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对比文件列表
2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx

在回答开始明确以下信息:

- **对比文件名称**:2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same

- **目标专利名称**:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921614B

- **调用的模型名称**:DeepSeek模型(具体版本未指定,通用名称为DeepSeek)

以下是对比文件与目标专利权利要求的特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中<br>【隐含公开】[0008] “本发明的薄片化石墨制造装置包括:原料槽、流体供给装置、第1流路构成部件、加热部、第2流路构成部件、取出流路构成部件、冷却槽、流路切换阀。”<br>[0021] “原料槽1内有搅拌装置1a,使石墨51和第1流体52混炼得到均匀分散液。该分散液通过连接流路23被供给到第1流路2A。”对比文件未使用“入口”这一术语,但原料槽1用于储存原料石墨和液体并通过连接流路23输出到第1流路2A,实质上构成了片材(石墨分散液)进入系统的入口点。本领域技术人员可合理推断该原料槽及连接流路具备入口功能,作用均为接收并引入片材。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力<br>【直接公开】[0021] “连接流路23上有泵8、流量计9、开闭阀12。分散液通过泵8被输送到第1流路2A。”对比文件明确公开了泵8,该泵位于原料槽(相当于入口)的下游(即前端),通过驱动使分散液流动并施加压力,作用与目标专利中高压泵一致:产生压力使片材(石墨分散液)通过后续流路。因此,该特征被直接公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化<br>【未公开】对比文件全文未提及“微通道”或具有微米级直径的通道结构。[0009]提及“第1流路2A”为普通流路,未限定尺寸;[0023]明确指出剥离机制为高温高压流体插层后急冷降压,而非微通道剪切均质化。对比文件未公开任何微米级通道结构,其剥离原理(高温高压流体→冷却降压)与目标专利的微通道剪切剥离完全不同,因此该特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端<br>【未公开】对比文件虽有取出流路29用于回收产物([0010]),但该取出流路位于冷却分离槽下游,而非微通道后端;且对比文件无微通道结构。由于对比文件未公开微通道,因此不存在位于微通道后端的出口。该特征完全未公开。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)<br>【未公开】对比文件全文无任何关于距离y与速度x的关系描述,也未提及碰撞压力控制。该方程式是目标专利为解决石墨烯研磨问题而专门限定的技术特征,对比文件未涉及任何相关参数或公式,因此该特征未公开。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口<br>【隐含公开】[0013] “本发明的薄片化石墨制造方法包括:接触工序,使作为原料的石墨与在150℃以上及5MPa以上高温高压下的流体接触……”<br>[0024] “首先,在原料槽1中,将作为原料的石墨51与在常温常压下为液体的第1流体52供给并搅拌,得到均匀分散液。该分散液通过连接流路23供给到第1流路2A。”对比文件的方法步骤中,将石墨与液体混合形成分散液后供给到第1流路(相当于入口),该行为等同于“将包含石墨的溶液供应到入口”。尽管入口术语未使用,但实质动作和目的相同。因此,该步骤被隐含公开。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道<br>【未公开】对比文件虽有泵8驱动分散液通过第1流路,但第1流路并非微通道,且剥离机制依赖加热部的高温高压而非微通道剪切。由于对比文件无微通道,该步骤中“通过微通道”的核心限定未公开,且整体作用机制不同,因此该特征未公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体<br>【直接公开】[0010] “在冷却槽下游侧,连接有取出流路构成部件,用于从第2流路取出薄片化石墨。”<br>[0026] “当获得目标层数的薄片化石墨时,通过开闭阀16将取出流路29打开,从而可以从取出流路29取出薄片化石墨。”对比文件公开了从取出流路(相当于出口)回收薄片化石墨分散液。薄片化石墨即石墨烯的多层形式,实质为石墨烯分散体。回收步骤的功能和作用与目标专利完全相同。因此,该特征被直接公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m<br>【未公开】对比文件未公开任何关于最小距离y的数值范围。目标专利基于方程式1进一步限定了y的具体范围,对比文件无任何相关公开内容,该特征未公开。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s<br>【未公开】对比文件未公开任何关于速度x的数值范围。目标专利进一步限定了x的具体范围,对比文件无任何相关公开内容,该特征未公开。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面<br>【未公开】对比文件未描述出口形状为圆柱形,也未说明微通道后端与出口壁面的相对位置。目标专利为减少碰撞压力而设计的特定出口形状和位置,对比文件无相应结构描述,该特征未公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线<br>【直接公开】[0021] “连接流路23上有泵8、流量计9、开闭阀12。分散液通过泵8被输送到第1流路2A。”<br>[0009] “第1流路构成部件构成与原料槽及流体供给装置连接的第1流路。”对比文件明确公开了连接流路23及第1流路2A等输送管道,这些构成将片材(石墨分散液)从原料槽供应到第1流路(入口)的供应线。作用完全相同。因此,该特征被直接公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴<br>【直接公开】[0023] “高温高压是指150℃以上的温度及5MPa以上的压力。压力小于5MPa时剥离难以进行。”<br>实施例1:压力设定为约60MPa(≈600巴)<br>实施例2:压力设定为34MPa(≈340巴)<br>实施例3:压力设定为35MPa(≈350巴)对比文件公开了在剥离步骤中使用的压力至少为5MPa(50巴),且实施例中具体使用了60MPa、34MPa、35MPa等均落在目标专利限定的100巴至3000巴范围内。因此,该压力范围被对比文件实质性公开。虽然步骤2通过微通道的结构不同,但压力数值条件本身已被直接公开。

根据以上分析,对应公开性代码为:

- 直接公开:B、H、L、M → 插入大写代码

- 隐含公开:A、F → 插入小写代码

- 其他特征(C、D、E、G、I、J、K)未公开,不插入任何代码

<<<B>>><<<H>>><<<L>>><<<M>>><<<a>>><<<f>>>

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