对比文件的名称：2001-12-07_JP2001339121A_发明专利_JP2001339121A Nitride semiconductor light emitting device and optical device including the same
目标专利的名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 《直接公开》 | 对比文件[0018]：“n型GaN接触层102” | 对比文件明确公开了n型GaN接触层，该层为氮化物半导体发光器件中的n型半导体层，对应于目标专利的第一导电半导体层，功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层 《直接公开》 | 对比文件[0018]：“发光层106” | 对比文件公开了在n型层上形成的发光层，该发光层为多量子阱结构，具有有源层功能，对应于目标专利的有源层，直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层 《直接公开》 | 对比文件[0018]：“p型GaN接触层110” | 对比文件公开了在发光层上形成的p型GaN接触层，为p型半导体层，对应于目标专利的第二导电半导体层，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 《直接公开》 | 对比文件[0031]：“用反应性离子蚀刻装置暴露n型GaN接触层102的一部分” | 对比文件明确通过蚀刻暴露出n型GaN接触层的一部分，形成电极接触区域，该区域暴露了第一导电半导体层的顶表面，与目标专利的特征一致，直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 《直接公开》 | 对比文件[0082]：“透光性p型电极907” | 对比文件公开了透光性p型电极，该电极形成在p型GaN接触层上，具有透光性和电流扩展作用，对应于目标专利的透射电极层，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 《未公开》 | 对比文件未公开任何接触第一导电半导体层的粘附层。 | 对比文件中的介电膜（如SiO2）仅用于侧壁保护或绝缘，不接触第一导电半导体层顶表面，且不用于提高电极附着力，因此未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，且第一电极（n电极）直接接触n型层，无粘附层介入。 | 对比文件没有粘附层结构，因此特征G未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 《直接公开》 | 对比文件[0018]：“p型电极112” | 对比文件公开了p型电极直接接触p型GaN接触层（第二导电半导体层），直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 《隐含公开》 | 对比文件[0082]：“透光性p型电极907”和“pad电极908”；[0083]：“p型电极907由Ni或Pd形成，pad电极908由Au形成”。 | 对比文件在发光二极管结构（图9）中，pad电极（第二电极）形成在透光性p型电极（透射电极层）上，通过透光性p型电极间接接触p型半导体层。本领域技术人员可合理推断该部分相当于第二电极的第一部分，通过透射电极层接触第二导电半导体层，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 《隐含公开》 | 对比文件[0082]：“透光性p型电极907”和“pad电极908”。 | 基于与特征I相同的结构，pad电极直接接触透光性p型电极，该部分构成第二电极的第二部分，直接接触透射电极层，因此隐含公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，也无对应结构。 | 对比文件没有粘附层，且第二电极与透射电极层的相对位置关系不同，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 《未公开》 | 对比文件未公开第一电极底面积与顶面积的比例关系。 | 对比文件没有涉及第一电极与半导体层的接触面积比例，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，也无重叠区域比例。 | 对比文件没有粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，其SiO2仅用于绝缘保护。 | 对比文件没有粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 《未公开》 | 对比文件使用了SiO2介电膜，但非粘附层。 | 粘附层结构本身未公开，因此材料特征也未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层。 | 无对应结构，未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层多层结构。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，也无透射电极层与粘附层的相对位置。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无粘附层，未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 《未公开》 | 对比文件未公开第二电极第一部分是否暴露。 | 对比文件中第二电极（pad电极）暴露于外部，与目标专利不同，未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 《未公开》 | 对比文件未公开粘附层，也无第一电极穿过粘附层。 | 无粘附层，未公开。 |
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