**对比文件名称：** 2005-06-09_US2005121679A_发明申请_US20050121679A1 Nitride semiconductor device
**目标专利名称：** 1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
**模型名称：** GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（**直接公开**） | [0080]段：“...在由蓝宝石制成的衬底1上依次层叠GaN缓冲层2、Si掺杂n型GaN的n侧接触层3、单量子阱结构的InGaN有源层4、由第一层和第二层不同组成层叠的超晶格层构成的p型包覆层5、以及Mg掺杂GaN的p型接触层6。” | 对比文件明确公开了n侧接触层3作为第一导电半导体层，其形成发光结构的一部分，故直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层（**直接公开**） | 同上[0080]段，有源层4位于n侧接触层3上。 | 对比文件公开了有源层4直接位于第一导电半导体层（n侧接触层3）之上，直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层（**直接公开**） | 同上[0080]段，p型包覆层5和p型接触层6位于有源层4上。 | 对比文件公开了p型包覆层5和p型接触层6作为第二导电半导体层位于有源层4之上，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（**直接公开**） | [0080]段：“...n电极9安装在通过蚀刻去除部分氮化物半导体层而暴露的n侧接触层2的表面上。” | 对比文件通过蚀刻工艺暴露了n侧接触层3的顶表面以形成n电极，直接公开了该暴露区域。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（**直接公开**） | [0080]段：“...p侧接触层6的几乎整个表面被平面电极7覆盖...平面电极7允许光透射。” | 对比文件公开了平面电极7（透射电极）形成在第二导电半导体层（p型接触层6）上，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（**未公开**） | 对比文件全文未提及粘附层。 | 对比文件中n电极9直接接触n侧接触层3，没有任何中间层；本领域技术人员无法从对比文件得到或推理出存在粘附层，故未直接或隐含公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件中第一电极（n电极9）仅接触第一导电半导体层，未接触粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（**直接公开**） | [0080]段：“...p电极8...安装在平面电极7上”；平面电极7接触p型接触层6。 | 第二电极（p电极8）通过平面电极7与第二导电半导体层（p型接触层6）电性连接，即接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（**直接公开**） | 同上，p电极8通过平面电极7与p型接触层6接触。 | 第二电极的第一部分（p电极8的至少一部分）通过透射电极层（平面电极7）接触第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（**直接公开**） | 同上，p电极8直接形成在平面电极7上。 | 第二电极的第二部分（p电极8的至少一部分）直接接触透射电极层（平面电极7），直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。（**未公开**） | 对比文件无粘附层，且第二电极（p电极8）位于透射电极层之上，未被包围。 | 对比文件未公开粘附层及其特定布置，也未公开第二电极第一部分被透射电极层包围的结构，故未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10%至95%的面积。（**未公开**） | 对比文件未公开第一电极的尺寸比例。 | 对比文件没有记载第一电极（n电极）底表面与顶表面的面积比例关系，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5%至90%的宽度。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层，更未公开重叠宽度比例，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个。（**未公开**） | 对比文件未提及粘附层材料。 | 对比文件未公开任何粘附层，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层，更未公开其具体材料列表，故未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层的延伸方式，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层及其多层结构，故未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层的第二层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层的折射率相关结构，故未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层的第二层折射率，故未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层，更未公开透射电极层与粘附层的相对位置关系，故未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层位于透射电极层和第二导电半导体层之间，故未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面，故未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部。（**未公开**） | 对比文件中第二电极（p电极8）位于最上层，未被透射电极层包围。 | 对比文件未公开第二电极的第一部分被透射电极层包围而不暴露的结构，故未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠。（**未公开**） | 对比文件无粘附层。 | 对比文件未公开粘附层，更未公开第一电极与粘附层的垂直重叠关系，故未公开。 |
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