对比文件名称：2011-06-30_JP2011129867A_发明专利_JP2011129867A Silicon solar cell containing boron diffusion layer and method of manufacturing the same
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI智能分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《未公开》 | 对比文件公开了“p形硅基板1的正面上通过磷(P)扩散形成的n+层2”（段落[2]），但未公开该层为低浓度或具有第一电阻。 | 对比文件公开了在正面形成发射层，但该发射层是均匀的n+层，未明确其为低浓度部分，也未公开电阻值，因此未公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 段落[2]：“p形硅基板1的正面上通过磷(P)扩散形成的n+层2”。基板为p型，n+层为n型。 | 对比文件明确公开了p型基板正面形成n型发射层，导电类型相反，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 段落[2]及步骤（4）描述磷扩散工艺。 | 对比文件公开了通过磷扩散（热扩散）形成n+层，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开在正面形成高浓度发射层，也未公开选择性发射极结构，未公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开高浓度发射层，也未公开其具有第一部分和第二部分，未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 无。 | 对比文件未使用激光束照射玻璃组成层进行掺杂，未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开任何激光掺杂工艺，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开高浓度发射层的结构，未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开任何电阻比较，未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 对比文件步骤（5）公开了去除BSG/PSG膜，但不是在形成高浓度发射层之后。 | 对比文件公开了去除玻璃层，但未公开在形成高浓度发射层之后去除，且未形成高浓度发射层，未公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 段落[2]：“おもて面には、シリコン酸化膜（SiO 2 ）４とその上にSiN x膜５が形成されており”。 | 对比文件公开了在发射层上形成绝缘层（SiNx等），直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 步骤（8）形成“おもて面Agグリッド形電極６”。 | 对比文件公开了在绝缘层上形成正面电极，直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《未公开》 | 步骤（10）烧穿工艺使电极接触n+层，但n+层不是高浓度发射层。 | 对比文件公开了电极穿过绝缘层连接发射层，但发射层是均匀的n+层，非高浓度发射层，未公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 段落[2]：“裏面にボロン拡散によって形成されたp +層１２”。 | 对比文件公开了在背面形成p+背面场层，直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 同上，基板p型，背面场层p+。 | 对比文件公开了导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 步骤（2）描述硼扩散工艺。 | 对比文件公开了通过硼扩散热扩散形成背面场层，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《直接公开》 | 段落[2]：“裏面側には同じくシリコン酸化膜１３とSiN x膜１４が形成されている”。 | 对比文件公开了在背面场层上形成钝化膜，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《直接公开》 | 步骤（9）形成背面电极。 | 对比文件公开了在钝化膜上形成背面电极，直接公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《直接公开》 | 步骤（10）烧穿工艺使电极接触背面场层。 | 对比文件公开了第二电极穿过钝化膜连接背面场层，直接公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开高浓度发射层的结构，未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | 步骤（5）：“BSG膜及びPSG膜の除去”。步骤（2）和（4）提到形成BSG和PSG。 | 对比文件明确公开了玻璃组成层包括PSG和BSG，直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 整个对比文件描述了制造方法的多个步骤。 | 对比文件公开了完整的制造方法，包括多个步骤，直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 步骤（8）：“おもて面Agグリッド形電極６を印刷乾燥”。 | 对比文件公开了在绝缘层上印刷电极浆料，直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 步骤（10）：“ピーク温度750〜780℃で焼成する”。 | 对比文件公开了对电极浆料进行烧成热处理，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《未公开》 | 步骤（10）烧穿工艺，但连接的是n+层，非高浓度发射层。 | 对比文件公开了烧穿工艺形成电极，但连接的是均匀的n+层，非高浓度发射层，未公开。 |
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