一透明导电膜和第二透明导电膜均为透明导电膜（透明导电层），因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。《未公开》 | [0065]第一导电层(142)可以由ITO等氧化物形成，包含氧元素。但未涉及氧含量对性能的控制。[0090]第二透明导电膜可以与第一透明导电膜具有相同厚度或不同厚度，未限定厚度大小关系。 | 对比文件虽公开透明导电层含有氧（氧化物），但未揭示利用氧含量控制电学光学特性的技术手段，也未公开反射层厚度小于防反射层厚度，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。《未公开》 | 对比文件未提及氧含量及其比较。 | 对比文件完全没有涉及防反射层和反射层氧含量的相对关系，本领域技术人员无法从中得到任何关于氧含量差异的教导或暗示，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。《未公开》 | 对比文件未公开吸光率比较。 | 对比文件未提供防反射层和反射层吸光率的任何比较信息，且该吸光率关系是技术特征J（氧含量差异）的结果，既然J未公开，K也未被公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。《未公开》 | [0075]第一金属粒子(144)具有比第一导电层(142)小的片电阻，但未比较整个第一透明导电膜与第二透明导电膜的薄膜电阻。[0102]对比文件未公开第二透明导电膜的任何厚度数值范围。 | 对比文件未公开防反射层与反射层整体薄膜电阻的大小关系，也未公开反射层厚度为25nm至75nm的具体范围，因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。《直接公开》 | [0090]第二透明导电膜(180)可以与第一透明导电膜(140)由相同材料或不同材料形成。[0133]第二金属粒子(184)可以与第一金属粒子(144)由相同材料形成。 | 对比文件明确公开了防反射层和反射层可以由相同的材料形成（选择性地），因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。《未公开》 | [0065]第一导电层(142)可以由ITO（即In2O3:Sn）形成。[0092]第二导电层(182)可以由ITO等形成。但整个防反射层和反射层还包括金属粒子，并非由纯In2O3:Sn层构成。 | 对比文件仅在导电层中使用了该材料，但整个透明导电膜（防反射层和反射层）还包含金属粒子，且后反射层始终包含金属粒子，未公开由纯In2O3:Sn等层形成防反射层和反射层，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件未提及Ti或Ta掺杂的氧化铟。 | 对比文件未公开包含Ti或Ta杂质的氧化铟层，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。《未公开》 | [0065]提到ZnO-(Ga2O3或Al2O3)，即ZnO与Ga2O3或Al2O3的混合物。但整个防反射层和反射层还包括金属粒子。 | 与特征N类似，对比文件仅在导电层中提及ZnO基金属氧化物，但防反射层和反射层整体包含金属粒子，未公开由纯ZnO:Al/Ga等层形成，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。《未公开》 | [0065]提到FTO（氟掺杂氧化锡）。但整个防反射层和反射层还包括金属粒子。 | 与特征N类似，对比文件仅在导电层中提及FTO，但防反射层和反射层整体包含金属粒子，未公开由纯FTO层形成，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。《直接公开》 | [0081]前电极(150)可以形成为格子图案，包括沿一个方向延伸的多个指状电极和沿与指状电极交叉的方向延伸的多个汇流条电极。[0102]背电极(190)可以形成为格子图案，包括多个指状电极和多个汇流条电极。 | 对比文件公开了前电极和背电极均可形成为包含指状电极和汇流条电极的格子图案，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。《直接公开》 | [0081]前电极的指状电极沿一个方向延伸。[0102]背电极的指状电极沿一个方向延伸。 | 对比文件公开了指状电极沿一个方向（第一方向）延伸，因此技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。《直接公开》 | [0081]前电极的汇流条电极沿与指状电极交叉的方向延伸并连接到指状电极。[0102]背电极的汇流条电极沿与指状电极交叉的方向延伸并连接。 | 对比文件公开了汇流条电极沿与指状电极交叉（正交）的方向延伸且物理连接，因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。《未公开》 | 对比文件未公开第一透明导电膜的任何具体厚度数值或范围。 | 对比文件完全没有提及防反射层（第一透明导电膜）的厚度范围，本领域技术人员不能从中合理推断出70nm至100nm的厚度，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | [0053]第一本征半导体层(120)位于基板(110)的前表面和发射极部(130)之间，由含氢的本征非晶硅(a-Si:H)形成。[0054]也可由隧道氧化物形成。 | 对比文件公开了前钝化层（第一本征半导体层）设置在前掺杂层和基板之间，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | [0084]第二本征半导体层(160)位于基板(110)的后表面和后表面场部(170)之间，由含氢的本征非晶硅(a-Si:H)形成。[0017][0013]第二本征半导体层可由隧道氧化物构成。 | 对比文件公开了后钝化层（第二本征半导体层）设置在后掺杂层和基板之间，因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。《直接公开》 | [0057]发射极部(130)由p型非晶硅形成（含硼等杂质）。[0087]后表面场部(170)由n型非晶硅形成（含磷等杂质）。[0053]第一本征半导体层(120)由a-Si:H形成。[0054]可以是隧道氧化物。[0084]第二本征半导体层(160)由a-Si:H形成。[0017]第二本征半导体层可由隧道氧化物形成。 | 对比文件公开了前掺杂层和后掺杂层均由含杂质的非晶硅形成，并公开了前钝化层和后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成，因此技术特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《直接公开》 | [0052]基板(110)的前表面和后表面分别形成为纹理化表面（包括多个细小的不平坦部分）。 | 对比文件明确公开了基板的前表面和后表面均为纹理化表面，因此技术特征Y被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《隐含公开》 | [0052]基板(110)的前表面和后表面分别是纹理化表面。[0053]第一本征半导体层(120)位于基板的纹理化表面，具有与基板相同的纹理形貌。[0062]第一透明导电膜(140)形成在发射极部上，其表面顺应下层的形貌。类似地，第二透明导电膜(180)也形成在纹理化基板之上。 | 虽然对比文件未直接描述透明导电膜的表面形貌，但基于基板表面纹理化且各层依次沉积，本领域技术人员能够合理推断出防反射层（第一透明导电膜）和反射层（第二透明导电膜）必然复制基底纹理，也形成有多个细小的不平坦部分，即纹理化表面。因此技术特征Z被隐含公开。 |
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