对比文件的名称：JPS63148685A_Description_20260718_1950
目标专利的名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390689B
本次调用的模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | [0001]中记载：“高シート抵抗部１３は５０〜１５０Ω／口程度のシート抵抗値で、反射防止膜１５を有する受光面部分に相当し”。（高薄层电阻部13的薄层电阻值为50-150Ω/□，对应具有反射防止膜15的受光面部分。） | 对比文件明确公开了在硅基板正面形成具有较高薄层电阻（50-150Ω/□）的高薄层电阻部，该部分即为低浓度发射层，其电阻值对应于第一电阻，且位于受光面，与目标专利中低浓度发射层的作用相同，均为形成浅结、提高短路电流。因此直接公开。 |
| 技术特征B：使低浓度发射层具有与半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（隐含公开） | [0001]中记载：“リンガラス（ＰＳＧ）塗布膜”。（磷玻璃（PSG）涂布膜） | 对比文件使用PSG作为扩散源，形成N型掺杂层。虽然未明确基板导电类型，但本领域公知，太阳能电池常用P型基板，发射层为N型，形成PN结。因此，本领域技术人员可以合理推断低浓度发射层（高薄层电阻部）具有与基板相反的导电类型。故隐含公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成低浓度发射层（直接公开） | [0001]中记载：“拡散処理を行い”。（进行扩散处理） | 对比文件明确采用灯加热装置进行扩散处理，该扩散处理属于热扩散工艺，因此直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | [0001]中记载：“低シート抵抗部１２は１０〜４０Ω／口程度のシート抵抗値で、表電極１４の直下の位置に相当し”。（低薄层电阻部12的薄层电阻值为10-40Ω/□，对应表电极14的正下方位置） | 对比文件公开了低薄层电阻部，其电阻值（10-40Ω/□）低于高薄层电阻部（50-150Ω/□），即形成高浓度发射层，电阻更低。因此直接公开。 |
| 技术特征E：高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件中低薄层电阻部12是单一区域，未进一步划分为不同电阻的第一部分和第二部分。虽然对比文件提及多段过滤器，但未公开在同一个高浓度发射层内部分为两个不同电阻的区域。因此未公开。 |
| 技术特征F：第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件仅使用灯加热和过滤器，未使用激光束，也没有公开不同功率的激光照射。因此未公开。 |
| 技术特征G：第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征H：第一部分位于第二部分之间（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件没有第一部分和第二部分的结构，因此未公开。 |
| 技术特征I：第一部分的电阻小于第二部分的电阻（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征J：在形成高浓度发射层之后，去除玻璃组成层（隐含公开） | [0001]中记载：“反射防止膜１５”。（反射防止膜） | 对比文件在形成高浓度发射层（低薄层电阻部）后，形成了反射防止膜，但未明确提及去除PSG层。然而，本领域技术人员知道，在扩散后通常需要去除表面玻璃层（如PSG），否则会影响后续膜层形成和电极接触。因此，该步骤是隐含的必要步骤，故隐含公开。 |
| 技术特征K：在低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | [0001]中记载：“反射防止膜１５”。（反射防止膜） | 对比文件公开了在受光面（高薄层电阻部，即低浓度发射层）上形成反射防止膜，该反射防止膜为绝缘层，因此直接公开。 |
| 技术特征L：在绝缘层上形成第一电极（直接公开） | [0001]中记载：“表電極１４”。（表电极） | 对比文件公开了在反射防止膜上形成表电极，即第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征M：第一电极的每一个延伸穿过在半导体基板的正面处的绝缘层，以电连接到高浓度发射层（直接公开） | [0001]中记载：“表電極１４の直下の位置に相当し”。（对应表电极14的正下方位置） | 对比文件公开了表电极14位于低薄层电阻部（高浓度发射层）的正上方，且图4显示电极穿过反射防止膜接触低薄层电阻部，因此直接公开。 |
| 技术特征N：在半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | [0001]中记载：“Ｐ゛層１６”。（P层） | 对比文件公开了在硅基板背面形成P层，该P层作为背面场层，因此直接公开。 |
| 技术特征O：使背面场层具有与半导体基板的导电类型相同的导电类型（隐含公开） | [0001]中记载：“Ｐ゛層１６”。（P层） | 对比文件公开了P层，但未明确基板导电类型。本领域公知，背面场层通常与基板具有相同导电类型，因此本领域技术人员可以合理推断P层与基板导电类型相同，故隐含公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成背面场层（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开如何形成P层，可能通过扩散、离子注入或其它方法，因此未公开。 |
| 技术特征Q：在背面场层上形成钝化膜（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未在背面场层上形成钝化膜，仅形成背电极，因此未公开。 |
| 技术特征R：在钝化膜上形成第二电极（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未形成钝化膜，因此未在钝化膜上形成电极，故未公开。 |
| 技术特征S：第二电极的每一个延伸穿过在半导体基板的背面处的钝化膜，以电连接到背面场层（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未形成钝化膜，因此未公开。 |
| 技术特征T：第二部分包括分别布置在第一部分的相对侧的区域（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| 技术特征U：玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（直接公开） | [0001]中记载：“リンガラス（ＰＳＧ）塗布膜”。（磷玻璃（PSG）涂布膜） | 对比文件明确使用PSG作为玻璃组成层，因此直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | V是方法步骤的过渡词，对比文件虽公开了多个步骤，但未以“还包括以下步骤”的形式表述，且该特征不构成实质性技术内容，故未公开。 |
| 技术特征W：在绝缘层上方涂布电极组成层（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开如何形成表电极，可能通过蒸发、电镀等，但未公开涂布电极组成层，故未公开。 |
| 技术特征X：使电极组成层经受热处理（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开电极形成后的热处理步骤，故未公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到高浓度发射层的第一电极（未公开） | 无直接或隐含公开的内容 | 对比文件未公开烧穿工艺，因此未公开。 |
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