对比文件名称：2008-08-14_JP2008532221A_发明专利_JP2008532221A Secondary battery lithium ion mobility and battery capacity has been improved
目标专利名称：1777具有增强的功率密度特性的高输出锂二次电池CN103503204B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含正极（直接公开） | 对比文件记载：“カソードは、例えば、上記のカソード活性材料、導電性材料及び結合剤の混合物をカソード集電装置に塗布し、続いて乾燥させることにより、製造する。”以及“本発明のリチウム二次バッテリーは、カソード、アノード、セパレータ、及びリチウム塩を含む非水性電解質を備えてなる”。 | 对比文件明确公开了锂二次电池包含正极，与目标专利技术特征A相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：正极包含由下式1表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式2表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料（直接公开） | 对比文件公开了式I～IV，并列举了多种组合，例如“活性材料（Ａ）ＬｉＭｎ２Ｏ４ 活性材料（Ｂ）ＬｉＮｉ１／３Ｍｎ１／３Ｃｏ１／３Ｏ２”。其中LiMn2O4为尖晶石结构（式IV），LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2为层状结构（式II/III）。 | 对比文件明确公开了正极活性材料包含层状结构（如LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2）和尖晶石结构（如LiMn2O4）的组合，符合技术特征B的要求，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量，所述第二正极活性材料的量为40重量%～100重量%（未公开） | 对比文件没有明确公开第二正极活性材料（尖晶石）的具体含量范围。在列举的组合中未指定比例，具体例子（例9）中尖晶石含量为30%，一般性描述中提及“活性材料のどちらかの含有量は、活性材料の総重量に対して１５〜５０％でよい”，该范围与40-100%不重叠，且未针对尖晶石限定。 | 对比文件未公开第二正极活性材料占正极活性材料总重量40-100%的技术特征，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得到该比例范围，因此未公开。 |
| 技术特征D：负极（直接公开） | 对比文件记载：“アノードは、アノード活性材料をアノード集電装置に塗布し、続いて乾燥させることにより、製造される。”以及“本発明のリチウム二次バッテリーは、カソード、アノード、セパレータ、及びリチウム塩を含む非水性電解質を備えてなる”。 | 对比文件明确公开了锂二次电池包含负极，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述负极包含具有300mAh/g以上容量的无定形碳（未公开） | 对比文件提到アノード活性材料の例として“グラファイト化されていない炭素”（非石墨化碳，即无定形碳）以及“グラファイト系炭素”等，但未提及该无定形碳的容量值，更没有公开其容量为300mAh/g以上。 | 对比文件虽然公开了无定形碳可作为负极活性材料，但未公开其容量要求，本领域技术人员不能从对比文件得到该无定形碳具有300mAh/g以上容量的技术特征，因此未公开。 |
| 技术特征F：隔膜（直接公开） | 对比文件记载：“カソードとアノードとの間には、セパレータを配置する。セパレータとしては、高いイオン透過性及び機械的強度を有する絶縁性の薄いフィルムを使用する。” | 对比文件明确公开了锂二次电池包含隔膜，因此直接公开。 |
| 技术特征G：Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)（隐含公开） | 对比文件公开了式II：Li1+xNi1-y-zMyM'zO2Aa，以及具体化合物LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2。该具体化合物满足式1（v=1/3, w=1/3, y=1/3, z=0, x=1, t=0, A=0）。 | 对比文件虽然未直接写出与式1完全相同的化学式，但公开了落入式1范围内的具体化合物LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2，本领域技术人员可以毫无疑义地确定该化合物属于式1所定义的层状结构锂过渡金属氧化物，因此技术特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：其中0.8＜x≤1.3，0≤v≤0.9，0≤w≤0.9，0≤y≤0.9，0≤z≤0.9，x+v+w+y+z＝2，且0≤t＜0.2（隐含公开） | 对比文件公开了具体化合物LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2，其x=1, v=1/3, w=1/3, y=1/3, z=0, t=0，满足所述参数范围。 | 对比文件通过具体化合物公开了满足该参数范围的技术方案，本领域技术人员可以合理推断出该化合物符合所述参数条件，因此技术特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：M是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子（直接公开） | 对比文件式II中M和M'定义为“第一列遷移金属、例えばＮｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＺｎまたはＶ、Ａｌ、またはＭｇ”，这些金属阳离子通常具有+2～+4氧化数。 | 对比文件直接公开了M为第一列过渡金属或Al、Mg等，这些金属的阳离子氧化数在+2～+4范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征J：A为单价或二价阴离子（直接公开） | 对比文件式II中A定义为“６Ａ族または７Ａ族の元素、例えばＳ、Ｓｅ、Ｆ、ＣｌまたはＩ”，这些元素形成的阴离子通常为单价或二价。 | 对比文件直接公开了A为6A或7A族元素，如S、F、Cl等，这些是单价或二价阴离子，因此直接公开。 |
| 技术特征K：LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2)（隐含公开） | 对比文件公开了式IV：Li1+xMn2-yMyO4Aa，以及具体化合物LiMn2O4（a=1, b=0, c=0）。该具体化合物满足式2。 | 对比文件虽然未直接写出与式2完全相同的化学式，但公开了落入式2范围内的具体化合物LiMn2O4，本领域技术人员可以确定该化合物属于式2所定义的尖晶石结构锂锰氧化物，因此技术特征K被隐含公开。 |
| 技术特征L：其中0.8＜a≤1.3，0≤b≤0.5，且0≤c≤0.3（隐含公开） | 对比文件公开了具体化合物LiMn2O4，其a=1, b=0, c=0，满足所述参数范围。 | 对比文件通过具体化合物公开了满足该参数范围的技术方案，因此技术特征L被隐含公开。 |
| 技术特征M：M'是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子（直接公开） | 对比文件式IV中M定义为“第一列遷移金属、例えばＮｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＺｎまたはＶ、Ａｌ、またはＭｇ”，这些金属阳离子通常具有+2～+4氧化数。 | 直接公开。 |
| 技术特征N：A'为单价或二价阴离子（直接公开） | 对比文件式IV中A定义为“６Ａ族または７Ａ族の元素、例えばＳ、Ｓｅ、Ｆ、ＣｌまたはＩ”，这些元素形成的阴离子通常为单价或二价。 | 直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述无定形碳为第一种碳和第二种碳的混合物（未公开） | 对比文件仅提到アノード活性材料として“グラファイト化されていない炭素”和“グラファイト系炭素”，未提及两种无定形碳的混合物，更未提及第一种碳和第二种碳的区分。 | 对比文件未公开该技术特征。 |
| 技术特征P：所述第一种碳相对于容量具有0.01m2/mAh～0.031m2/mAh的比表面积（未公开） | 对比文件未提及任何关于无定形碳的比表面积参数，更未提及相对于容量。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：所述第二种碳相对于容量具有0.0035m2/mAh～0.017m2/mAh的比表面积（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-3S/cm以上且小于10×10-3S/cm的粉末电导率（未公开） | 对比文件未提及正极活性材料的粉末密度和粉末电导率参数。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-5S/cm以上且小于10×10-5S/cm的粉末电导率（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一种碳在1.0g/cc～1.2g/cc的粉末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率（未公开） | 对比文件未提及碳的粉末密度和电导率参数。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二种碳在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm/mAh～0.1μm/mAh的平均粒径（未公开） | 对比文件虽提及活性材料粒径（如20μm、5μm），但未提及相对于容量的平均粒径，且未给出容量数据。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm/mAh～0.2μm/mAh的平均粒径（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中在式1中，M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种（直接公开） | 对比文件式II中M和M'可包括Al、Mg、Ti（第一列过渡金属包括Ti，且明确列出Al、Mg）。 | 直接公开。 |
| 技术特征Y：在式2中，M'为选自Co、Ni、Al、Mg和Ti中的至少一种（直接公开） | 对比文件式IV中M可包括Co、Ni、Al、Mg、Ti（第一列过渡金属包括Co、Ni、Ti，且明确列出Al、Mg）。 | 直接公开。 |
| 技术特征Z：其中在式1和2中，A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种（直接公开） | 对比文件式II和IV中A定义为“６Ａ族または７Ａ族の元素、例えばＳ、Ｓｅ、Ｆ、ＣｌまたはＩ”，即包括卤素和S。 | 对比文件直接公开了A和A'可为卤素（如F、Cl、I）或S，这些属于技术特征Z所列范围，因此技术特征Z被直接公开。 |
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