对比文件名称：2003-10-31_JP2003308218A_发明专利_JP2003308218A Intermediate code execution system and incorporated equipment
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层。（未公开） | 对比文件涉及中间代码执行系统和嵌入式设备，全文未提及发光结构、半导体层或任何与发光器件相关的技术内容。 | 对比文件的技术领域、发明目的、解决方案均与发光器件无关，本领域技术人员无法从对比文件中得出任何关于发光结构或第一导电半导体层的技术方案。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层。（未公开） | 对比文件未记载任何与有源层、半导体层叠层结构相关的技术内容。 | 对比文件完全不涉及半导体发光器件的有源层结构，没有公开或暗示任何与此相关的技术特征。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层。（未公开） | 对比文件未记载任何关于第二导电半导体层、有源层上方的层结构。 | 对比文件无任何关于半导体层叠顺序或发光结构层组成的描述，无法公开本特征。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域。（未公开） | 对比文件未涉及发光结构的台面蚀刻、区域暴露或任何类似工艺。 | 对比文件不包含发光器件制造工艺或结构特征，无法公开通过台面蚀刻暴露第一导电半导体层顶表面的区域。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上。（未公开） | 对比文件未记载任何关于透射电极层、电极材料或电极结构的内容。 | 对比文件描述的是虚拟机和内存管理，与电极层完全无关，没有公开任何透射电极层。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层。（未公开） | 对比文件未提及任何粘附层或与半导体层接触的层结构。 | 对比文件没有任何关于粘附层的描述，也没有类似功能层（如用于提高粘附强度的层）的公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上。（未公开） | 对比文件未涉及任何电极结构、电极接触方式或区域。 | 对比文件不包含发光器件的电极设计，无法公开第一电极接触粘附层和第一导电半导体层的具体结构。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层。（未公开） | 对比文件未记载任何关于第二电极或接触第二导电半导体层的内容。 | 对比文件无电极相关公开，更谈不上第二电极接触第二导电半导体层。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分。（未公开） | 对比文件未涉及透射电极层、第二电极的分部接触或任何类似结构。 | 对比文件在发光器件电极连接方面完全空白，无法公开通过透射电极层接触第二导电半导体层的特征。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分。（未公开） | 对比文件未记载透射电极层或第二电极与透射电极层的接触。 | 对比文件无任何电极与透射层接触的教导，本特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。（未公开） | 对比文件未记载粘附层的具体布置位置，也未涉及透射电极层包围电极部分的结构。 | 对比文件完全不涉及粘附层在发光结构侧表面和顶表面的分布，以及透射电极层对电极的包围关系，未公开本特征。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积。（未公开） | 对比文件未涉及电极尺寸比例或面积百分比。 | 对比文件没有任何关于电极底表面与顶表面面积比例的数据或描述，无法公开本数值范围特征。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度。（未公开） | 对比文件未涉及电极与粘附层的垂直重叠宽度比例。 | 对比文件无电极与粘附层重叠区域的任何公开，无法得出本特征。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。（未公开） | 对比文件未提及任何透射导电材料或透射绝缘材料，也未涉及粘附层的材料组成。 | 对比文件完全不涉及粘附层的材料选择，本特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。（未公开） | 对比文件未列出任何上述材料，也不涉及粘附层材料的具体选择。 | 对比文件没有公开任何关于粘附层可能包括的具体材料，本特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。（未公开） | 对比文件未提及粘附层沿侧表面延伸的具体路径。 | 对比文件无发光结构侧表面粘附层延伸的描述，无法公开本特征。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料。（未公开） | 对比文件未涉及粘附层的多层结构，也未提及透射绝缘材料层。 | 对比文件在粘附层多层结构方面完全空白，无法公开第一层为透射绝缘材料。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。（未公开） | 对比文件未记载第二层为透射导电材料。 | 对比文件无任何关于粘附层双层结构及第二层材料的公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率。（未公开） | 对比文件未涉及折射率概念或粘附层的光学特性。 | 对比文件不涉及发光器件的光学设计，无法公开粘附层具有高折射率的第一层。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。（未公开） | 对比文件未提及低折射率层。 | 对比文件无折射率分层相关公开，本特征未被公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。（未公开） | 对比文件未涉及透射电极层与粘附层之间的位置关系。 | 对比文件无任何关于透射电极层与粘附层隔开的描述，无法公开本特征。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。（未公开） | 对比文件未记载粘附层在第二导电半导体层顶表面上的延伸以及其与透射电极层的相对位置。 | 对比文件没有公开粘附层设置在透射电极层和第二导电半导体层之间的结构。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。（未公开） | 对比文件未提及粘附层延伸到透射电极层顶表面。 | 对比文件无相关延伸结构公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。（未公开） | 对比文件未涉及电极部分是否暴露的外部特征。 | 对比文件无电极封装或暴露状态任何描述。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。（未公开） | 对比文件未涉及电极穿过粘附层或垂直重叠关系。 | 对比文件无电极与粘附层垂直重叠的公开。 |
综上所述，对比文件JP2003308218A的技术领域、发明内容和实施例均与发光器件完全无关，未公开任何目标专利权利要求的技术特征。因此，既无直接公开，也无隐含公开。
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