对比文件名称：2011-12-06_US8071418B_发明授权_US08071418B2 Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层。《直接公开》 | “扩散可以轻掺杂在选择性区域15之间的场区域20，使其方块电阻为70至120欧姆/平方。”[0043] | 对比文件明确公开了通过扩散形成轻掺杂的场区域（即低浓度发射层），并给出了其方块电阻范围，与目标专利中低浓度发射层具有第一电阻（高电阻）相对应，且作用相同，均为形成发射极的轻掺杂区。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型。《直接公开》 | “选择性发射极层由重掺杂区域15和轻掺杂区域20组成……掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，例如n型杂质。”[0029] | 对比文件公开了基板为p型，发射极层为n型，因此低浓度发射层（轻掺杂区域）具有与基板相反的导电类型，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层。《直接公开》 | “在退火期间，将额外掺杂物引入炉中进行扩散，轻掺杂选择性区域之间的场区域。”[0041]-[0043] | 对比文件通过POCl₃扩散形成轻掺杂场区域，即为热扩散工艺，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层。《直接公开》 | “选择性区域15的方块电阻可以在30至50欧姆/平方的范围内。”[0044] | 对比文件公开了重掺杂的选择性区域（高浓度发射层）具有较低的方块电阻（30-50Ω/sq），而场区域电阻较高（70-120Ω/sq），因此直接公开了电阻更低的高浓度发射层。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部具有不同电阻的第一部分和第二部分，其高浓度区域是均匀掺杂的。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件采用离子注入和扩散形成高浓度区域，未使用激光束照射玻璃层。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成。《未公开》 | 无相关描述。 | 同特征F。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开这种结构。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开高浓度区域内的电阻差异。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层。《直接公开》 | “由于扩散过程，可能在选择性发射极层的掺杂区域15、20的前表面上形成玻璃层，例如磷硅玻璃层。在一些实施例中，需要在形成抗反射层40之前去除玻璃层……将基板浸入稀氢氟酸浴中。”[0045] | 对比文件公开了在形成发射层（包括高浓度区域）后，去除扩散过程中形成的玻璃层，该步骤与目标专利中去除玻璃组成层的步骤相对应，直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层。《直接公开》 | “在选择性发射极层的掺杂区域15、20的前表面上形成抗反射层40。”[0046] | 对比文件公开了在发射层上形成抗反射层（绝缘层），直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极。《直接公开》 | “将前接触30和前连接的材料施加到抗反射层40的前表面。”[0047] | 对比文件公开了在抗反射层上印刷前接触材料，形成第一电极。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层。《直接公开》 | “前接触30和前连接可以物理穿透抗反射层40以与下面的选择性发射极层区域接触。”[0033]；“前接触30可以烧穿抗反射层40以与选择性发射极层的掺杂区域15、20形成物理连接。”[0050] | 对比文件公开了前接触通过烧穿工艺穿透抗反射层，接触重掺杂的选择性区域（高浓度发射层），直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层。《直接公开》 | “通过液相外延再生长在p型基底层10的背面与背接触35的界面处形成铝掺杂的p+硅背面场层45。”[0035] | 对比文件公开了在基板背面形成背面场层（BSF），直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型。《直接公开》 | 同上，p+层与p型基板相同导电类型。 | 对比文件公开了背面场层为p+型，与p型基板导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件通过铝浆共烧形成背面场层，属于液相外延再生长，而非热扩散工艺。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未在背面场层上形成钝化膜。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开在钝化膜上形成第二电极。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开钝化膜及穿过钝化膜的电极。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开这种结构。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG。《直接公开》 | “磷硅玻璃层”[0045] | 对比文件明确公开了磷硅玻璃（PSG），直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤。《直接公开》 | 整个说明书描述了制造方法，包括多个步骤。 | 对比文件公开了完整的制造方法，包括后续步骤，直接公开了“还包括以下步骤”的限定。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层。《直接公开》 | “将前接触30和前连接的材料施加到抗反射层40的前表面，例如通过丝网印刷银浆。”[0047] | 对比文件公开了在绝缘层上涂布电极组成层（丝网印刷银浆），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理。《直接公开》 | “将基板与接触和连接一起在带式炉中加热或共烧。”[0050] | 对比文件公开了共烧（热处理）步骤，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极。《直接公开》 | “前接触30可以烧穿抗反射层40以与选择性发射极层的掺杂区域15、20形成物理连接。”[0050] | 对比文件公开了共烧过程中前接触烧穿抗反射层，与高浓度发射层电连接，直接公开。 |
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