对比文件名称：2005-03-10_JP2005064113A_发明专利_JP2005064113A Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
目标专利名称：1734发光器件CN102867897B
本次调用的模型名称：未提供
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一导电型第一半导体层《直接公开》 | 对比文件说明书实施例1及图1中记载：“n型ＧａＮコンタクト層４”（n型GaN接触层4）。 | 对比文件明确公开了n型GaN接触层作为第一导电型（n型）半导体层，位于有源层下方，其功能与目标专利中第一导电型第一半导体层（载流子注入）相同，直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电型第一半导体层上的有源层《直接公开》 | 对比文件说明书实施例1及图1中记载：“ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層（発光層）３”（MQW活性层3）。 | 对比文件公开了在n型GaN接触层上直接形成MQW活性层，作为有源层，功能与目标专利中产生光的有源层相同，直接公开。 |
| 技术特征C：在所述有源层上的第二导电型第二半导体层《直接公开》 | 对比文件说明书实施例1及图1中记载：“ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層２（厚さ４０nm）”、“ｐ型ＧａＮコンタクト層１（厚さ２００～５００nm）”（p型AlGaN包覆层2和p型GaN接触层1）。 | 对比文件公开了在有源层上依次形成p型AlGaN包覆层和p型GaN接触层，这些p型层共同构成第二导电型（p型）第二半导体层，其功能与目标专利中第二导电型第二半导体层（载流子输运）相同，直接公开。 |
| 技术特征D：包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层《隐含公开》 | 对比文件说明书实施例2及图3（a）中记载：“ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層８（厚さ２００nm）”（p型Al0.05Ga0.95N层8），该层位于p型GaN接触层1（下层）与p型GaN接触层1（上层）之间，作为蚀刻停止层。 | 对比文件公开了在第二导电型第二半导体层（p型GaN接触层下层）上设置p型AlGaN层作为蚀刻停止层（功能相当于可靠性增强层）。由于氮化物半导体生长中晶体缺陷处常形成凹坑，本领域技术人员在对比文件公开内容基础上，结合该公知常识，可以合理推断该插入层在凹坑处会形成局部加厚的突出部，因此该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层《直接公开》 | 对比文件说明书实施例2及图3（c）中记载：在p型Al0.05Ga0.95N层8上形成“ｐ型ＧａＮコンタクト層１”（p型GaN接触层1上层），其表面通过热处理形成“多数の微細な凹凸１０”（多数微细凹凸10）。 | 对比文件明确公开了在可靠性增强层（p型AlGaN层）上生长p型GaN接触层作为第二导电型第三半导体层，并在该层表面形成凹凸光提取图案，功能与目标专利中用于提高光提取效率的第三半导体层相同，直接公开。 |
| 技术特征F：其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离《直接公开》 | 对比文件说明书实施例2中记载：“ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層２（厚さ４０nm）”、“ｐ型ＧａＮコンタクト層１（厚さ３００nm）”，即从有源层到可靠性增强层（p型AlGaN层8）之间的层总厚度为40nm+300nm=340nm=0.34μm。 | 对比文件实施例2中，有源层（MQW活性层3）与可靠性增强层（p型Al0.05Ga0.95N层8）之间的实际距离为0.34μm，落入0.3μm到5μm的范围内，直接公开了该距离范围。 |
| 技术特征G：其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm《直接公开》 | 对比文件说明书实施例2中记载：“ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層８（厚さ２００nm）”（p型Al0.05Ga0.95N层8厚度200nm）。 | 对比文件明确公开了可靠性增强层的厚度为200nm，落在5nm到200nm的范围内，直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述可靠性增强层包括InxAlyGa(1-x-y)N《直接公开》 | 对比文件说明书实施例2中记载：“ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層８”（p型Al0.05Ga0.95N层），即Al0.05Ga0.95N，属于InxAlyGa(1-x-y)N（x=0, y=0.05）。 | 对比文件公开的可靠性增强层材料为Al0.05Ga0.95N，完全符合InxAlyGa(1-x-y)N的组成式，直接公开。 |
| 技术特征I：其中0≤x≤1并且0≤y≤1并且0≤x+y≤1《直接公开》 | 对比文件公开的可靠性增强层Al0.05Ga0.95N中，x=0, y=0.05，满足0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1。 | 对比文件公开的组成直接落入该数值范围，直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料《直接公开》 | 对比文件说明书实施例2中记载：“ｐ型ＧａＮコンタクト層１”（p型GaN接触层上层），即GaN，其组成式InpAlqGa1-p-qN中p=0, q=0。 | 对比文件公开的第二导电型第三半导体层为GaN，属于InpAlqGa1-p-qN材料体系，直接公开。 |
| 技术特征K：其中0≤p≤1《直接公开》 | 对比文件公开的GaN中p=0，满足0≤p≤1。 | 直接公开。 |
| 技术特征L：0≤q≤1并且0≤p+q≤1《直接公开》 | 对比文件公开的GaN中q=0，p+q=0，满足0≤q≤1且0≤p+q≤1。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q)《直接公开》 | 对比文件实施例2中，可靠性增强层为Al0.05Ga0.95N（y=0.05），第二导电型第三半导体层为GaN（q=0）。 | 对比文件中可靠性增强层的铝组成为0.05，第三半导体层的铝组成为0，0.05>0，直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式 | 对比文件实施例2中，可靠性增强层铝组成y=0.05，第三半导体层铝组成q=0。 | 对比文件公开的数值满足后续条件，直接公开该前提。 |
| 技术特征O：q+0.05≤y≤q+0.5《直接公开》 | 计算：q+0.05=0.05，q+0.5=0.5，y=0.05满足0.05≤0.05≤0.5。 | 对比文件公开的y值直接满足该不等式，直接公开。 |
| 技术特征P：其中0≤q≤0.5《直接公开》 | 对比文件实施例2中q=0，满足0≤0≤0.5。 | 直接公开。 |
| 技术特征Q：其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料《直接公开》 | 对比文件实施例2中第二导电型第三半导体层为GaN，属于InpAlqGa1-p-qN（p=0,q=0）。 | 对比文件公开了该前提条件，直接公开。 |
| 技术特征R：其中0≤p≤1《直接公开》 | 对比文件GaN中p=0，满足条件。 | 直接公开。 |
| 技术特征S：0≤q≤1并且0≤p+q≤1《直接公开》 | 对比文件GaN中q=0，p+q=0，满足条件。 | 直接公开。 |
| 技术特征T：则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成《未公开》 | 对比文件实施例2中，可靠性增强层Al0.05Ga0.95N的铟组成x=0，第二导电型第三半导体层GaN的铟组成p=0，两者相等，不小于。 | 对比文件公开的实施例中铟组成相等，未满足“小于”关系，且全文未教导或暗示铟组成比较，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙《直接公开》 | 对比文件实施例2中，可靠性增强层为Al0.05Ga0.95N，第三半导体层为GaN。Al0.05Ga0.95N的能带隙大于GaN。 | 本领域公知，AlGaN的能带隙随Al组分增加而大于GaN，对比文件公开的AlGaN层能带隙必然大于GaN层，直接公开。 |
| 技术特征V：其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层《未公开》 | 对比文件实施例2中可靠性增强层为单层p型Al0.05Ga0.95N，未提及多层或不同能带隙的子层。 | 对比文件全文仅公开单层插入层，无任何多层结构或不同能带隙子层的记载，也未暗示，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述可靠性增强层的电阻大于所述第二导电型第三半导体层的电阻《直接公开》 | 对比文件实施例2中，可靠性增强层为p型Al0.05Ga0.95N，第三半导体层为p型GaN。通常p型AlGaN的电阻率高于p型GaN。 | 本领域公知，AlGaN因Al组分导致电阻率高于GaN，对比文件公开的AlGaN层电阻必然大于GaN层，直接公开。 |
### 结论代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、U、W，隐含公开了技术特征D。未公开技术特征T和V。
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