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对比文件列表
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx
2026-07-29 11:01
1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx
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1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_Q_l_r+++.docx
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2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_O_f_i+++.docx
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2002-08-09_JP2002220297A_发明专利_JP2002220297A Seed crystal and method of producing silicon single crystal using the same_+++A_B_C_G+++.docx
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2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_L_R_e+++.docx
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2003-04-03_US2003061985A_发明申请_US20030061985A1 Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder_+++A_B_C_D_E_F_G_Q_h_l+++.docx
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2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof_+++A_B_C_D_E_G_H_L_Q_R+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx
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2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal_+++A_B_C_D_E_K_Q_R_g_l+++.docx
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2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_R_l+++.docx
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2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same_+++A_B_C_D_F_R_g_l+++.docx
2026-07-29 11:01
2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_Q_R+++.docx
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2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_O_Q_R_l+++.docx
2026-07-29 11:01
1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx

对比文件名称:1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS

目标专利名称:1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B

模型名称:本次调用的模型为DeepSeek Chat

技术特征及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
A: 包括含有硅熔体的坩埚(直接公开)[p0020] “坩埚14容纳熔融材料12,例如硅。”对比文件明确公开了坩埚14含有硅熔体12,与特征A完全相同。
B: 提拉装置(直接公开)[p0020] “炉体、坩埚和晶体提拉装置具有常规结构”;[p0021] “杆20可以是用于在CZ法中升降晶种的同一杆。”对比文件公开了晶体提拉装置(crystal pulling apparatus)以及用于升降晶种的杆,这些构成提拉装置。
C: 所述提拉装置提拉从硅熔体生长的硅单晶晶锭(直接公开)[p0007] “晶种缓慢地从熔体提拉出来……硅在晶种上凝固产生更大的圆柱形硅晶体,称为晶锭。”CZ法提拉装置从熔体提拉生长晶锭,对比文件描述了该过程,直接公开。
D: 掺杂剂供给单元(直接公开)[p0021]-[p0022] 描述钟罩18、篮子28、挡板30等构成的掺杂装置,用于供给掺杂剂。对比文件公开了完整的掺杂剂供给单元,包括钟罩、篮子等,用于提供掺杂剂。
E: 所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置(直接公开)[p0021] “钟罩18通过杆20悬挂……杆20可以是用于升降晶种的同一杆。”钟罩通过杆20悬挂,杆20是提拉装置的一部分,因此掺杂剂供给单元与提拉装置相邻布置(直接连接)。
F: 用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂(直接公开)[p0007] 描述晶体生长过程;[p0022] “通过调节篮子的高度,可以控制掺杂剂的蒸发速率”;钟罩在生长过程中持续悬挂。对比文件的方法中,掺杂剂在晶体生长期间通过蒸发持续供给熔体,并进入晶锭,因此直接公开。
G: 其中,所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具(隐含公开)未明确提及,但CZ法必需有晶种夹具。本领域技术人员已知,在CZ法中提拉装置必然包括夹持晶种的晶种夹具,对比文件虽未明确描述,但隐含公开该特征。
H: 所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合(未公开)对比文件未公开此种组合关系。对比文件中的钟罩与晶种夹具没有直接组合或固定关系,且未教导该组合。
I: 所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁(未公开)对比文件中的钟罩不环绕晶种。钟罩开口向下位于熔体上方,晶种从钟罩外部或内部进入熔体,但未教导环绕晶种的外壁。
J: 以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部(未公开)对比文件中的篮子28从顶部悬挂,并非从外壁向内延伸。对比文件没有公开从外壁向内延伸的容纳部结构。
K: 所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中(未公开)依赖于特征J,未公开。由于特征J未公开,对应的容纳部不存在,因此特征K未被公开。
L: 其中,所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂(直接公开)[p0022] 掺杂剂26如砷,是纯掺杂剂,浓度远高于熔体中的浓度。对比文件供给的掺杂剂为纯物质,其浓度必然高于熔体中的掺杂剂浓度,因此直接公开。
M: 浓度范围为1×10^16至1×10^19原子/cm^3(未公开)对比文件未提及任何浓度数值。对比文件没有公开具体的浓度范围。
N: 浓度范围为1×10^17至1×10^18原子/cm^3(未公开)同上。对比文件没有公开该更窄的浓度范围。
O: 其中,所述容纳部包括通孔(未公开)对比文件未公开容纳部通孔。对比文件无通孔结构。
P: 颈部穿透所述通孔(未公开)未公开通孔,故无穿透。对比文件未公开颈部穿透通孔的结构。
Q: 其中,所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置(直接公开)[p0021] “钟罩18通过杆20悬挂……杆20可以是用于升降晶种的同一杆。”钟罩通过杆20悬挂,杆20属于提拉装置,因此掺杂剂供给单元被固定至提拉装置。
R: 其中,通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼(直接公开)[p0028] “其他可用的掺杂剂包括掺杂剂如红磷。”对比文件明确公开了红磷作为掺杂剂,磷属于特征R中的掺杂剂,因此直接公开。

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