对比文件名称：2004-02-24_US6695903B_发明授权_US06695903B1 Dopant pastes for the production of p, p+, and n, n+ regions in semiconductors
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：大型语言模型（未指定）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层**<br>**公开性判断：隐含公开** | 对比文件提到：“同样可以通过丝网印刷浆料，以低成本和高通量实现全面或选择性（选择性发射极）磷掺杂。”（原文：“It is likewise possible to achieve extensive or selective (selective emitter) phosphorus doping inexpensively and with high throughput by means of screen-printable pastes.”）此外，对比文件描述了通过扩散形成掺杂层，并指出可通过控制掺杂浓度实现不同电阻。 | 对比文件虽未明确写出“低浓度发射层”这一术语，但公开了“选择性发射极”结构，本领域技术人员已知选择性发射极必然包含低浓度区域；同时，对比文件教导了通过热扩散形成掺杂层并控制浓度。因此，本领域技术人员可以合理推断出在半导体基板正面形成低浓度发射层（具有第一电阻）的步骤，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件公开：“本发明涉及用于在单晶和多晶硅片中产生p, p+, n, n+区域的新型硼、磷或硼铝掺杂浆料。”（原文：“The invention relates to novel boron, phosphorus or boron-aluminium dopant pastes for the production of p, p+, p++, n, n+, n++ regions in monocrystalline and polycrystalline Si wafers”）并具体说明磷掺杂用于n型区域，硼掺杂用于p型区域。 | 对比文件明确教导了通过磷掺杂形成n型区域（n, n+），而半导体基板通常为p型，因此形成的n型发射层与基板导电类型相反。该特征已被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层**<br>**公开性判断：隐含公开** | 对比文件记载：“掺杂过程通过在空气或氧气气氛中进行受控扩散来完成。磷扩散的温度例如为900-950℃，硼扩散约为950-1050℃。扩散时间根据应用目的可从几分钟到60小时以上。”（原文：“The doping process is carried out by controlled diffusion in air or oxygen atmosphere. The temperatures for the phosphorus diffusion are, e.g. 900-950° C., and for the boron diffusion about 950-1050° C. The diffusion time may, depending on the application purpose, be from a few minutes to as much as 60 hours or more.”） | 对比文件直接公开了热扩散工艺的具体参数，并指出该工艺用于形成掺杂层。本领域技术人员在对比文件教导下，结合已知的太阳能电池制造知识，可以合理推断出低浓度发射层是通过热扩散工艺形成的，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件公开：“通过背面p++掺杂可以实现全面或局部背场（BSF）”，并提到“选择性发射极”结构。此外，对比文件指出其浆料可用于形成p++和n++区域，这些区域具有高掺杂浓度和低电阻。 | 对比文件明确提出了形成高浓度掺杂区域（p++, n++）以降低电阻，这些区域对应于目标专利中的高浓度发射层。该特征被直接公开。 |
| **技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未记载任何关于高浓度发射层内部分为不同电阻部分的内容。 | 对比文件仅涉及整体高浓度区域的形成，未公开其内部具有不同电阻的第一部分和第二部分，本领域技术人员也不能从对比文件合理推断出该结构，故该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及任何激光束照射工艺。 | 对比文件仅使用热扩散工艺，无激光相关描述，本领域技术人员无法从对比文件推导出使用激光束形成第一部分，故该特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及激光束照射。 | 同特征F，对比文件无激光工艺，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未记载高浓度发射层中第一、二部分的相对位置关系。 | 对比文件未描述任何分区结构，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及高浓度发射层内不同区域的电阻差异。 | 对比文件未公开高浓度区域内部分电阻差异，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件记载：“扩散后，用HF（浓度约2-50% HF）处理硅片，以溶解形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃（PSG, BSG）。”（原文：“Following the diffusion, the wafers are treated with HF (concentration about 2-50% HF), in order to dissolve the phosphorous or borosilicate (PSG, BSG) glass formed.”） | 对比文件明确公开了在扩散（形成高浓度掺杂层）后，通过HF处理去除玻璃组成层的步骤，该步骤与目标专利中去除玻璃层的作用相同，故直接公开。 |
| **技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未涉及在发射层上形成绝缘层（如减反射膜）的步骤。 | 对比文件仅关注掺杂工艺，未公开后续绝缘层形成，该特征未被公开。 |
| **技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未记载电极形成步骤。 | 对比文件未涉及电极制备，该特征未被公开。 |
| **技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未描述电极结构与连接方式。 | 对比文件未公开电极穿过绝缘层接触高浓度层的结构，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件公开：“在光伏技术中，可以通过背面p++掺杂实现全面或局部背场（BSF）。”（原文：“In photovoltaic technology, an extensive or local back surface field (BSF) can be achieved by p++ doping on the back.”） | 对比文件明确提出了在半导体基板背面形成背场层（BSF），该层即为目标专利中的背面场层，故直接公开。 |
| **技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件公开BSF通过“p++ doping”实现，即p型重掺杂。 | 对比文件指出背场层为p++掺杂，与p型基板导电类型相同，该特征直接公开。 |
| **技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件记载了用于形成p++掺杂的扩散工艺（温度、时间等），如“硼扩散约950-1050℃”。 | 对比文件公开了通过热扩散形成p++掺杂区域，即背面场层，故直接公开。 |
| **技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及钝化膜形成步骤。 | 对比文件未涉及背面钝化层，该特征未被公开。 |
| **技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未记载第二电极形成。 | 对比文件未公开电极制备，该特征未被公开。 |
| **技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未描述电极结构。 | 对比文件未公开电极穿过钝化膜接触背面场层的结构，该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开高浓度发射层内部分区的布局。 | 对比文件无任何关于第一、二部分相对位置的信息，该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG**<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件记载：“扩散后，用HF处理硅片，以溶解形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃（PSG, BSG）。”（原文：“in order to dissolve the phosphorous or borosilicate (PSG, BSG) glass formed.”） | 对比文件直接公开了玻璃组成层为PSG或BSG，该特征直接公开。 |
| **技术特征V：该方法还包括以下步骤**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未记载后续步骤W、X、Y的具体内容。 | 对比文件的方法主要涉及掺杂，未包括目标专利中电极形成的特定步骤，该特征未公开。 |
| **技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及涂布电极浆料。 | 对比文件未公开电极组成层的涂布步骤，该特征未被公开。 |
| **技术特征X：使所述电极组成层经受热处理**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未涉及电极浆料的热处理。 | 对比文件未公开对电极浆料进行热处理，该特征未被公开。 |
| **技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极**<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及烧穿工艺。 | 对比文件未公开烧穿工艺形成电极，该特征未被公开。 |
### 公开性代码
根据上述分析，对比文件直接公开的技术特征：B、D、J、N、O、P、U；隐含公开的技术特征：A、C。其他技术特征未被公开，不输出对应代码。
<<<B>>><<<D>>><<<J>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<U>>><<<a>>><<<c>>>