对比文件名称：2003-12-01_KR100408109B_发明授权_KR100408109B1 진공성형성이 우수한 스티렌계 열가소성 수지 조성물
目标专利名称：1792用于光学膜的树脂组合物及使用该组合物的补偿膜CN103492479B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其通过双轴拉伸用于光学膜的组合物而制备（未公开） | 对比文件[4]：“진공성형이란 수지의 연신특성을 이용한 성형법이다”（真空成型是利用树脂拉伸特性的成型方法）；[5]提及“연신특성”（拉伸特性），但未涉及双轴拉伸。 | 对比文件涉及真空成型中的拉伸特性，未公开双轴拉伸过程，也未提及光学膜的制备。本领域技术人员不能从对比文件合理推断出通过双轴拉伸制备光学膜的技术方案。因此，技术特征A未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：所述用于光学膜的组合物包含（未公开） | 对比文件[14]：“본 발명의 ABS 수지 조성물은 (A) 그라프트 공중합체, (B) SAN 공중합체, (C) 초고분자량 SAN 공중합체로 이루어진다.”（本发明的ABS树脂组合物由(A)接枝共聚物、(B)SAN共聚物、(C)超高分子量SAN共聚物组成。） | 对比文件公开了树脂组合物，但未明确其用于光学膜，且组合物组分与目标专利不同。因此，技术特征B未被直接公开，本领域技术人员也不能合理推断出该组合物用于光学膜。 |
| 技术特征C：40wt％至94wt％的丙烯酸系树脂（未公开） | 对比文件未记载丙烯酸系树脂相关内容。 | 对比文件组合物基于苯乙烯系树脂（ABS、SAN），不含丙烯酸系树脂。因此，技术特征C未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征D：5wt％至40wt％的重均分子量小于1,000,000的苯乙烯-丙烯腈共聚物（未公开） | 对比文件[18]：“상기 공중합체는 PS 환원 중량평균분자량 100,000∼500,000인 통상적으로 사용되는 SAN 공중합체이며, 최종 수지 조성물에 대하여 40 ∼ 60 중량% 사용하는 것이 좋다.”（该共聚物是PS换算重均分子量100,000-500,000的常规SAN共聚物，优选基于最终树脂组合物使用40-60wt%。）；[33]表1实施例中(B)含量为57%和47%。 | 对比文件公开了分子量小于1,000,000的SAN共聚物，但含量范围为40-60wt%，而非目标专利的5-40wt%。本领域技术人员不能从对比文件合理推断出该含量范围可用于光学膜组合物。因此，技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征E：1wt％至20wt％的重均分子量在1,000,000至9,000,000范围内的超高分子量苯乙烯-丙烯腈共聚物（隐含公开） | 对比文件[20]：“상기 공중합체는 PS 환원 중량평균분자량이 1,000,000 ∼ 5,000,000인 초고분자량 SAN이며, 최종 수지 조성물에 대하여 0.1 ∼ 30 중량% 사용하는 것이 좋다.”（该共聚物是PS换算重均分子量1,000,000-5,000,000的超高分子量SAN，优选基于最终树脂组合物使用0.1-30wt%。）；[31]：“여기서 얻어진 공중합체의 중량평균분자량은 4,000,000이었다.”（此处获得的共聚物重均分子量为4,000,000）；[33]表1实施例中(C)含量为3wt%。 | 对比文件公开了超高分子量SAN共聚物，其分子量（1,000,000-5,000,000）落入目标专利范围（1,000,000-9,000,000），含量范围（0.1-30wt%）涵盖目标专利的1-20wt%，且实施例具体使用3wt%（在1-20wt%内）。本领域技术人员根据对比文件关于超高分子量SAN改善拉伸特性的教导，可以合理推断出在光学膜组合物中使用1-20wt%的超高分子量SAN是可行的技术方案。因此，技术特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：其中，所述光学膜的Rth/Rin的值在1.0至2.0的范围内（未公开） | 对比文件未涉及光学膜的光学性能，尤其未提及Rin、Rth及比值。 | 对比文件不涉及光学膜，没有任何延迟值的描述。因此，技术特征F未被直接或隐含公开。 |
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