对比文件名称：2004-04-15_JP2004119165A_发明专利_JP2004119165A Rechargeable apparatus and charging stand
目标专利名称：1777具有增强的功率密度特性的高输出锂二次电池CN103503204B
本次调用的模型名称：GPT-4
特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含正极（隐含公开） | 【0003】“充電池を内蔵した掃除機本体（充電機器）を載置し、この掃除機本体の充電池を充電するものである。”（翻译：放置内置有充电电池的吸尘器主体（充电设备），并充电该吸尘器主体的充电电池。） | 对比文件公开了“充电池”，而任何充电电池均包含正极，本领域技术人员由对比文件公开的充电池内容可以合理推断出技术特征A，因此隐含公开。 |
| 技术特征B：所述正极包含由下式1表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式2表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料（未公开） | 【0001】“本発明は有接点式の充電台に関するものであり、特に、プラグによって充電機器に対して電気的に接続される充電台に関するものである。”（翻译：本发明涉及有触点式充电台，特别涉及通过插头与充电设备电连接的充电台。） | 对比文件涉及充电台，未公开任何正极活性材料，也未公开正极的组成和结构，因此未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量，所述第二正极活性材料的量为40重量％～100重量％（未公开） | 同上【0001】 | 对比文件未公开正极活性材料及其含量，因此未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：负极（隐含公开） | 【0003】同上 | 对比文件公开了充电池，而充电池必然包含负极，本领域技术人员可以合理推断出技术特征D，因此隐含公开。 |
| 技术特征E：所述负极包含具有300mAh/g以上容量的无定形碳（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开负极活性材料的具体类型和容量，因此未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：隔膜（隐含公开） | 【0003】 | 对比文件公开了充电池，而充电池通常包含隔膜，本领域技术人员可以合理推断出技术特征F，因此隐含公开。 |
| 技术特征G：Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开任何化学式，因此未公开技术特征G。 |
| 技术特征H：其中0.8＜x≤1.3，0≤v≤0.9，0≤w≤0.9，0≤y≤0.9，0≤z≤0.9，x+v+w+y+z＝2，且0≤t＜0.2（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开任何化学式范围，因此未公开技术特征H。 |
| 技术特征I：M是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开M的定义，因此未公开技术特征I。 |
| 技术特征J：A为单价或二价阴离子（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开A的定义，因此未公开技术特征J。 |
| 技术特征K：LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2)（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开任何化学式，因此未公开技术特征K。 |
| 技术特征L：其中0.8＜a≤1.3，0≤b≤0.5，且0≤c≤0.3（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征L。 |
| 技术特征M：M'是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征M。 |
| 技术特征N：A'为单价或二价阴离子（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征N。 |
| 技术特征O：其中所述无定形碳为第一种碳和第二种碳的混合物（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开无定形碳及其混合物，因此未公开技术特征O。 |
| 技术特征P：所述第一种碳相对于容量具有0.01m2/mAh～0.031m2/mAh的比表面积（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开任何碳的比表面积，因此未公开技术特征P。 |
| 技术特征Q：所述第二种碳相对于容量具有0.0035m2/mAh～0.017m2/mAh的比表面积（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征Q。 |
| 技术特征R：其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-3S/cm以上且小于10×10-3S/cm的粉末电导率（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开正极活性材料的粉末电导率，因此未公开技术特征R。 |
| 技术特征S：其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-5S/cm以上且小于10×10-5S/cm的粉末电导率（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征S。 |
| 技术特征T：其中所述第一种碳在1.0g/cc～1.2g/cc的粉末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开碳的粉末电导率，因此未公开技术特征T。 |
| 技术特征U：其中所述第二种碳在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征U。 |
| 技术特征V：其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm/mAh～0.1μm/mAh的平均粒径（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开正极活性材料的平均粒径，因此未公开技术特征V。 |
| 技术特征W：其中所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm/mAh～0.2μm/mAh的平均粒径（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征W。 |
| 技术特征X：其中在式1中，M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开M的选择，因此未公开技术特征X。 |
| 技术特征Y：在式2中，M'为选自Co、Ni、Al、Mg和Ti中的至少一种。（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征Y。 |
| 技术特征Z：其中在式1和2中，A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种。（未公开） | 【0001】 | 对比文件未公开，因此未公开技术特征Z。 |
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