对比文件名称：2011-08-04_US2011186116A_发明申请_US20110186116A1 METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING A TWO-STAGE DOPING
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | 第[0043]段：“通过回蚀，未保护掺杂区域17中的掺杂物质浓度较低，使得两阶段掺杂的弱掺杂区域11存在于此。” 第[0039]段提到正面。 | 对比文件公开了在太阳能电池基板正面形成弱掺杂区域（低浓度发射层），其电阻较高（相对于重掺杂区域）。虽然形成方式不同，但最终结构相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（隐含公开） | 第[0040]段提到重掺杂可以通过POCl<sub>3</sub>或BBr<sub>3</sub>扩散进行，分别对应n型和p型掺杂。但未明确基板导电类型。 | 对比文件未明确公开导电类型，但本领域技术人员已知太阳能电池中发射极与基板导电类型相反，且对比文件提及的掺杂工艺可用于形成相反导电类型。因此，隐含公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（未公开） | 对比文件第[0040]段通过热扩散形成重掺杂区域，但低浓度区域是通过回蚀重掺杂区域形成的，而非直接热扩散形成。 | 对比文件未公开直接通过热扩散形成低浓度发射层，而是通过回蚀降低浓度。因此，未公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | 第[0002]段：“重掺杂发射极区域具有低于约70Ω/sq的发射极薄层电阻”，而弱掺杂区域电阻更高。 | 对比文件明确公开了高浓度发射层（重掺杂区域）具有低电阻，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 对比文件未描述高浓度发射层内部具有不同部分。 | 对比文件仅区分重掺杂和弱掺杂，未进一步划分重掺杂区域内部，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 对比文件未使用激光照射玻璃层形成高浓度部分。 | 对比文件使用牺牲结构和回蚀，而非激光掺杂，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开） | 对比文件未公开高浓度发射层内部的位置关系。 | 未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开） | 对比文件未公开高浓度内部电阻差异。 | 未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（未公开） | 对比文件在形成高浓度区域后去除牺牲结构，但牺牲结构是施加的，而非热扩散形成的玻璃组成层。 | 对比文件未公开目标专利中的玻璃组成层（PSG/BSG）及其去除步骤，因此未公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | 第[0046]段：“可以通过钝化层和/或减反射涂层对两阶段掺杂进行钝化。” | 对比文件公开了在掺杂区域上形成绝缘层（钝化层或减反射膜），因此直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极（隐含公开） | 第[0046]段：“在重掺杂区域上施加接触”，第[0047]段：“通过印刷含金属的浆料施加接触”。 | 对比文件未明确说明在绝缘层上形成电极，但结合钝化层的存在，本领域技术人员可合理推断电极形成在绝缘层上并穿透，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（隐含公开） | 同上。 | 对比文件提到接触施加在重掺杂区域上，但未说明穿透绝缘层，然而这是太阳能电池制造中的常规步骤，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | 第[0004]段：“太阳能电池基板可以包括两阶段体积掺杂或背面场层可以实施为两阶段掺杂。” 第[0030]段：“发射极或背面场层实施为两阶段掺杂。” | 对比文件公开了形成背面场层，因此直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（隐含公开） | 对比文件未明确背面场层导电类型，但第[0004]段提及背面场层可实施为两阶段掺杂，通常与基板同型。 | 本领域技术人员已知背面场层与基板导电类型相同，对比文件虽未明确，但可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（隐含公开） | 第[0040]段描述重掺杂通过热扩散进行，该方法可应用于背面场层。 | 对比文件的方法可应用于背面场层，且重掺杂步骤通过热扩散，因此隐含公开可通过热扩散形成背面场层（包括重掺杂部分）。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜（直接公开） | 第[0046]段提及钝化层，可应用于背面。 | 对比文件公开了在掺杂区域上形成钝化膜，因此直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极（隐含公开） | 类似L，第[0046]段提及接触施加。 | 基于钝化膜的存在，本领域技术人员可推断第二电极形成在钝化膜上，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（隐含公开） | 类似M。 | 隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开） | 对比文件未公开此结构。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（未公开） | 对比文件第[0018]段提到“玻璃，例如二氧化硅”，第[0019]段提到“硼砂玻璃”，但未明确PSG或BSG。 | 对比文件未公开PSG或BSG，因此未公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件描述了一种方法，包括多个步骤，例如重掺杂、施加牺牲结构、回蚀等。 | 对比文件公开了一种制造太阳能电池的方法，包括多个步骤，因此直接公开了“还包括以下步骤”的表述（方法包括多个步骤）。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开） | 第[0047]段：“通过印刷含金属的浆料施加接触。” | 对比文件公开了在绝缘层上涂布电极组成层（浆料），因此直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理（隐含公开） | 第[0047]段未明确热处理，但印刷金属浆料后通常需要干燥或烧结。 | 对比文件虽未明确，但本领域技术人员可知金属浆料印刷后需热处理以形成电极，因此隐含公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（未公开） | 对比文件未提及烧穿工艺。 | 对比文件未公开烧穿工艺，可能通过其他方式接触，因此未公开。 |
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