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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括基板
B
和译凹凸结构
C
所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部
D
和包含介电材料的凹入部
E
所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10
F
消光系数为0.5至10
G
所述凹凸结构形成于所述基板上
H
其中，在以下公式1中，a为0.74至10
I
b为0.5至10
J
在以下公式2中，c为1.3至10
K
d为译0.013至0.1
L
译[公式1]译(a+bi)2＝n12×(1-W/P)+n22×W/P
M
[公式2]译(c+di)2＝n12×n22/((1-W/P)×n22+W×n12/P)
N
其中，i为虚数
O
n1表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率
P
n2表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率
Q
W表示所述凸出部的宽度
R
P表示所述凸出部的间距。
权利要求 2
S
其中，所述介电材料相对于波长为译250nm至350nm的光的折射率为1至3。
权利要求 3
T
其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10。
权利要求 4
U
其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10。
权利要求 5
V
其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种。
权利要求 6
W
由公式3计算的D为0.67至0.98
X
[公式3]译D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)
Y
其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率
Z
Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至译350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率。