对比文件名称：US20090108250A1 LIGHT EMITTING DIODE
目标专利名称：CN102194958B 发光器件和发光器件封装
本次调用的模型名称：通用语言模型（基于公开知识分析）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层<br>【直接公开】 | [0020] “LED 1 includes an n-type semiconductor layer 220, an active layer 240, and a p-type semiconductor layer 260”<br>（LED 1包括n型半导体层220、有源层240和p型半导体层260） | 对比文件中的n型半导体层220即为第一导电半导体层，该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层<br>【直接公开】 | [0020] “The active layer 240 is interposed between the n-type semiconductor layer 220 and the p-type semiconductor layer 260”<br>（有源层240插入在n型半导体层220和p型半导体层260之间） | 有源层240位于n型半导体层220之上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层<br>【直接公开】 | [0020] 同上，p型半导体层260位于有源层240之上 | 对比文件中的p型半导体层260即为第二导电半导体层，位于有源层240上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域<br>【直接公开】 | [0020] “portions of the active layer 240 and the p-type electrode layer 260 may be removed so that a portion of the n-type semiconductor layer 220 is exposed upward”<br>（有源层240和p型半导体层260的部分可以被去除，使得n型半导体层220的一部分向上暴露） | 对比文件明确描述通过去除部分有源层和p型半导体层暴露n型半导体层，该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上<br>【直接公开】 | [0020] “a transparent electrode layer 320 is arranged on an upper surface of the p-type semiconductor layer 260”<br>（透明电极层320布置在p型半导体层260的上表面上） | 对比文件中的透明电极层320即相当于透射电极层，直接位于p型半导体层上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层<br>【未公开】 | 无 | 对比文件未公开任何接触第一导电半导体层（n型半导体层）的粘附层。n型电极垫440直接接触n型半导体层，无中间层。其他层如DBR、隧道层均位于p型半导体层侧，不接触第一导电半导体层。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层，因此不存在第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构。n型电极垫440仅接触n型半导体层，未接触粘附层。该特征未被公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层<br>【未公开】 | [0020] 及 [0027] p型电极垫340通过透明电极层320和隧道层310间接接触p型半导体层260 | 对比文件中p型电极垫340与p型半导体层260之间隔着透明电极层320和隧道层310，并非直接物理接触。目标专利中第二电极需直接接触第二导电半导体层，故该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分<br>【直接公开】 | [0020] “a transparent electrode layer 320 is arranged on an upper surface of the p-type semiconductor layer 260”<br>[0028] “p-type electrode pad 340 may contact the transparent electrode layer 320 outside of the opening”<br>（p型电极垫340可在开口外部接触透明电极层320） | 对比文件中的p型电极垫340接触透明电极层320，透明电极层320通过隧道层310接触p型半导体层260，因此p型电极垫通过透明电极层接触p型半导体层，即第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层，该特征被直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分<br>【直接公开】 | [0028] “p-type electrode pad 340 may contact the transparent electrode layer 320 outside of the opening” and “a side surface of the p-type electrode pad 340 may contact the transparent electrode layer 320 in the opening”<br>（p型电极垫340可在开口外部接触透明电极层320，且其侧表面可在开口内接触透明电极层320） | 对比文件中的p型电极垫340直接接触透明电极层320，即第二电极的第二部分接触透射电极层，该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层，也没有第二电极的一部分被透射电极层包围的结构。该特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积<br>【未公开】 | 无 | 对比文件未公开第一电极与第一导电半导体层接触面积的比例关系。该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层，因此无此特征。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部<br>【未公开】 | 无 | 对比文件未公开第二电极的第一部分被覆盖或不暴露，p型电极垫暴露于外部。该特征未被公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠<br>【未公开】 | 无 | 对比文件没有粘附层。 |
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