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对比文件列表
1991-11-13_CN1056135A_发明公开_CN1056135A 单晶硅生产设备_+++A_B_C_D_F_R_g+++.docx
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1998-08-13_WO1998035074A_发明申请_WO98035074A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING CRYSTALS_+++A_B_C_D_E_F_L_Q_R_g+++.docx
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1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_Q_l_r+++.docx
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2002-09-11_JP2002255684A_发明专利_JP2002255684A Manufacturing method of silicone monocrystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_L_R_e+++.docx
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2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof_+++A_B_C_D_E_G_H_L_Q_R+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx
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2008-04-17_JP2008087981A_发明专利_JP2008087981A Method for injecting dopant and n-type silicon single crystal_+++A_B_C_D_E_K_Q_R_g_l+++.docx
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2008-11-06_JP2008266093A_发明专利_JP2008266093A Method and apparatus for producing silicon single crystal and silicon single crystal ingot_+++A_B_C_D_F_G_R_l+++.docx
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2009-11-26_JP2009274916A_发明专利_JP2009274916A Silicon single crystal and production method of the same_+++A_B_C_D_F_R_g_l+++.docx
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2010-11-25_US2010294999A_发明申请_US20100294999A1 PRODUCING METHOD AND APPARATUS OF SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_Q_R+++.docx
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2011-08-02_KR1020110086976A_发明公开_KR1020110086976A 단결정 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_O_Q_R_l+++.docx
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2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant_+++A_B_C_D_E_G_H_K_L_Q_R+++.docx

对比文件名称:2004-05-13_JP2004137140A_发明专利_JP2004137140A Silicon single crystal growth equipment and injection method of low melting point dopant

目标专利名称:1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B

本次调用的模型名称:AI语言模型

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
特征A:包括含有硅熔体的坩埚 《直接公开》【0010】“多結晶シリコンを積載・溶融する石英ルツボ10と、前記石英ルツボに溶融している溶融シリコンからシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶リフター40とを含む”(翻译:包括装载、熔化多晶硅的石英坩埚10,以及从熔融在石英坩埚中的熔融硅提拉硅单晶的硅单晶提拉器40)对比文件明确公开了石英坩埚和其中的熔融硅,因此直接公开。
特征B:提拉装置 《直接公开》同上公开了硅单晶提拉器40,即提拉装置。
特征C:提拉装置提拉从硅熔体生长的硅单晶晶锭 《直接公开》同上公开了从熔融硅提拉硅单晶,即提拉晶锭。
特征D:掺杂剂供给单元 《直接公开》【0010】“低融点ドーパント注入管100を含む”(翻译:包括低熔点掺杂剂注入管100)公开了低熔点掺杂剂注入管,相当于掺杂剂供给单元。
特征E:掺杂剂供给单元与提拉装置相邻布置 《直接公开》【0016】“低融点ドーパント注入管100には、シリコン単結晶リフター40のシードチャック41に結合する結合部104が形成されており”(翻译:低熔点掺杂剂注入管100形成有结合部104,该结合部结合到硅单晶提拉器40的seed chuck41)注入管通过结合部与提拉装置的seed chuck结合,因此与提拉装置相邻布置。
特征F:用于在晶锭的生长期间供给掺杂剂 (未公开)【0023】“多結晶シリコンを石英ルツボ10に積載し、溶融させた後、シードディッピング工程の前に、…低融点ドーパントDを溶融シリコンSにドープさせる”(翻译:在将多晶硅装载到石英坩埚10并熔化后,在种子浸入工序之前,将低熔点掺杂剂D掺杂到熔融硅S中)对比文件明确在生长开始前(种子浸入前)进行掺杂,而非晶锭生长期间,因此未公开。
特征G:提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 《直接公开》【0016】“シードチャック41”(翻译:seed chuck)公开了seed chuck作为晶种夹具。
特征H:掺杂剂供给单元与晶种夹具组合 《直接公开》【0016】“低融点ドーパント注入管100の結合部104は、シードチャック41に結合・分離される”(翻译:低熔点掺杂剂注入管100的结合部104可结合到seed chuck41并可分离)注入管通过结合部与seed chuck结合,因此组合。
特征I:掺杂剂供给单元包括环绕晶种的外壁 (未公开)对比文件图1、图5及说明书相关描述对比文件的注入管有侧壁,但并非环绕晶种,且晶种在生长阶段才安装,注入管已移除,因此未公开。
特征J:以预定的角度从外壁向内部延伸的容纳部 (未公开)对比文件图1、图5对比文件无此结构,注入管为整体容器,没有从外壁向内延伸的容纳部。
特征K:掺杂剂被容纳在容纳部中 《直接公开》【0011】“低融点ドーパントDを、低融点ドーパント注入管100内に積載し”(翻译:将低熔点掺杂剂D装载在低熔点掺杂剂注入管100内)公开了掺杂剂被容纳在注入管内部。
特征L:提供浓度高于硅熔体中的掺杂剂浓度的掺杂剂 《直接公开》【0011】“高濃度で注入する”(翻译:高浓度注入)对比文件针对高浓度掺杂,提供的掺杂剂为纯或高浓度,其浓度必然高于熔体中的浓度。
特征M:提供浓度范围为1×10^16至1×10^19原子/cm3 (未公开)无对比文件未公开具体浓度范围。
特征N:提供浓度范围为1×10^17至1×10^18原子/cm3 (未公开)无对比文件未公开具体浓度范围。
特征O:容纳部包括通孔 (未公开)【0010】“下部に格子状の下部網103”(翻译:下部形成格子状下部网)对比文件下部为网格,并非通孔,且作用不同。
特征P:颈部穿透通孔 (未公开)无对比文件无颈部穿透通孔的结构。
特征Q:掺杂剂供给单元被固定至提拉装置 《直接公开》【0016】“低融点ドーパント注入管100をシリコン単結晶リフター40のシードチャック41に結合させ”(翻译:将低熔点掺杂剂注入管100结合到硅单晶提拉器40的seed chuck41)注入管固定到提拉装置的seed chuck。
特征R:掺杂剂为磷或硼 《直接公开》【0003】“赤リン(593℃)”(翻译:红磷(593℃))对比文件公开了红磷作为掺杂剂,磷是特征R中的一种,因此直接公开。

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