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对比文件列表
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx
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1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx
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1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_Q_l_r+++.docx
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2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_O_f_i+++.docx
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2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_L_R_e+++.docx
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2003-04-03_US2003061985A_发明申请_US20030061985A1 Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder_+++A_B_C_D_E_F_G_Q_h_l+++.docx
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2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof_+++A_B_C_D_E_G_H_L_Q_R+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx
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2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal_+++A_B_C_D_E_K_Q_R_g_l+++.docx
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2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_R_l+++.docx
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2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same_+++A_B_C_D_F_R_g_l+++.docx
2026-07-29 11:01
2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_Q_R+++.docx
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2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_O_Q_R_l+++.docx
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2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_O_f_i+++.docx

对比文件的名称:2001-02-21_CN1285009A_发明公开_CN1285009A 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置

目标专利的名称:1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B

本次调用的模型名称:AI助手

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括含有硅熔体的坩埚 《直接公开》“生长室1内是一个坩埚5,源材料如多晶硅片在该坩埚5中熔化”对比文件明确公开了坩埚内含有硅熔体(多晶硅熔化形成),因此直接公开特征A。
技术特征B:提拉装置 《直接公开》“提拉室,它在生长室上方,用于从坩埚内的熔体中提拉晶体” “拉晶工具作为一个整体用标号13表示,并包括一根细长的轴或杆件15” “绞盘和缆索构成的装置用于在其下端处升降带籽晶的杆件15”对比文件公开了拉晶工具及其升降装置,构成提拉装置,直接公开特征B。
技术特征C:提拉装置提拉从硅熔体生长的硅单晶晶锭 《直接公开》“用于通过众所周知的直拉(CZ)法生产硅单晶” “用于生产掺杂的晶体C” “然后升降杆件15(和关闭的料斗)用于生产掺杂的晶体C”对比文件直接公开了通过拉晶工具提拉硅单晶晶锭,故直接公开特征C。
技术特征D:掺杂剂供给单元 《直接公开》“一个料斗,用于装流体形式的掺杂剂,供将掺杂剂填充料向下输送到坩埚内的熔体中” (权利要求1)对比文件公开了料斗作为掺杂剂供给单元,用于向熔体输送掺杂剂,直接公开特征D。
技术特征E:掺杂剂供给单元与提拉装置相邻布置 《直接公开》“料斗61由拉晶工具13携带,用于与该提拉工具一起上下移动” “料斗安装在该杆件上用于相对杆件上下滑动” “料斗的圆筒形壁63包围杆件15”对比文件明确料斗安装在拉晶工具的杆件上,与提拉装置相邻,直接公开特征E。
技术特征F:用于在晶锭的生长期间供给掺杂剂 《隐含公开》“当降落带籽晶的拉晶工具,用于将籽晶降落到熔体中,以便进行将掺杂剂向下输送到熔体中时,该封闭件就打开” “在晶体生长操作开始时降落杆件的过程中,...将掺杂剂向下输送到熔体中”对比文件公开了在晶体生长操作开始时(籽晶降落阶段)将掺杂剂加入熔体,虽未在生长过程中持续供给,但熔体在生长期间含有掺杂剂,且供给发生在工艺初始阶段,本领域技术人员可合理推断该供给用于生长期间掺杂,故隐含公开特征F。
技术特征G:提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 《直接公开》“籽晶夹持器21,比如一常用的籽晶卡盘,在夹持器21的下端处,用于夹持籽晶23”对比文件明确公开了籽晶夹持器,直接公开特征G。
技术特征H:掺杂剂供给单元与晶种夹具组合 《直接公开》“从料斗61底部向下延伸的细长管状延伸件,此延伸件具有一放大的下端93,该放大的下端93在杆件的下端处包围籽晶夹持器21”对比文件公开了料斗通过管状延伸件与籽晶夹持器组合在一起,直接公开特征H。
技术特征I:掺杂剂供给单元包括环绕晶种的外壁 《隐含公开》“从料斗61底部向下延伸的细长管状延伸件,此延伸件具有一放大的下端93,该放大的下端93在杆件的下端处包围籽晶夹持器21”对比文件公开了管状延伸件包围籽晶夹持器,而晶种由夹持器夹持,故该延伸件实质上环绕了晶种,本领域技术人员可合理推断掺杂剂供给单元具有环绕晶种的外壁,故隐含公开特征I。
技术特征J:以预定的角度从外壁向内部延伸的容纳部 未公开对比文件未公开此结构。料斗的底部为水平,壁为垂直,没有从外壁向内倾斜延伸的容纳部。对比文件的料斗结构为圆筒形壁和水平底部,没有预定角度从外壁向内延伸的容纳部,也未给出任何暗示,故未公开特征J。
技术特征K:掺杂剂被容纳在容纳部中 《直接公开》“掺杂剂填充料83,比如,粒状锑,保持在料斗中” “在料斗中掺杂剂的填充料”对比文件明确掺杂剂被容纳在料斗(容纳部)中,直接公开特征K。
技术特征L:掺杂剂供给单元提供浓度高于硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂 《直接公开》对比文件使用粒状锑作为掺杂剂,其本身为纯掺杂剂,浓度远高于熔体中的掺杂浓度。本领域技术人员公知,粒状锑为纯掺杂剂,其掺杂剂浓度远高于硅熔体中的浓度,因此对比文件直接公开了提供更高浓度掺杂剂的特征L。
技术特征M:掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm³至1×10^19原子/cm³的掺杂剂 未公开对比文件未公开任何浓度范围。对比文件未提及掺杂剂的具体浓度或浓度范围,故未公开特征M。
技术特征N:掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm³至1×10^18原子/cm³的掺杂剂 未公开对比文件未公开任何浓度范围。对比文件未提及具体浓度范围,故未公开特征N。
技术特征O:容纳部包括通孔 《直接公开》“在所述底65中有一中央口67,它构成料斗的卸料口”对比文件公开了料斗底部有卸料口(通孔),直接公开特征O。
技术特征P:颈部穿透所述通孔 未公开对比文件未公开颈部穿透通孔的结构。对比文件中的通孔(卸料口)用于卸出掺杂剂,晶锭(晶体)从籽晶生长,不会穿过该通孔,故未公开特征P。
技术特征Q:掺杂剂供给单元被固定至提拉装置 未公开对比文件公开料斗可滑动地安装在杆件上:“料斗安装在该杆件上用于相对杆件上下滑动”对比文件明确料斗可相对杆件滑动,而非固定连接,故未公开特征Q。
技术特征R:通过掺杂剂供给单元在晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼 未公开对比文件使用锑作为掺杂剂:“用粒状锑” “用锑作为掺杂剂”。对比文件明确掺杂剂为锑,而非磷或硼,故未公开特征R。

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