**对比文件名称：** 2009-11-10_US7615393B_发明授权_US07615393B1 Methods of forming multi-doped junctions on a substrate
**目标专利名称：** 1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
**本次调用的模型名称：** GPT-4（模拟）
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层<br>《直接公开》 | 第[0040]段：“随着化学过程继续，磷扩散到硅晶片中，以形成第二掺杂（较低掺杂浓度）区域104。”<br>第[0041]段：“在n-扩散区域408上方形成SiO2层406。” | 对比文件在p型硅基板正面通过热扩散形成n型低浓度掺杂区域（如104、408），该区域具有较高电阻（第一电阻），与目标专利低浓度发射层作用相同，均为形成pn结的发射极。 |
| **技术特征B**：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型<br>《直接公开》 | 第[0045]段：“在p掺杂硅基板202的前表面上沉积高掺杂n型纳米颗粒层200。”<br>第[0040]段：“磷扩散到硅晶片中，形成第二掺杂区域104（n型）。” | 对比文件明确基板为p型，低浓度发射层为n型，导电类型相反，与目标专利完全一致。 |
| **技术特征C**：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层<br>《直接公开》 | 第[0040]段：“在热工艺过程中，O2分子与POCl3分子反应在p掺杂硅基板102上形成PSG层106，……磷扩散到硅晶片中形成第二掺杂区域104。” | 该低浓度区域通过POCl3热扩散形成，属于标准的热扩散工艺，与目标专利相同。 |
| **技术特征D**：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层<br>《直接公开》 | 第[0036]段：“掺杂纳米颗粒100中的掺杂原子开始扩散到p掺杂硅基板102中，以形成初始的第一掺杂（较高掺杂浓度）区域112a。”<br>第[0042]段：“最终的第一掺杂区域112b。”<br>第[0078]段及图7A：纳米颗粒致密化区域方阻为10-20Ω/sq，PSG区域为120-200Ω/sq。 | 对比文件通过纳米颗粒扩散形成高浓度掺杂区域（112a/b），其电阻显著低于低浓度区域，与目标专利中高浓度发射层降低接触电阻的作用相同。 |
| **技术特征E**：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分<br>（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件的高浓度区域（如112b、212b、312b）均为均匀掺杂，未公开或暗示具有不同电阻的第一部分和第二部分。 |
| **技术特征F**：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成<br>（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件形成高浓度区域采用纳米颗粒沉积、烧结和扩散，未使用激光束照射玻璃层，更无不同功率激光的教导。 |
| **技术特征G**：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成<br>（未公开） | 无对应内容。 | 同特征F，对比文件无激光照射步骤。 |
| **技术特征H**：所述第一部分位于所述第二部分之间<br>（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件无第一部分和第二部分的划分，无该位置关系。 |
| **技术特征I**：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻<br>（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件的高浓度区域电阻均匀，无不同电阻部分。 |
| **技术特征J**：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层<br>《直接公开》 | 第[0043]段：“如果需要，可以使用批量HF湿法工作台或其他合适手段去除PSG层206。”<br>第[0056]段：“如果需要，可以使用批量HF湿法工作台或其他合适手段去除前PSG层232和后PSG层234。” | 对比文件在形成高浓度区域（最终区域）后，明确去除了PSG玻璃层，与目标专利步骤相同，不限定玻璃层来源。 |
| **技术特征K**：在所述低浓度发射层上形成绝缘层<br>《直接公开》 | 第[0071]段：“在n-扩散区域408上方形成SiO2层406，然后在前表面上形成SiNx层404。”<br>第[0068]段：“形成前SiO2层307。” | 对比文件在低浓度发射层上形成SiO2和SiNx绝缘层，起减反射和钝化作用，与目标专利的绝缘层功能相同。 |
| **技术特征L**：在所述绝缘层上形成第一电极<br>《直接公开》 | 第[0072]段：“然后在硅基板410上形成前金属接触402。”<br>附图示前金属接触位于SiNx层上。 | 对比文件在绝缘层（SiNx）上形成前金属电极，与目标专利一致。 |
| **技术特征M**：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层<br>《直接公开》 | 第[0072]段：“前金属接触402接触n++扩散区域414。”<br>附图示前金属接触穿过SiNx和SiO2层。 | 对比文件前金属电极穿过绝缘层接触高浓度区域，与目标专利相同。 |
| **技术特征N**：在所述半导体基板的背面处形成背面场层<br>《直接公开》 | 第[0050]段：“p型掺杂纳米颗粒220中的p掺杂原子开始扩散到p掺杂硅基板202中，以形成初始的p掺杂高浓度区域222a。”<br>第[0055]段：“最终p掺杂高浓度区域222b。” | 对比文件在基板背面形成p型高浓度区域作为背面场层（BSF），与目标专利作用相同。 |
| **技术特征O**：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型<br>《直接公开》 | 第[0045]段：“p掺杂硅基板202。”<br>第[0046]段：“高掺杂p型纳米颗粒层220。” | 基板p型，背面场层p型，导电类型相同，与目标专利一致。 |
| **技术特征P**：通过热扩散工艺形成所述背面场层<br>《直接公开》 | 第[0050]段：“同时烧结……形成致密薄膜……p掺杂原子扩散到硅基板中。”<br>第[0055]段：“驱动掺杂原子更深，形成最终高浓度区域。” | 背面场层通过纳米颗粒烧结和扩散形成，属于热扩散工艺，与目标专利实质相同。 |
| **技术特征Q**：在所述背面场层上形成钝化膜<br>《直接公开》 | 第[0068]段：“在p掺杂硅基板302中形成后SiO2层340。”<br>第[0060]段：“必须钝化剩余背面区域303，以最小化复合损失，可使用SiO2、SiNx或其他技术。” | 对比文件在背面场层（p++区域）上形成SiO2钝化膜，用于减少背面复合，与目标专利钝化膜作用相同。 |
| **技术特征R**：在所述钝化膜上形成第二电极<br>《隐含公开》 | 第[0072]段：“形成BSF/后金属接触408。”<br>第[0073]段：“后金属接触408形成在硅基板510上。”<br>第[0060]段教导背面钝化。 | 对比文件虽未明确在钝化膜上形成第二电极，但其教导背面钝化，且本领域技术人员公知可在钝化膜上开孔制作电极，因此可合理推断。 |
| **技术特征S**：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层<br>《隐含公开》 | 同特征R。 | 基于特征R的隐含公开，且本领域技术人员必然要求电极穿过钝化膜接触背面场层，故可合理推断。 |
| **技术特征T**：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域<br>（未公开） | 无对应内容。 | 对比文件无第一部分和第二部分的划分，更无该特定布置。 |
| **技术特征U**：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG<br>《直接公开》 | 第[0040]段：“形成PSG（磷硅玻璃）层106。”<br>第[0052]段：“前PSG层232和后PSG层234。” | 对比文件明确公开了PSG作为玻璃组成层，目标专利包括PSG或BSG，故直接公开PSG这一选项。 |
| **技术特征V**：该方法还包括以下步骤<br>（未单独判断） | 无对应内容。 | 该特征为方法步骤的引入，不单独与对比文件比较。 |
| **技术特征W**：在所述绝缘层上方涂布电极组成层<br>《直接公开》 | 第[0072]段：“前金属接触402通常由包含银粉的银浆形成，通过丝网印刷涂布。” | 对比文件通过丝网印刷涂布银浆电极组成层，与目标专利的涂布步骤相同。 |
| **技术特征X**：使所述电极组成层经受热处理<br>《直接公开》 | 第[0072]段：“在带式炉中共烧。”<br>第[0037]段：“在带式炉中与正面金属接触共烧。” | 对比文件对电极浆料进行热处理（共烧），与目标专利一致。 |
| **技术特征Y**：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极<br>《隐含公开》 | 第[0072]段：“前金属接触402通常由银浆形成，在带式炉中共烧。”<br>未明确提及“烧穿”，但银浆共烧必然烧穿SiNx绝缘层。 | 对比文件虽未明确“烧穿”术语，但本领域技术人员公知，银浆在共烧过程中会烧穿SiNx绝缘层接触发射极，且对比文件电极结构需要穿过绝缘层，因此可合理推断。 |
### 公开性代码
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