对比文件名称：2014-01-03_WO2014002249A_发明申请_WO2014002249A1 太陽電池、太陽電池モジュール、及び太陽電池の製造方法
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
以下为特征比对表格，严格按照目标专利权利要求的技术特征划分，引用对比文件原文并翻译为中文，段落标号基于所提供对比文件说明书。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“基板21例如可以是n型单晶硅基板。基板21的受光面及背面优选具有纹理结构。” | 对比文件明确指出基板为n型单晶硅（第一导电类型n型），并具有受光面（前表面）和背面（后表面），因此直接公开了技术特征A。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“非晶质半导体层22例如是i型非晶硅层和p型非晶硅层从基板21侧依次形成的层结构。” | 对比文件中的非晶质半导体层22包含p型非晶硅层，该p型层作为前掺杂层直接形成在基板前表面上，直接公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“非晶质半导体层23例如是i型非晶硅层和n型非晶硅层从基板21侧依次形成的层结构。” | 对比文件中的非晶质半导体层23包含n型非晶硅层，该n型层作为后掺杂层直接形成在基板后表面上，直接公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“透明导电层31形成在光电转换部20的受光面上。” 以及“透明导电层31的厚度为30nm～500nm，优选为50nm～200nm。” | 对比文件明确在受光面（前掺杂层上）形成透明导电层31，并给出了厚度范围，因此公开了防反射层及其第一厚度。该层具有抗反射功能（本领域公知）。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“指状部32形成在透明导电层31上，数量为多个（例如50根）。”“汇流条部33在横向于指状部32的方向上延伸。” | 指状部32和汇流条部33构成前收集器电极，直接设置在透明导电层31（防反射层）上，直接公开。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“透明导电层41形成在光电转换部20的背面上。” 并且其构成与透明导电层31相同，厚度范围类似。 | 对比文件中的透明导电层41形成在背面（后掺杂层下面），作为反射层（具有反射功能，结合背面金属层），具备第二厚度，直接公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“金属层42作为集电极，形成在透明导电层41上，覆盖其大致整个区域。” | 金属层42即为后收集器电极，直接设置在透明导电层41（反射层）下面，直接公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“透明导电层31”、“透明导电层41”均为透明导电氧化物（TCO）形成。 | 对比文件中前表面31和后表面41均由透明导电层构成，因此直接公开。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。《未公开》 | 对比文件没有提及氧对特性的控制用途，也未给出前后透明导电层的厚度关系。 | 对比文件虽公开透明导电层包含氧（TCO含氧），但未记载利用氧含量控制特性的内容，也未公开或启示厚度比较；反射层厚度未特意限定小于前层，因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。《未公开》 | 对比文件没有公开氧含量的差异。 | 对比文件未涉及氧含量的比较，未公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。《未公开》 | 对比文件未公开吸光率的比较。 | 对比文件无相关教导，未公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。《未公开》 | 对比文件没有公开薄膜电阻的比较，也未限定反射层的厚度为25-75nm（仅给出30-500nm范围）。 | 对比文件中未提及薄膜电阻差异，也未指定25-75nm的厚度，因此未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“透明导电层41的其它构成与透明导电层31相同。” | 对比文件明确两者构成相同，即相同材料，直接公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“透明导电层31例如由氧化铟（In2O3）或氧化锌（ZnO）等金属氧化物掺杂锡（Sn）、锑（Sb）等形成的透明导电氧化物（TCO）构成。” | 对比文件公开了以氧化铟为主要成分并掺杂锡的层（如ITO），符合技术特征N中“包含锡作为杂质”的选项，因此直接公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件未提及钛或钽作为掺杂剂。 | 对比文件没有公开钛/钽掺杂的氧化铟层，未公开。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件仅提及氧化锌，未指定掺杂元素。 | 对比文件未公开以氧化锌为主要成分并掺杂特定杂质（Al、B、Ga）的层，未公开。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件未提及氧化锡基透明导电层。 | 对比文件未公开此类层，未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。《未公开》 | 对比文件中前收集器具有指状部32和汇流条部33，但后收集器金属层42为覆盖整个背面的片状电极，未公开指状电极和汇流条的结构。 | 对比文件的后收集器为全面金属层，不具备指状电极和汇流条电极，因此技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“指状部32在透明导电层31上形成为多条细线状。”并示出延伸方向（从图示可知）。 | 对比文件公开了指状部沿一定方向延伸，直接公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“汇流条部33在横向于指状部32的方向上延伸。”并与之连接。 | 对比文件明确汇流条与指状正交连接，直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。《未公开》 | 对比文件仅给出透明导电层厚度30-500nm，优选50-200nm，未特别指出70-100nm的范围。 | 对比文件未公开具体70-100nm的厚度，也未给出选择该范围的指引，因此未公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“非晶质半导体层22包括i型非晶硅层和p型非晶硅层，i型层在基板侧。” | i型非晶硅层作为前钝化层，直接设置在基板和p型层之间，直接公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“非晶质半导体层23包括i型非晶硅层和n型非晶硅层，i型层在基板侧。” | i型非晶硅层作为后钝化层，直接设置在基板和n型层之间，直接公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。《直接公开》 | 对比文件[2]段：前掺杂层为p型非晶硅，后掺杂层为n型非晶硅；钝化层为i型（本征）非晶硅。 | 对比文件公开了掺杂非晶硅层和本征非晶硅钝化层，符合本征非晶硅的选项，直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《直接公开》 | 对比文件[2]段：“基板21的受光面及背面优选具有纹理结构。” | 对比文件明确基板前后表面具有纹理结构（细小的凹凸），直接公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《直接公开》 | 对比文件[2]段：基板具有纹理结构，透明导电层31,41形成在纹理化表面上。 | 由于透明导电层直接形成在纹理化基板上，其表面必然复制纹理形貌，本领域技术人员可直接确定透明导电层也具有纹理化表面，直接公开（实质公开）。 |
直接公开的技术特征代码：
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