对比文件名称：2003-04-03_US2003061985A_发明申请_US20030061985A1 Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括含有硅熔体的坩埚《直接公开》 | [0057]“晶体提拉装置8包括熔融石英坩埚12，被石墨感应器14包围，并容纳在水冷不锈钢生长室16内。坩埚12容纳多晶硅熔体17。” | 对比文件明确公开了坩埚（12）容纳硅熔体（17），与目标专利的坩埚含有硅熔体技术特征相同，且作用相同，均为晶体生长提供硅熔体，因此直接公开。 |
| 特征B：提拉装置《直接公开》 | [0058]“晶体提拉轴或线22支撑头1在硅熔体17上方。” 以及[0103]“提拉线22使用单晶籽晶26和籽晶卡盘24将籽晶降到熔体表面。” | 对比文件公开了提拉轴或线（22）作为提拉装置，用于提拉晶锭，与目标专利的提拉装置相同，因此直接公开。 |
| 特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭《直接公开》 | [0103]“提拉线22随后撤回，将籽晶26从熔融硅17中取出。随着籽晶取出，液态硅从熔体凝固在籽晶上形成单晶。提拉线22连续撤回，旋转，形成大致圆柱形晶体33。” | 对比文件明确描述了提拉装置（提拉线22）提拉从硅熔体生长的单晶晶锭，与目标专利特征相同，因此直接公开。 |
| 特征D：掺杂剂供给单元《直接公开》 | [0054]“掺杂剂进料器包括头1，头1包括壳2和腔室3用于容纳掺杂剂。头1适应于在头浸没到熔体后释放掺杂剂到熔体，从而掺杂熔体。” | 对比文件公开了掺杂剂进料器（dopant feeder）作为掺杂剂供给单元，用于向熔体提供掺杂剂，与目标专利的掺杂剂供给单元相同，因此直接公开。 |
| 特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置《直接公开》 | [0058]“晶体提拉轴或线22支撑头1在硅熔体17上方。” 以及“优选地，在提拉轴/线22和头1之间是籽晶卡盘24和单晶硅籽晶26。” | 对比文件公开了头1（掺杂剂供给单元）被提拉轴或线22支撑，即与提拉装置相邻布置，因此直接公开。 |
| 特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂《直接公开》 | [0054]“掺杂剂进料器...适应于释放掺杂剂到熔体，从而掺杂熔体。” 以及[0103]“然后生长晶锭。” | 对比文件公开了掺杂剂供给单元用于向熔体引入掺杂剂，随后晶锭从掺杂熔体中生长，因此该供给单元用于晶锭生长期间（掺杂剂在生长过程中发挥作用），因此直接公开。 |
| 特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具《直接公开》 | [0058]“籽晶卡盘24和单晶硅籽晶26。” | 对比文件明确公开了籽晶卡盘（seed-chuck）作为晶种夹具，用于夹持晶种，与目标专利的晶种夹具相同，因此直接公开。 |
| 特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合《隐含公开》 | [0058]“优选地，在提拉轴/线22和头1之间是籽晶卡盘24和单晶硅籽晶26。” 以及[0058]“头1被降低到硅熔体...” | 对比文件公开了头1（掺杂剂供给单元）通过籽晶26与籽晶卡盘24连接，籽晶卡盘位于头1上方，两者在提拉装置上相邻设置。虽然未明确说明“组合”，但本领域技术人员可合理推断头1与籽晶卡盘结合使用，共同参与晶锭生长，因此隐含公开。 |
| 特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁《未公开》 | 无 | 对比文件未公开环绕晶种的外壁结构；头1位于籽晶下方，并非环绕晶种，且未提及任何围绕晶种的外壁，因此未公开。 |
| 特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部《未公开》 | 无 | 对比文件未公开从外壁以预定角度延伸的容纳部；其腔室为头内部空间，不涉及从外壁延伸的结构，因此未公开。 |
| 特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中《未公开》 | 无 | 对比文件未公开目标专利限定的容纳部结构，因此无法在此基础上公开掺杂剂被容纳在该容纳部中；虽然对比文件公开了腔室容纳掺杂剂，但结构不同，故未公开。 |
| 特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂《隐含公开》 | [0054]“掺杂剂进料器...释放掺杂剂（如砷颗粒）到熔体。” 以及[0106]“整个晶锭砷浓度至少约2.24×10^19原子/cm^3。” | 对比文件公开的掺杂剂供给单元释放纯掺杂剂（如砷颗粒）进入熔体，纯掺杂剂的浓度必然远高于硅熔体中已存在的掺杂剂浓度。本领域技术人员可合理推断，供给单元提供的掺杂剂浓度高于硅熔体中的浓度，因此隐含公开。 |
| 特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm^3至1×10^19原子/cm^3的掺杂剂《未公开》 | 无 | 对比文件仅提及晶锭中砷浓度至少2.24×10^19原子/cm^3，但未公开供给单元提供的掺杂剂浓度范围，尤其是下限1×10^16原子/cm^3未提及，因此未公开。 |
| 特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm^3至1×10^18原子/cm^3的掺杂剂《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该具体浓度范围，因此未公开。 |
| 特征O：其中，所述容纳部包括通孔《未公开》 | 无 | 对比文件未公开容纳部，也不存在通孔结构，因此未公开。 |
| 特征P：颈部穿透所述通孔《未公开》 | 无 | 对比文件未公开通孔及颈部穿透通孔的结构，因此未公开。 |
| 特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置《直接公开》 | [0058]“晶体提拉轴或线22支撑头1在硅熔体17上方。” | 对比文件明确公开了头1（掺杂剂供给单元）被提拉轴或线支撑，即固定至提拉装置，因此直接公开。 |
| 特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼《未公开》 | 无 | 对比文件全文涉及砷掺杂，未提及磷或硼作为掺杂剂，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<Q>>><<<h>>><<<l>>>