对比文件：2003-09-11_US2003170491A_发明申请_US20030170491A1 Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
目标专利：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 对比文件[0088]段：“堆叠OLED器件通常设置在支撑基板上。” | 对比文件明确记载了基板的存在，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（直接公开） | 对比文件[0088]段：“堆叠OLED的阴极或阳极都可以与基板接触。……传统上，底部电极是阳极，但本发明不限于此配置。”；[0089]段：“当光通过阴极发射时，阴极必须是透明的或几乎透明的。” | 对比文件明确教导阴极可以设置在基板上（作为底部电极），并且阴极可以是透明的，因此直接公开了“设置在基板上的透明阴极”。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 对比文件[0019]段：“(a) 阳极；” | 对比文件明确记载了阳极的存在，直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（直接公开） | 对比文件[0021]段：“(c) 设置在阳极和阴极之间的多个有机电致发光单元；”以及[0022]段：“(d) 设置在相邻有机电致发光单元之间的掺杂有机连接器。” | 对比文件公开了阳极和阴极之间设置有有机材料层（包括有机EL单元和掺杂有机连接器），因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（直接公开） | 对比文件[0056]段：“图4说明本发明的另一个有用实施例……其中有机EL单元420包括设置在HTL和ETL之间的发光层(LEL)325。”；[0061]段：“每个掺杂有机连接器中的n型掺杂有机层包括主体有机材料和至少一种n型掺杂剂。”；[0062]段：“常规OLED器件中使用的有机电子传输材料代表了一类用于n型掺杂有机层的优选主体材料。” | 对比文件中的有机EL单元包含发光层，且掺杂有机连接器中的n型掺杂有机层使用电子传输材料作为主体，实质上是n型掺杂的电子传输层。因此，整个有机材料层（包括有机EL单元和连接器）包含了发光层和n型掺杂的电子传输层，直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（直接公开） | 对比文件[0061]段：“每个掺杂有机连接器中的n型掺杂有机层包括主体有机材料和至少一种n型掺杂剂。”；[0062]段：“常规OLED器件中使用的有机电子传输材料代表了一类用于n型掺杂有机层的优选主体材料。” | 对比文件明确记载n型掺杂有机层由主体材料（电子传输材料）和n型掺杂剂组成，直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（隐含公开） | 对比文件[0055]段：“优选地，在阴极和最后一个ETL之间设置电子注入层(EIL)329.N。”；[0061]段：“n型掺杂有机层……可以是掺杂有机连接器的一部分。” | 对比文件虽未明确将n型掺杂层置于阴极与发光层之间，但教导了可在阴极附近设置电子注入层，且n型掺杂层可用于改善电荷注入。本领域技术人员容易想到将n型掺杂层作为电子注入层设置在阴极与发光层之间，以降低电子注入势垒，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件[0061]段：“n型掺杂浓度或p型掺杂浓度优选在0.01-10体积%的范围内。” | 对比文件仅公开了体积百分比范围，未公开重量百分比范围，且范围不同，本领域技术人员不能直接地、毫无疑义地得到该特征，也不隐含公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（隐含公开） | 对比文件[0063]段：“特别有用的掺杂剂包括碱金属、碱金属化合物、碱土金属和碱土金属化合物。……在含金属的n型掺杂剂中，Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy或Yb及其化合物特别有用。” | 对比文件公开了碱金属、碱土金属及其化合物作为n型掺杂剂，其中“化合物”包括卤化物、氧化物、碳酸盐等。本领域技术人员可以合理推断出所列的NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、LiF、KF等均属于此类化合物，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（隐含公开） | 对比文件[0090]段：“典型的阳极材料，无论透射与否，其功函数为4.1eV或更高。”；[0089]段：“当光通过阳极发射时，阳极必须是透明的或基本透明的。”；[0189]段：“光学透明阴极已在US 5,776,623中详细描述。” | 对比文件公开了阳极功函数≥4.1eV（>2.7eV），且透明阴极可采用透明导电氧化物（功函数通常较高）。本领域技术人员可以合理推断透明阴极或阳极由功函数≥2.7eV的材料形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（隐含公开） | 对比文件[0089]段：“本发明中常用的透明阳极材料是氧化铟锡(ITO)和氧化锡，但其他金属氧化物也可使用，包括但不限于铝或铟掺杂的氧化锌(IZO)……”；[0189]段：“光学透明阴极已在US 5,776,623中详细描述。”（该专利涉及透明阴极，通常可采用ITO等） | 对比文件虽主要针对透明阳极，但透明阴极也可采用类似透明金属氧化物。本领域技术人员结合公知常识（透明阴极常使用ITO、IZO等）可以合理推断透明阴极可由ITO、IZO或ZnO形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | 对比文件[0089]段：“当光通过阳极210发射时，阳极必须是透明的或基本透明的。” | 对比文件明确记载阳极可以是透明的，直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 对比文件[0089]段：“本发明中常用的透明阳极材料是氧化铟锡(ITO)和氧化锡，但其他金属氧化物也可使用，包括但不限于铝或铟掺杂的氧化锌(IZO)……” | 对比文件直接公开了透明阳极可由ITO或IZO形成，氧化锌(ZnO)也属于金属氧化物范畴，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开） | 对比文件[0062]段：“优选的材料是金属螯合的喔星类化合物，包括喔星本身（通常称为8-羟基喹啉）的螯合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq)。其他材料包括各种丁二烯衍生物……各种杂环光学增白剂……三嗪、羟基喹啉衍生物和苯并唑衍生物。” | 对比文件明确公开了Alq（含有喹啉基）作为电子传输材料，且苯并唑衍生物包含噁唑、噻唑、咪唑等官能团。因此，n型掺杂电子传输层的主体材料可包含喹啉基等官能团，直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开或暗示n型掺杂剂在厚度方向上的浓度梯度，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件[0056]段公开了有机EL单元包括HTL、LEL、ETL，但n型掺杂层位于连接器中，而非在n型掺杂层与发光层之间设置另一ETL。 | 对比文件未公开在n型掺杂电子传输层与发光层之间再设置一层电子传输层的结构，也未给出任何教导，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 在对比文件未公开特征P的前提下，该特征未被公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件[0055]段：“优选地，在阴极和最后一个ETL之间设置电子注入层(EIL)329.N。”；[0061]段中n型掺杂层位于连接器中，不与阴极直接接触。 | 对比文件教导在阴极和ETL之间设置EIL，而n型掺杂层通常位于EL单元之间，未公开与阴极直接接触，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 对比文件[0055]段：“优选地，在阳极210和第一个HTL之间设置空穴注入层(HIL)321.1。”；[0054]段：“每个有机EL单元320包括空穴传输层(HTL)323和电子传输层(ETL)327。” | 对比文件明确公开了有机材料层包含空穴传输层和空穴注入层，直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | 对比文件[0055]段：“优选地，在阳极210和第一个HTL之间设置空穴注入层(HIL)321.1。” | 对比文件公开了最临近阳极的有机材料层是空穴注入层（HIL），因此直接公开了有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧的层。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未记载式23化合物。 | 对比文件未公开任何与式23相关的化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未记载式23结构式。 | 对比文件未公开该结构式，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开式23化合物及其取代基定义，因此未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开该定义，因此未公开。 |
### 公开性代码
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