对比文件名称：2006-11-09_US2006251922A_发明申请_US20060251922A1 OLED electron-injecting layer
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
模型名称：当前AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 对比文件[0027]：“OLED 100包括基板110”；[0031]：“基板110可以是有机固体、无机固体或包含有机和无机固体，其提供支撑背板来保持OLED。” | 对比文件明确公开了OLED包括基板，该基板用于支撑整个器件，与目标专利中基板的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件[0114]：“当光发射通过阴极观察时，阴极应透明或接近透明。对于此类应用，金属应薄或应使用透明导电氧化物。”但对比文件中阴极通常设置于有机层之上，未公开透明阴极直接设置在基板上。 | 对比文件没有公开透明阴极直接设置在基板上的结构，其阴极通常作为顶部电极，且未教导倒序结构，因此既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 对比文件[0027]：“阳极120”；[0032]：“阳极120形成在基板110上。” | 对比文件明确公开了阳极，是器件的必要组成部分，与目标专利的阳极作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件[0027]：有机材料层（HIL、HTL、LEL、ETL、EIL）设置在阳极120和阴极180之间，但阴极不是透明阴极且结构顺序不同。 | 对比文件没有公开有机材料层设置在透明阴极和阳极之间，因为其透明阴极并非设置在基板上，且未公开倒序结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（直接公开） | 对比文件[0028]公开了LEL 150；[0095]：“1st EIL 271是n型掺杂层，包含至少一种电子传输材料作为主体材料和至少一种n型掺杂剂材料。” | 对比文件公开了有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（第一电子注入层），该n型掺杂层起到电子注入和传输的作用，与目标专利的n型掺杂电子传输层功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（直接公开） | 对比文件[0095]：“1st EIL 271是n型掺杂层，包含至少一种电子传输材料作为主体材料和至少一种n型掺杂剂材料。” | 对比文件明确公开了n型掺杂层包含电子传输材料和n型掺杂剂，与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（隐含公开） | 对比文件[0028]图2显示1st EIL 271设置在阴极180和发光层150之间（通过2nd EIL）；[0114]提及阴极可以是透明的。 | 对比文件公开了n型掺杂层设置在阴极和发光层之间，且阴极可以是透明的。本领域技术人员可以合理推断，当使用透明阴极时，该n型掺杂层仍位于透明阴极和发光层之间，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（隐含公开） | 对比文件[0097]：“n型掺杂浓度优选在该层体积的0.01-20%范围内。”实施例使用1.2%体积的Li掺杂。 | 对比文件公开了掺杂浓度范围为0.01-20%体积，虽然单位不同，但本领域技术人员可以合理选择对应的重量百分比，且目标专利的1-20%重量范围落在体积百分比范围内，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（直接公开） | 对比文件[0097]：“n型掺杂剂选自碱金属、碱金属化合物、碱土金属或碱土金属化合物，或其组合。特别有用的金属包括Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Th、Dy、Yb及其化合物。” | 对比文件明确列出了Li、Na、K、Cs、Mg、Ca等金属及其化合物，这些化合物包括氟化物、氧化物、碳酸盐等，因此直接公开了目标专利中列举的掺杂剂种类（如LiF、NaF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、Cs2CO3等）。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（隐含公开） | 对比文件[0007]提到“阴极材料功函数高于4.0eV”；[0033]列出阳极材料如ITO，其功函数约4.7eV。 | 对比文件公开了阴极材料功函数高于4.0eV，且阳极材料如ITO具有高功函数，均大于2.7eV。本领域技术人员可以合理推断透明阴极和阳极由功函数大于2.7eV的材料形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（隐含公开） | 对比文件[0114]提到透明阴极可使用透明导电氧化物；[0033]列出阳极材料包括ITO、掺杂氧化锌（ZnO）、氧化铟锌（IZO）等。 | 对比文件教导了透明阴极可以由透明导电氧化物形成，且本领域公知ITO、IZO、ZnO是常用的透明导电氧化物，因此隐含公开了透明阴极由这些材料形成。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | 对比文件[0032]：“当EL发射通过基板观察时，阳极应透明或基本透明”；实施例中阳极使用ITO透明材料。 | 对比文件明确公开了阳极是透明的，与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 对比文件[0033]列出阳极材料包括ITO、掺杂氧化锌、氧化铟锌等透明金属氧化物。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO等透明金属氧化物形成，与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开） | 对比文件[0094]列出电子传输材料包括Alq（含喹啉基）、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并咪唑（含噁唑、噻唑、咪唑基）、邻二氮杂菲衍生物等。 | 对比文件公开了多种电子传输材料，这些材料含有喹啉基、邻二氮杂菲基、苯并噁唑/噻唑/咪唑基（包含噁唑、噻唑、咪唑），因此直接公开了目标专利中指定的官能团。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未提及浓度梯度。 | 对比文件没有公开或暗示n型掺杂剂在层内具有浓度梯度，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（直接公开） | 对比文件[0028]图2显示OLED 200包括ETL 160设置在LEL 150和1st EIL 271之间。 | 对比文件公开了在n型掺杂层（1st EIL）和发光层之间设置电子传输层（ETL），与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（直接公开） | 对比文件[0096]：“OLED中的1st EIL 271和ETL 160可以使用相同或不同材料。” | 对比文件明确公开了该电子传输层可以与n型掺杂层使用相同材料，因此直接公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件[0098]：“2nd EIL 272与1st EIL 271接触”，且阴极与2nd EIL接触，因此1st EIL不与阴极直接接触。 | 对比文件要求n型掺杂层（1st EIL）通过第二电子注入层与阴极连接，而非直接接触，因此未公开该特征。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 对比文件[0027]包括HIL 130和HTL 140。 | 对比文件直接公开了有机材料层包括空穴传输层和空穴注入层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | 对比文件[0027]显示最临近阳极的有机层是HIL 130或HTL 140（当HIL不存在时）。 | 对比文件公开了有机材料层包括位于最临近阳极的层（如HIL或HTL），因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件没有公开或暗示目标专利中特定结构的式23化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未公开式23的具体结构。 | 对比文件未公开式23，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未公开式23化合物，因此也未公开其取代基定义。 | 对比文件未公开式23，因此未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 对比文件未公开式23化合物，因此也未公开其R和R’定义。 | 对比文件未公开式23，因此未公开。 |
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