**对比文件名称**：2012-04-19_JP2012079435A_发明专利_JP2012079435A Formation method of film pattern and manufacturing method of light-emitting device
**目标专利名称**：形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体（CN105980935B）
**调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，注明出处） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层（**直接公开**） | 第1实施方式部分：“基材５００の表面には、例えば絶縁膜、絶縁パターン、導電膜、導体パターン、電極、回路パターン、半導体素子、薄膜トランジスタ、アクティブ素子若しくは画素又はこれらのうち２種以上のものが形成されていて、それらを感光層５０１によってコーティングしてもよい。” 翻译：基材500的表面可以形成有例如绝缘膜、绝缘图案、导电膜、导体图案、电极、电路图案、半导体元件、薄膜晶体管、有源元件或像素，或者这些中的两种以上，并且它们可以被感光层501涂覆。此外，还提到“感光層５０１はポジ型であってもよいし、ネガ型であってもよい。” 翻译：感光层501可以是正型或负型。 | 对比文件明确公开了在基材表面形成感光层，且基材表面可以包括导电膜（导电层），感光层可以是正型。因此，本领域技术人员可以直接得到在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层的技术方案。 |
| **技术特征B**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上（**未公开**） | 第1实施方式部分：“方形格子状のフォトマスク（レクチル）及び露光装置（例えばステッパ）を用いて感光層５０１を露光する。” 翻译：使用方形格子状的光掩模（掩模版）和曝光装置（例如步进机）对感光层501进行曝光。还提到“フォトマスクを感光層５０１上に載置して、光学系を用いずにフォトマスクのパターンを感光層５０１に投影してもよい。” 翻译：也可以将光掩模放置在感光层501上，不使用光学系统而将光掩模的图案投影到感光层501上。 | 对比文件虽然公开了接触曝光和紫外线照射，但使用的掩模是方形格子状，并非“刻有线形图案的透明光掩模”。目标专利的线形图案掩模是相移掩模，具有线形凹凸，用于形成线形图案。对比文件没有公开或暗示线形图案掩模，因此本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **技术特征C**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层（**直接公开**） | 第1实施方式部分：“感光層５０１を現像液で現像することによって、感光層５０１から縞状パターン膜を形成する。” 翻译：通过用显影液显影感光层501，从感光层501形成条纹状图案膜。以及“感光層５０１がポジ型である場合には、図８の平面図に示すように、感光層５０１のうち一回も露光されなかった縞状部分５１０が残留し、一回でも露光された縞状部分５１１が現像液に溶解して、除去される。” 翻译：感光层501为正型时，如图8所示，感光层501中从未曝光的条纹部分510残留，而至少曝光一次的条纹部分511溶解在显影液中并被去除。 | 对比文件明确公开了在曝光后去除掩模，使用显影液显影感光层，并形成图案层（条纹状图案）。该步骤与目标专利的步骤b-2)实质相同，且感光层为正型，显影后形成图案。因此，直接公开。 |
| **技术特征D**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层（**直接公开**） | 第1实施方式部分：“現像後、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３及び基材５００を洗浄し、必要に応じて、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３を焼成する。” 翻译：显影后，清洗残留的条纹部分（条纹状图案膜）510,513和基材500，并根据需要烘烤（烧成）残留的条纹部分（条纹状图案膜）510,513。第2实施方式部分：“現像後、残留した方形格子状パターン膜６０２及び基材６００を洗浄し、必要に応じて、残留した方形格子状パターン膜６０２を焼成する。” 翻译：显影后，清洗残留的方形格子状图案膜602和基材600，并根据需要烘烤残留的方形格子状图案膜602。 | 对比文件公开了在显影后对残留的图案层进行烘烤（固化）的步骤，该步骤与目标专利的固化步骤相同。因此，直接公开。 |
| **技术特征E**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层（**直接公开**） | 第2实施方式部分：“図１２の部分断面斜視図に示すように、感光層６０３を方形格子状パターン膜６０２の上から基材６００の表面に形成し、方形格子状パターン膜６０２を感光層６０３でコーティングする。” 翻译：如图12的部分截面立体图所示，在方形格子状图案膜602上，在基材600的表面形成感光层603，用感光层603涂覆方形格子状图案膜602。此外，感光层603可以是正型（感光層６０３はポジ型であってもよい）。 | 对比文件公开了在已有第一图案层（方形格子状图案膜）的基材上形成第二感光层。基材可以包括导电层（如技术特征A所述），第二感光层可以是正型。因此，本领域技术人员可以直接得到在具有第一正型光敏材料图案层的导电层上形成第二正型光敏材料层的技术方案。 |
| **技术特征F**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层（**未公开**） | 第2实施方式部分：“感光層６０３の露光方法は、上述した感光層５０１の露光方法と同様である。具体的に説明すると、まず、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系によって感光層６０３に投射することによって、方形格子状の明暗パターンを感光層６０３に投影する。この際、感光層６０３がポジ型である場合には、方形格子状のフォトマスクの開口部又は明暗パターンの方形明部を方形格子状パターン膜６０２の列方向の複数の方形状開口部に重ねるようにして、フォトマスク又は明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２に重ねる。その後、格子状のフォトマスク又は基材６００を列方向にずらすようにして、感光層６０３を再露光する。” 翻译：感光层603的曝光方法与上述感光层501的曝光方法相同。具体地，首先，使用光源发出的照射光的一部分被方形格子状光掩模遮挡，未被遮挡的照射光通过曝光装置的光学系统投射到感光层603上，从而将方形格子状的明暗图案投影到感光层603上。此时，当感光层603为正型时，使方形格子状光掩模的开口部或明暗图案的方形亮部与方形格子状图案膜602的列方向上的多个方形开口部重叠，将光掩模或明暗图案与方形格子状图案膜602重叠。然后，将格子状光掩模或基材600沿列方向移动，再次对感光层603进行曝光。 | 对比文件没有公开“刻有线形图案的透明光掩模”，而是使用方形格子状光掩模。其形成的第二图案是通过两次曝光移动得到的条纹状图案，而不是通过线形图案交叉形成网格。第一图案层是格子状，不是线形。因此，对比文件没有公开技术特征F中的线形掩模、线形图案交叉等关键要素。 |
| **技术特征G**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分（**未公开**） | 对比文件没有涉及蚀刻导电层的步骤，其形成的图案作为绝缘隔墙（bank）使用。 | 对比文件的目的在于形成隔墙图案，而不是制造导电网格。因此，没有公开或暗示蚀刻导电层。 |
| **技术特征H**：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下（**未公开**） | 对比文件没有去除图案层，而是保留作为隔墙；也没有导电网格图案或线宽范围。 | 对比文件保留图案层作为永久结构，不涉及去除。也没有导电网格及其线宽限定。 |
| **技术特征I**：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层（**未公开**） | 对比文件没有形成第三层的描述。 | 对比文件仅形成两层图案层，没有公开第三层。 |
| **技术特征J**：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层（**未公开**） | 同上。 | 无公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下（**未公开**） | 对比文件没有公开线形图案的线宽范围。 | 对比文件未涉及线形图案，也未公开线宽。 |
| **技术特征L**：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金（**未公开**） | 对比文件在提到导电膜时，没有具体列举金属材料。 | 对比文件仅泛泛提及导电膜，未具体公开金属种类。 |
| **技术特征M**：其中，所述导电层包括透明金属氧化物（**未公开**） | 对比文件没有提到透明金属氧化物。 | 无公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种（**未公开**） | 同上。 | 无公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种（**未公开**） | 对比文件没有指定光掩模的材料。 | 对比文件未公开透明光掩模的具体材料，特别是软性材料。 |
| **技术特征P**：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下（**未公开**） | 对比文件没有公开导电层厚度。 | 无公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下（**未公开**） | 对比文件没有公开光敏层厚度。 | 无公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm2以上200mJ/cm2以下的紫外线照射至该透明光掩模上（**未公开**） | 对比文件没有公开曝光强度。 | 无公开。 |
| **技术特征S**：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法（**未公开**） | 对比文件没有提到形成导电层的方法。 | 无公开。 |
<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>>