对比文件名称：JPWO2012043811A1 太陽電池用導電性ペーストおよびこれを用いた太陽電池素子の製造方法
目标专利名称：CN103390659B 太阳能电池及其制造方法
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | [0043]“第2半導体層3は０．２〜２μｍ程度の厚み、４０〜１５０Ω／□程度のシート抵抗に形成される。”[0061]“第4半導体層は第2半導体層よりもシート抵抗が低く形成される。” | 对比文件公开了在基板正面形成第二半导体层3（发射层），其薄层电阻为40‑150Ω/□，该电阻可视为第一电阻；且后续通过激光再扩散形成第四半导体层（高浓度层），其电阻更低，因此第二半导体层即为低浓度发射层。本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（直接公开） | [0026]“第2半導体層3は、第1半導体層2（半導体基板1）と逆の導電型を呈する層である。” | 对比文件明确记载第二半导体层3与第一半导体层2（半导体基板）导电类型相反，即n型对p型，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开） | [0043]“第2半導体層3は、...気相熱拡散法などによって形成される。” | 对比文件记载了通过气相热扩散法等热扩散工艺形成第二半导体层，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | [0061]“第4半導体層は第2半導体層よりもシート抵抗が低く形成される。” | 对比文件明确记载第四半导体层（高浓度层）的薄层电阻低于第二半导体层，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（不公开） | 对比文件未记载高浓度发射层具有不同部分。 | 对比文件仅提及第四半导体层作为单一高浓度区域，未描述其内部具有第一部分和第二部分，本领域技术人员无法直接或间接得出该特征。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（不公开） | 对比文件未记载不同功率的激光束。 | 对比文件[0061]仅提及用激光束照射磷玻璃形成高浓度层，但未提及使用不同功率的激光束，也未区分第一、第二激光束，因此不公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（不公开） | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间（不公开） | 对比文件未记载该结构。 | 对比文件未公开高浓度层内部区域的位置关系，故不公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（不公开） | 对比文件未记载高浓度层内部电阻差异。 | 对比文件未提及高浓度层内部不同区域的电阻差异，故不公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（隐含公开） | [0044]“フッ酸溶液による燐ガラスのエッチング除去”。[0061]“燐ガラスが残存する状態で...レーザービームを照射する。” | 对比文件在形成第二半导体层后明确去除了磷玻璃，且在激光再扩散步骤中磷玻璃残留。虽未明确记载高浓度层形成后去除玻璃层，但本领域技术人员根据常规工艺，在激光掺杂后必然进行清洗以去除残留玻璃层，从而保证后续电极接触质量。因此该步骤是本领域技术人员在对比文件公开内容基础上合理推断得出的，故隐含公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | [0046]“反射防止層4は、例えば、ＰＥＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成される。” | 对比文件公开了在第二半导体层（发射层）上形成反射防止层4，该层为绝缘层，直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开） | [0048]“第１電極５（第１出力取出電極５ａ、第１集電電極５ｂ）...を形成する。”[0049]“導電性ペーストを...反射防止層４の上に塗布する。” | 对比文件公开了在反射防止层（绝缘层）上涂布导电浆料并烧成形成第一电极，直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（直接公开） | [0049]“ファイヤースルー法によって反射防止層４を突き破り半導体基板１の第２領域１ｂ上に第１電極５の下地電極層が形成される。”[0061]“第4半導体層を形成する方が好ましい...レーザービームを照射することによって...第4半導体層が形成される。” | 对比文件公开了通过烧穿工艺使第一电极穿过反射防止层接触半导体基板，并且在优选方案中，通过激光照射在电极接触区域形成第四半导体层（高浓度发射层），因此第一电极电连接至高浓度发射层。直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | [0028]“ＢＳＦ領域７は、第２面９ｂの近傍でキャリアの再結合...を低減させる役割を有しており...形成される。”[0047]“ＢＳＦ領域７を形成する。” | 对比文件公开了在半导体基板背面形成BSF（背面场）区域，直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（直接公开） | [0028]“ＢＳＦ領域７は第１半導体層２と同一の導電型を呈している。” | 对比文件明确记载BSF区域与第一半导体层（半导体基板）导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（直接公开） | [0047]“製法としては、例えば、三臭化ボロン（ＢＢｒ３）を拡散源とした熱拡散法を用いて温度８００〜１１００℃程度で形成する方法。” | 对比文件公开了通过热扩散法形成BSF区域，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜（直接公开） | [0058]“半導体基板１の第２面９ｂ側にパッシベーション膜を設けてもよい。” | 对比文件公开了可在背面设置钝化膜的变形例，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极（隐含公开） | [0058]公开了设置钝化膜。[0054]“第２電極６が半導体基板１の第２面９ｂ側に形成される。” | 对比文件公开了在背面形成第二电极，虽然未明确在钝化膜上形成，但本领域技术人员在设置钝化膜后，必然会在钝化膜上形成第二电极并使其穿过钝化膜接触背面场层，因此该步骤是隐含公开的。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（隐含公开） | 同上。 | 基于对比文件公开的钝化膜设置和第二电极在背面形成，本领域技术人员可以合理推断第二电极穿过钝化膜连接背面场层，故隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（不公开） | 对比文件未记载该结构。 | 对比文件未公开高浓度层内部区域的相对位置关系，故不公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（直接公开） | [0061]“燐ガラスが残存する状態で...レーザービームを照射する。” | 对比文件明确记载了磷玻璃（磷硅玻璃），因此公开了玻璃组成层包括磷硅玻璃，直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤（直接公开） | [0038]“まず、基本的には、シリコン基板等の半導体基板１に電極を形成する場合の工程としては、上述したペーストを半導体基板１上に塗布する塗布工程と、塗布したペーストを焼成して半導体基板１上に電極層を形成する焼成工程とを含む。” | 对比文件公开了制造方法包括多个步骤，因此“还包括以下步骤”是直接公开的。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开） | [0049]“導電性ペーストを、半導体基板１の第１面９ａである第２領域１ｂに対応する反射防止層４の上に塗布する。” | 对比文件公开了在反射防止层（绝缘层）上涂布导电浆料（电极组成层），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理（直接公开） | [0049]“最高温度６００〜８５０℃で数十秒〜数十分程度焼成することによって。” | 对比文件公开了烧成（热处理）步骤，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（直接公开） | [0049]“ファイヤースルー法によって反射防止層４を突き破り半導体基板１の第２領域１ｂ上に第１電極５の下地電極層が形成される。”[0061]“第4半導体層を形成する方が好ましい。” | 对比文件公开了烧穿工艺形成第一电极，且在优选方案中，该电极接触高浓度发射层（第四半导体层），因此直接公开。 |
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