对比文件的名称：2011-09-29_US2011236833A_发明申请_US20110236833A1 Double Patterning Method
目标专利的名称：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体 CN105980935B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，附段落号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括，a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层<br>《隐含公开》 | [0003]：“在底层上形成第一光致抗蚀剂层……”。<br>[0009]：“该底层选自……器件层（例如绝缘、半导体或导电层）”。 | 对比文件公开了在底层（可以是导电层）上形成第一光致抗蚀剂层，但未明确限定为正型光致抗蚀剂。本领域技术人员根据对比文件的教导（如使用193nm光致抗蚀剂，通常为正型）能够合理选择正型材料，故该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征B**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上<br>《未公开》 | [0003]仅笼统提及“图案化第一光致抗蚀剂层”，未涉及接触式曝光或透明光掩模；[0015]提到“利用第一光掩模进行第一曝光”，但未描述透明光掩模。 | 对比文件未公开“透明光掩模”，也未公开使光掩模与光敏层上表面接触的步骤。其采用的曝光方式为非接触式投影光刻，与特征B的接触式相移光刻原理不同，本领域技术人员不能从对比文件直接或合理推断该特征。 |
| **技术特征C**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层<br>《未公开》 | [0003]隐含了显影形成图案，但未提及透明光掩模的去除。 | 对比文件没有公开“透明光掩模”，因此无法确定去除透明光掩模的步骤。虽然显影形成图案是常规步骤，但整体技术特征以透明光掩模为前提，故未公开。 |
| **技术特征D**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层<br>《直接公开》 | [0014]：“其他冷冻方法……例如，第一光致抗蚀剂可在所需条件下（例如加热（如高温烘烤））与相容的化学物质交联，从而‘冷冻’第一光致抗蚀剂图案。” | 对比文件明确公开了通过加热（高温烘烤）使第一光致抗蚀剂图案交联固化，这与目标专利的固化步骤实质相同，均用于使图案在后续工艺中保持稳定。因此技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层<br>《隐含公开》 | [0003]：“在第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂层……”。 | 对比文件公开了在第一图案上形成第二光致抗蚀剂层，但未限定正型。基于与特征A相同的理由，本领域技术人员能够选择正型光刻胶，故该特征隐含公开。 |
| **技术特征F**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层<br>《未公开》 | [0003]：“图案化第二光致抗蚀剂层以形成第二光致抗蚀剂图案，该图案包括沿不同于第一方向的第二方向延伸的第二光致抗蚀剂线条”。<br>[0015]：“用于曝光第一光致抗蚀剂层的光掩模被旋转90度并用于曝光第二光致抗蚀剂层”。 | 对比文件虽然公开了通过旋转掩模使第一、第二图案方向正交形成交叉网格，但使用的是普通光掩模（非透明光掩模），且未采用接触式曝光。特征F中“透明光掩模”为核心，对比文件无记载，故未公开。 |
| **技术特征G**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分<br>《直接公开》 | [0003]：“使用第一和第二光致抗蚀剂图案两者作为掩模蚀刻底层”。<br>[0020]：“器件层包含导电材料……被图案化成线形电极”。 | 对比文件明确指出利用两个光致抗蚀剂图案共同作为掩模蚀刻底层（底层可为导电层），暴露部分被蚀刻去除，与特征G的蚀刻方式完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征H**：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下<br>《隐含公开》 | [0039]：“线段607的厚度可为20至50nm，例如32nm或更小的半节距”。<br>[0045]：“X和Y方向的临界尺寸为96nm，节距为128nm”。 | 对比文件公开了由交叉线条构成的网格图案，且线条尺寸为次微米级（如96nm），但未明确限定100-900nm的范围。本领域技术人员根据对比文件的教导（如通过改变曝光剂量、掩模尺寸等）可以合理调整获得该线宽范围，故隐含公开。 |
| **技术特征I**：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层<br>《未公开》 | 对比文件全文仅涉及第一、第二光致抗蚀剂层的形成与图案化，未提及第三层。 | 对比文件既没有直接记载也没有任何暗示会在双重图案化之后进一步形成第三光敏材料层，因此该特征未公开。 |
| **技术特征J**：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层<br>《未公开》 | 同特征I。 | 无对应公开内容，未公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下<br>《未公开》 | 对比文件未涉及“透明光掩模”。 | 对比文件使用的光掩模为常规不透明掩模（如铬掩模），无透明光掩模的线宽限定，故未公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金<br>《直接公开》 | [0024]：“底部导体101由导电材料形成，例如钨”。<br>[0020]：“器件层包含导电材料，例如金属或金属合金”。 | 对比文件明确给出了钨作为导电层材料，而钨属于特征L所列金属之一，因此至少公开了钨；同时金属合金范畴也包含所列金属的组合。故技术特征L被直接公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述导电层包括透明金属氧化物<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及透明金属氧化物。 | 对比文件涉及的导电层为金属或金属合金，无透明金属氧化物，故未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种<br>《未公开》 | 对比文件未列举任何透明金属氧化物。 | 未公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种<br>《未公开》 | 对比文件无透明光掩模的记载。 | 未公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下<br>《未公开》 | 对比文件未提导电层厚度。 | 未公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下<br>《未公开》 | 对比文件未提光敏层厚度。 | 未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上<br>《未公开》 | [0018]提到曝光剂量矩阵，但未给具体数值范围；且未涉及透明光掩模。 | 未公开。 |
| **技术特征S**：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法<br>《未公开》 | 对比文件[0020]仅提及导电层包含金属，未涉及沉积方法。 | 对比文件没有记载导电层的任何形成方法，本领域技术人员无法从中推知所列举的具体方法，故未公开。 |
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