对比文件名称：2007-10-25_JP2007281044A_发明专利_JP2007281044A Solar battery
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“本発明は、集電電極を裏面に配置した裏面コンタクト型の太陽電池に関する。”（翻译：本发明涉及一种将集电极配置在背面的背接触型太阳能电池。） | 对比文件明确公开了一种太阳能电池，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述半导体基板（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“ｐ -基板２”（翻译：p-基板2）以及相关描述。 | 对比文件公开了半导体基板（p-基板2），因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“ｐ +層３は、ｐ -基板２とプラス電極７とを良好にオーミック接合するための層である。”（翻译：p+层3是用于使p-基板2与正电极7良好欧姆接触的层。） | 对比文件公开了p型导电区域（p+层3）形成在半导体基板（p-基板2）的背面，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“ｐ +層３の作製方法としては、アルミニウムのペーストをスクリーン印刷法で塗布して乾燥後、８００℃程度で焼成を行う方法が公知である。”（翻译：作为p+层3的制造方法，已知有将铝膏通过丝网印刷涂布、干燥后，在800℃左右烧成的方法。） | 对比文件公开了p型导电区域（p+层）通过铝（p型杂质）扩散形成，因此包括p型杂质，技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“ｐ -基板２の裏面には裏面パッシベーション層４２が設けられている。該裏面パッシベーション層４２の機能は、ｐ -基板２の裏面及びｐ +層３、ｎ +層４の裏面を被覆することで、表面再結合速度を低減するものである。”（翻译：p-基板2的背面设有背面钝化层42。该背面钝化层42的功能是覆盖p-基板2的背面以及p+层3、n+层4的背面，从而降低表面复合速度。） | 对比文件公开了钝化膜（背面钝化层42）形成在p型导电区域（p+层3）上，因此技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物（未公开） | 对比文件未提及铝氧化物。 | 对比文件中的钝化膜采用SiO₂或SiN等材料，未公开铝氧化物，因此技术特征F未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件未公开在钝化膜上形成抗反射膜。 | 对比文件中的表面钝化层1直接形成在基板前表面，并非形成在钝化膜上，也未公开在背面钝化膜上形成抗反射膜，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物（未公开） | 对比文件提到表面钝化层1可以是SiN，但并非形成在钝化膜上。 | 由于抗反射膜未形成在钝化膜上，该特征的前提不成立，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度（未公开） | 对比文件未公开钝化膜的厚度范围。 | 对比文件未提及任何钝化膜厚度，更未公开7至的厚度，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO₁.₅₊ₓ（未公开） | 对比文件未公开铝氧化物。 | 由于对比文件未公开铝氧化物，因此未公开其化学式，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中0<X<0.5（未公开） | 对比文件未公开铝氧化物。 | 同特征J，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO₁.₅₊ₓ（未公开） | 同特征J。 | 同特征J，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5（未公开） | 对比文件未公开铝氧化物。 | 同特征J，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层（未公开） | 对比文件中的p+层用于欧姆接触，n+层用于形成pn结，p+层并非发射极。 | 对比文件中的p型导电区域（p+层）是背场层或欧姆接触层，并非发射极层，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处（未公开） | 对比文件未公开前表面发射极。 | 对比文件为背接触结构，pn结和电极均在背面，没有前表面发射极，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上（未公开） | 对比文件未公开发射极层。 | 由于没有发射极层，该特征不成立，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层（直接公开） | 对比文件公开了p+层3形成在基板背面，作为高掺杂p型区域，起到背表面场作用。 | 对比文件中的p+层3是位于背面的高掺杂p型区域，用于减少表面复合并改善欧姆接触，实质相当于背表面场层，因此技术特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“ｐ +層３”形成在基板背面。 | 对比文件公开了背表面场层（p+层）形成在半导体基板背表面，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上（直接公开） | 同特征E，背面钝化层42覆盖p+层3。 | 对比文件公开了钝化膜（背面钝化层42）形成在背表面场层（p+层3）上，因此技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“プラス電極７”、“マイナス電極９”等。 | 对比文件公开了正电极和负电极，因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“補助電極５、バスバー６、プラス電極７、不図示のマイナス電極は、裏面パッシベーション層４２に設けられた開口部により、ｐ +層３またはｎ +層４とコンタクトする構造である。”（翻译：辅助电极5、母线6、正电极7、未图示的负电极构成为通过设置于背面钝化层42的开口部与p+层3或n+层4接触。） | 电极通过开口形成在钝化膜上，部分覆盖钝化膜，因此电极形成在钝化膜上，技术特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域（直接公开） | 同上，电极通过开口接触p+层3。 | 电极通过开口与p型导电区域（p+层）电连接，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件中的电极通过开口接触半导体，部分位于开口内，并非完全在钝化膜上。 | 对比文件未公开电极完全形成在钝化膜上，因为电极在开口区域直接接触基板，因此技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触（直接公开） | 对比文件[2]中记载：“開口部は櫛歯状ではなく点状に形成してもよい。”（翻译：开口部也可以不形成为梳齿状而形成为点状。） | 对比文件公开了开口部可以是点状，从而电极与p型导电区域形成点接触，因此技术特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中（直接公开） | 对比文件[2]中记载了p+层3的印刷图案为梳齿状纵线和横线，对应于电极图案。 | 对比文件中的p+层（背表面场层）仅形成在印刷有铝膏的区域，即电极接触区域，因此是局部形成在电极的一部分相邻的区域，技术特征Y被直接公开。 |
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