对比文件名称：2005-05-10_US6891871B_发明授权_US06891871B1 Semiconductor light emitting device
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0055]：“a first contact layer 4 of n-GaN”（第一接触层4为n-GaN）；[0057]：“a first contact layer 4 of n-GaN”以及LED实施例[0096]：“an n-GaN contact layer 205”。 | 对比文件明确公开了作为第一导电半导体层的n-GaN层（例如第一接触层4或n-GaN接触层205），本领域技术人员能直接确定发光结构包含该层，因此直接公开。 |
| **特征B**：在所述第一导电半导体层上的有源层 **《直接公开》** | 对比文件[0055]：“an emission layer 7 having a multiple quantum well structure”（具有多量子阱结构的发射层7）；[0096]：“an MQW (multiple quantum well) active layer (emission layer) 206”（MQW有源层206）。 | 对比文件明确公开了有源层（发射层/有源层）位于第一导电半导体层（n-GaN）之上，因此直接公开。 |
| **特征C**：所述有源层上的第二导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0055]：“a second contact layer 9 of p-GaN”（第二接触层9为p-GaN）；[0096]：“a p-GaN contact layer 209”（p-GaN接触层209）。 | 对比文件明确公开了第二导电半导体层（p-GaN）位于有源层之上，因此直接公开。 |
| **特征D**：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 **《直接公开》** | 对比文件[0057]：“for forming an electrode forming surface 11 of the first contact layer 4”（用于形成第一接触层4的电极形成表面11）；[0098]：“A partial region between the p-GaN contact layer 209 and the n-GaN contact layer 205 is removed by etching, so that an n-side electrode 212 ... is formed on the upper surface of a prescribed region of the exposed n-GaN contact layer 205”（通过蚀刻移除p-GaN接触层209与n-GaN接触层205之间的部分区域，从而在暴露的n-GaN接触层205的预定区域上形成n侧电极212）。 | 对比文件通过台面蚀刻暴露第一导电半导体层（n-GaN）的顶表面以形成电极接触区域，与目标专利中的区域S作用相同，因此直接公开。 |
| **特征E**：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 **《直接公开》** | 对比文件[0098]：“A p-side translucent electrode 210 is formed on the upper surface of a prescribed region of the p-GaN contact layer 209”（p侧半透明电极210形成在p-GaN接触层209的预定区域的上表面上）。 | 对比文件明确公开了半透明电极（透射电极层）直接形成在第二导电半导体层（p-GaN）上，用于电流扩展，因此直接公开。 |
| **特征F**：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：“An SiNx film 12a (x is approximately 1) is formed on ... the electrode forming surface 11 excluding a region formed with an n-side electrode 132”（SiNx膜12a形成在……电极形成表面11（第一接触层4的顶表面）上，除了形成有n侧电极132的区域）；且该SiNx膜12a也覆盖第一接触层4的侧表面。 | 对比文件中的介电膜（SiNx膜12a）直接接触第一导电半导体层（第一接触层4）的顶表面和侧表面，并且该膜在对比文件中明确具有改善附着力的作用（[0061]：“the SiNx film 12a improves adhesion”），因此相当于目标专利中的粘附层，直接公开。 |
| **特征G**：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 **《未公开》** | 对比文件[0059]：“the n-side electrode 132 is formed on the electrode forming surface 11 of the first contact layer 4”（n侧电极132形成在第一接触层4的电极形成表面11上）。 | 对比文件中n侧电极仅直接形成在暴露的第一导电半导体层上，未与介电膜（粘附层）接触，因此未公开第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构。 |
| **特征H**：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[0059]：“A p-side electrode 131 is formed on the upper surface of the second contact layer 9”（p侧电极131形成在第二接触层9的上表面上）；[0098]：“a p-side pad electrode 211 is formed thereon”（p侧焊盘电极211形成在p侧半透明电极上，该半透明电极接触p-GaN）。 | 对比文件明确公开了第二电极（p侧电极或p侧焊盘电极）接触第二导电半导体层（p-GaN），因此直接公开。 |
| **特征I**：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 **《直接公开》** | 对比文件[0098]：p-side translucent electrode 210形成在p-GaN contact layer 209上，p-side pad electrode 211形成在translucent electrode 210上。 | 对比文件LED中，p侧焊盘电极（第二电极）通过半透明电极（透射电极层）接触p-GaN（第二导电半导体层），因此直接公开。 |
| **特征J**：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 **《直接公开》** | 同一段[0098]：p-side pad electrode 211直接形成在p-side translucent electrode 210上。 | 对比文件中p侧焊盘电极直接接触半透明电极，即第二电极的第二部分接触透射电极层，因此直接公开。 |
| **特征K**：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 **《未公开》** | 对比文件[0058]：介电膜12A形成在脊形侧壁、第二包覆层平坦表面和侧表面、有源层侧表面、第一包覆层侧表面、裂纹防止层侧表面、第一接触层部分侧表面和电极形成表面（第一接触层顶表面），但未覆盖第二导电半导体层（第二接触层9）的顶表面（脊形顶部），且p侧电极位于脊形顶部，不与该介电膜接触。LED实施例中无类似覆盖结构。 | 对比文件未公开粘附层延伸到第二导电半导体层的顶表面，且第二电极的第一部分未被透射电极层包围（p侧电极暴露），因此未公开。 |
| **特征L**：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 **《未公开》** | 对比文件未涉及第一电极底表面与第一导电半导体层顶表面接触面积的比例。 | 对比文件无任何关于第一电极与半导体接触面积比例的记载，本领域技术人员不能直接或隐含得出该比例范围。 |
| **特征M**：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 **《未公开》** | 对比文件未涉及第一电极与粘附层垂直重叠宽度的比例。 | 对比文件没有第一电极与粘附层垂直重叠的布置，因此无从公开该比例。 |
| **特征N**：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：SiNx film 12a（氮化硅，透射绝缘材料）和SiOy film 12b（氧化硅，透射绝缘材料）。 | 对比文件中的介电膜包含透射绝缘材料（如SiNx、SiOy），因此直接公开了粘附层包括透射绝缘材料，满足“至少一个”。 |
| **特征O**：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：SiNx（Si3N4）、SiOy（SiOx）；[0065]：SiNx1Oy1（SiOxNy）；[0084]：TiNx、TiOy（TiO2）。 | 对比文件公开了SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2等材料，因此直接公开了粘附层包含这些材料中的至少一种。 |
| **特征P**：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 **《未公开》** | 对比文件[0058]：介电膜12A覆盖第一接触层4的顶表面和侧表面、有源层7侧表面、第二包覆层8侧表面，但未延伸到第二导电半导体层（第二接触层9）的顶表面（脊形顶部被保留用于p电极）。 | 对比文件未公开粘附层延伸到第二导电半导体层的顶表面，因此未公开。 |
| **特征Q**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：SiNx film 12a直接形成在第一接触层4的电极形成表面11（第一导电半导体层顶表面）上，SiNx是透射绝缘材料。 | 对比文件明确公开了第一层（SiNx膜）位于第一导电半导体层顶表面上且为透射绝缘材料，因此直接公开。 |
| **特征R**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 **《未公开》** | 对比文件[0058]：SiOy film 12b形成在SiNx film 12a上，但SiOy是绝缘材料，非导电材料。 | 对比文件中的第二层为绝缘氧化硅，不是透射导电材料，因此未公开。 |
| **特征S**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：SiNx film 12a（折射率约2.0，高于SiO2的1.45）。 | 对比文件中的第一层SiNx具有高折射率，因此直接公开。 |
| **特征T**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 **《直接公开》** | 对比文件[0058]：SiOy film 12b（折射率约1.45，低折射率）。 | 对比文件中的第二层SiOy具有低折射率，因此直接公开。 |
| **特征U**：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 **《未公开》** | 对比文件未公开透射电极层与粘附层在第二导电半导体层顶表面上的位置关系。 | 对比文件没有透射电极层与粘附层同时存在于第二导电半导体层顶表面的结构，因此未公开。 |
| **特征V**：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层延伸到第二导电半导体层顶表面并位于透射电极层下方。 | 对比文件没有这样的层叠结构，因此未公开。 |
| **特征W**：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层覆盖透射电极层顶表面。 | 对比文件没有公开粘附层延伸到透射电极层顶表面，因此未公开。 |
| **特征X**：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 **《未公开》** | 对比文件[0098]：p-side pad electrode 211暴露于外部（用于引线键合）。 | 对比文件中第二电极（p侧焊盘电极）是暴露的，因此未公开第二电极第一部分被覆盖而不暴露。 |
| **特征Y**：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 **《未公开》** | 对比文件[0059]：n-side electrode 132直接形成在暴露的n-GaN上，未穿过介电膜。 | 对比文件没有第一电极穿过粘附层的结构，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<N>>><<<O>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>>