**对比文件名称：** 2008-05-29_US2008121912A_发明申请_US20080121912A1 PYRAMIDAL PHOTONIC CRYSTAL LIGHT EMITTING DEVICE
**目标专利名称：** 1734发光器件CN102867897B
**本次调用的模型名称：** 默认
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：第一导电型第一半导体层《直接公开》** | 段落[0071]：“图1所示的器件包括发光异质结构，其包含n-GaN或InGaN顶层102和下方的p型GaN或InGaN层104，以及位于这些层之间的多量子阱（MQW）结构103。” | 对比文件明确公开了p型GaN或InGaN层104，该层相当于第一导电型（p型）第一半导体层，且作用相同（构成发光结构的一部分）。 |
| **技术特征B：在所述第一导电型第一半导体层上的有源层《直接公开》** | 段落[0071]：“图1所示的器件包括发光异质结构，其包含n-GaN或InGaN顶层102和下方的p型GaN或InGaN层104，以及位于这些层之间的多量子阱（MQW）结构103。” | 对比文件明确公开了MQW结构103作为有源层，且位于p型层104之上（即第一导电型第一半导体层上），作用相同（发光）。 |
| **技术特征C：在所述有源层上的第二导电型第二半导体层《直接公开》** | 段落[0096]：“在优选实施例中，由层401、409和408组成的复合n-GaN上部区域位于发光结构上方。” 结合图4I，有源层402上方依次为n-GaN层401、蚀刻停止层409、n-GaN层408。 | 对比文件公开了n-GaN层401位于有源层402之上，该层为第二导电型（n型）半导体层，相当于目标专利的第二导电型第二半导体层，作用相同（作为电子注入层的一部分）。 |
| **技术特征D：包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层《未公开》** | 段落[0071]：“存在一个蚀刻停止层107，由诸如AlGaN、InGaN等材料形成，……，用于精确控制金字塔的深度。” 图1及图4I中蚀刻停止层107/409均为平坦层，未见突出部。 | 对比文件公开的蚀刻停止层为平面结构，未公开任何形式的突出部（如目标专利中因晶体缺陷形成的加厚区域）。对比文件未提及该层在缺陷处具有突出部，也未揭示其用于防止电流泄漏的突出部作用。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E：在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层《直接公开》** | 段落[0070]：“图1示出了本发明发光器件的横截面，包括在n掺杂GaN或InGaN层中刻蚀的金字塔101，这些金字塔呈周期性、准晶、非晶或其他有序或重复的铺排排列。” 段落[0071]图1中n-GaN顶层102位于蚀刻停止层107之上。 | 对比文件明确公开了n-GaN层102（相当于第二导电型第三半导体层）位于蚀刻停止层107（相当于可靠性增强层）之上，且该层上刻蚀有金字塔形光提取图案，作用相同（提高光提取效率）。 |
| **技术特征F：其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离《未公开》** | 段落[0098]：“所需的金字塔尺寸约为直径1.75μm，中心间距2.5μm。该尺寸限制了层401的最小厚度，因此金字塔优选形成在厚的n-GaN层中。” 全文未给出蚀刻停止层与有源层之间的具体距离数值或范围。 | 对比文件未公开蚀刻停止层（可靠性增强层）与有源层之间的任何具体距离数值，更未提及0.3μm至5μm的范围。本领域技术人员无法从对比文件直接或毫无疑义地得出该距离范围。 |
| **技术特征G：其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm《未公开》** | 全文未提及蚀刻停止层的厚度数值或范围。 | 对比文件未公开蚀刻停止层（可靠性增强层）的厚度，更未提及5nm至200nm的范围。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征H：其中所述可靠性增强层包括InxAlyGa(1-x-y)N《直接公开》** | 段落[0071]：“存在一个蚀刻停止层107，由诸如AlGaN、InGaN等材料形成”。AlGaN即AlxGa1-xN，InGaN即InxGa1-xN，均属于InxAlyGa(1-x-y)N体系。 | 对比文件明确公开蚀刻停止层由AlGaN或InGaN形成，这些材料是InxAlyGa(1-x-y)N的特例（x=0或y=0），因此直接公开了该组分范围。 |
| **技术特征I：其中0≤x≤1并且0≤y≤1并且0≤x+y≤1《直接公开》** | 同上，AlGaN和InGaN的组分自然满足0≤x≤1、0≤y≤1及0≤x+y≤1。 | 对比文件公开的AlGaN和InGaN材料必然满足这些取值范围，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料《直接公开》** | 段落[0071]：“n-GaN或InGaN顶层102”。GaN可视为InpAlqGa1-p-qN中p=0、q=0的特例，InGaN为p>0、q=0的情况。 | 对比文件公开的n-GaN或InGaN层属于InpAlqGa1-p-qN体系，因此直接公开。 |
| **技术特征K：其中0≤p≤1《直接公开》** | 段落[0071]：“n-GaN或InGaN顶层102”。InGaN中p在0到1之间，GaN中p=0。 | 对比文件公开的第三半导体层材料必然满足p的取值范围，因此直接公开。 |
| **技术特征L：0≤q≤1并且0≤p+q≤1《直接公开》** | 段落[0071]：“n-GaN或InGaN顶层102”。GaN中q=0，InGaN中q=0，均满足q≤1且p+q≤1。 | 对比文件公开的第三半导体层材料必然满足q的取值范围，因此直接公开。 |
| **技术特征M：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q)《隐含公开》** | 段落[0026]：“合适的蚀刻停止材料包括AlGaN和InGaN。” 段落[0071]：“n-GaN或InGaN顶层102”。当蚀刻停止层为AlGaN（y>0）而第三半导体层为GaN（q=0）时，满足y>q。 | 对比文件公开了蚀刻停止层可采用AlGaN（含铝），而第三半导体层通常为GaN（不含铝）。本领域技术人员可以合理推断，为了实现蚀刻停止功能，蚀刻停止层的铝组成应大于至少不低于第三半导体层，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式《未公开》** | 全文未给出铝组成与第三半导体层铝组成之间的具体数学关系。 | 对比文件未公开任何关于铝组成的公式关系，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O：q+0.05≤y≤q+0.5《未公开》** | 全文未给出铝组成的具体数值范围。 | 对比文件未公开铝组成的具体差值范围，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其中0≤q≤0.5《未公开》** | 全文未涉及第三半导体层铝组成q的取值范围。 | 对比文件未公开q的取值范围，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料《直接公开》** | 段落[0071]：“n-GaN或InGaN顶层102”。该层即为InpAlqGa1-p-qN材料。 | 对比文件公开了第三半导体层包括该组成式材料，因此该条件特征被直接公开。 |
| **技术特征R：其中0≤p≤1《直接公开》** | 同技术特征K的引用。 | 同技术特征K，直接公开。 |
| **技术特征S：0≤q≤1并且0≤p+q≤1《直接公开》** | 同技术特征L的引用。 | 同技术特征L，直接公开。 |
| **技术特征T：则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成《未公开》** | 全文未提及铟组成的比较。 | 对比文件未公开蚀刻停止层与第三半导体层之间的铟组成关系，更未提及铟组成大小比较。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙《隐含公开》** | 段落[0026]：“合适的蚀刻停止材料包括AlGaN和InGaN。” AlGaN的能带隙大于GaN。 | 本领域技术人员公知，AlGaN的能带隙大于GaN。当蚀刻停止层采用AlGaN而第三半导体层采用GaN时，能带隙必然大于。因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征V：其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层《未公开》** | 全文未提及蚀刻停止层由多层不同能带隙材料构成。 | 对比文件仅公开蚀刻停止层为单层材料（AlGaN或InGaN），未公开其包含多层不同能带隙的结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征W：其中所述可靠性增强层的电阻大于所述第二导电型第三半导体层的电阻《隐含公开》** | 段落[0026]：“合适的蚀刻停止材料包括AlGaN和InGaN。” AlGaN的电阻率通常高于GaN。 | 本领域技术人员公知，AlGaN的电阻率大于GaN。当蚀刻停止层采用AlGaN而第三半导体层采用GaN时，电阻必然更大。因此该特征被隐含公开。 |
**结论：**
对比文件直接公开了技术特征A、B、C、E、H、I、J、K、L、Q、R、S；
对比文件隐含公开了技术特征M、U、W；
对比文件未公开技术特征D、F、G、N、O、P、T、V。
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