### 对比文件名称
2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal
### 目标专利名称
1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
### 本次调用的模型名称
AI模型（大型语言模型）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括含有硅熔体的坩埚《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“坩埚31使作为半导体晶片原料的多晶硅熔化，形成硅熔液。” | 对比文件明确公开了坩埚31用于容纳硅熔体，与目标专利中的坩埚作用相同，均用于提供晶锭生长的熔体，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| B：提拉装置《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“提拉部33配置在坩埚31的上方，用于安装籽晶或掺杂装置2。提拉部33被构造成可旋转。” | 对比文件公开了提拉部33作为提拉装置，用于在晶体生长过程中提拉晶锭，与目标专利的提拉装置功能完全相同，因此直接公开。 |
| C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“当气体溶解到熔液中后，从提拉装置1的提拉部33拆下掺杂装置2，将籽晶安装到提拉部33上。然后，开始提拉生长晶体。” | 对比文件明确记载了提拉装置用于提拉从硅熔体生长的硅单晶晶锭，直接公开了该特征。 |
| D：掺杂剂供给单元《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“掺杂装置2用于使固态掺杂剂挥发，并掺杂到坩埚31内的硅熔液中。” | 对比文件公开了掺杂装置2作为掺杂剂供给单元，向熔体提供掺杂剂，与目标专利的掺杂剂供给单元作用相同，直接公开。 |
| E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“在外管21的上表面部211上设置有从上面部211向上突出的支撑部24，通过将该支撑部24安装到提拉装置1的提拉部33上，外管21被保持在提拉装置1上。” | 对比文件公开了掺杂装置通过支撑部安装到提拉部，从而与提拉装置相邻布置，直接公开了该特征。 |
| F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂《未公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“当气体溶解到熔液中后，从提拉装置1的提拉部33拆下掺杂装置2，将籽晶安装到提拉部33上。然后，开始提拉生长晶体。” | 对比文件中的掺杂过程在晶体生长开始之前完成，掺杂装置在生长前被移除，并非在晶锭生长期间供给掺杂剂。目标专利强调在颈部形成期间供给掺杂剂，对比文件未涉及此内容，本领域技术人员无法直接或隐含得出该特征。 |
| G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具《隐含公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“提拉部33配置在坩埚31的上方，用于安装籽晶或掺杂装置2。”但未明确描述晶种夹具的具体结构。 | 本领域技术人员公知，提拉装置通常包括夹持晶种的夹具，对比文件提拉部安装籽晶必然需要夹持装置，因此可以合理推断提拉装置包括晶种夹具，该特征被隐含公开。 |
| H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合《未公开》 | 对比文件未公开晶种夹具，也未公开掺杂装置与晶种夹具的组合关系。 | 对比文件没有公开晶种夹具，且掺杂装置安装到提拉部，但未明确与晶种夹具组合。目标专利中掺杂剂供给单元固定到晶种夹具，对比文件未公开此具体连接关系，因此未公开。 |
| I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁《未公开》 | 对比文件第一实施形态中，外管21环绕内管22，但未环绕晶种。 | 对比文件中的掺杂装置在晶体生长前使用，晶种尚未安装，其外管并非用于环绕晶种。目标专利的外壁直接环绕晶种以在颈部形成时供给掺杂剂，对比文件无此结构，因此未公开。 |
| J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部《未公开》 | 对比文件收容部221为圆柱形，位于内管，并非从外壁延伸。 | 对比文件没有从外壁向内延伸的容纳部，其收容部是内管的一部分，结构不同，因此未公开。 |
| K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“收容部221是容纳固态掺杂剂的部分，呈中空圆柱形状。” | 对比文件明确公开了收容部221（相当于容纳部）用于容纳固态掺杂剂，功能相同，因此直接公开。 |
| L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂《隐含公开》 | 对比文件公开了使用固态掺杂剂，但未明确浓度比较。 | 本领域技术人员可以理解，固态掺杂剂纯度高，其提供的掺杂剂浓度必然高于硅熔体中的初始浓度（熔体初始无掺杂或浓度较低），因此该特征可以被合理推断出来，属于隐含公开。 |
| M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm3至1×10^19原子/cm3的掺杂剂《未公开》 | 对比文件未提及任何浓度数值。 | 对比文件没有公开具体的掺杂剂浓度范围，本领域技术人员不能从对比文件得出该范围，因此未公开。 |
| N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm3至1×10^18原子/cm3的掺杂剂《未公开》 | 对比文件未提及任何浓度数值。 | 对比文件未公开该浓度范围，因此未公开。 |
| O：其中，所述容纳部包括通孔《未公开》 | 对比文件收容部底面部有开口，但该开口为气体出口，并非用于颈部穿过的通孔。 | 目标专利的通孔是让颈部穿过，对比文件的开口是气体排出，结构及功能不同，因此未公开。 |
| P：颈部穿透所述通孔《未公开》 | 对比文件未涉及颈部穿透通孔。 | 对比文件没有颈部穿透通孔的结构，因此未公开。 |
| Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置《直接公开》 | 同特征E引用，掺杂装置通过支撑部安装到提拉部。 | 对比文件明确公开了掺杂装置固定到提拉装置，因此直接公开。 |
| R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼《直接公开》 | 对比文件第一实施形态部分记载：“作为掺杂剂，例如可以举出红磷、砷等。” | 对比文件公开了使用红磷（磷）作为掺杂剂，磷为目标专利权要求之一，因此直接公开（硼虽未公开，但满足选择）。 |
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