对比文件名称：2004-04-08_JP2004107263A_发明专利_JP2004107263A Phenanthroline compound and organic light-emitting element using the same
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板（直接公开） | 【0084】「基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。」（翻译：作为基板，没有特别限定，可以使用金属基板、陶瓷基板等不透明基板，玻璃、石英、塑料片等透明基板。） | 对比文件明确记载了有机发光元件包括基板，且列举了多种基板材料，与本特征相同。本领域技术人员可以直接确定基板是目标专利的必要部分。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件全文未公开透明阴极设置在基板上的结构。其图1‑6均显示阳极为基板上的第一电极，阴极为上层电极，且阴极材料主要为Al‑Li等不透明金属（实施例）。 | 对比文件始终采用正序结构（阳极在基板上），阴极位于远离基板一侧，且未明确使用透明阴极，也未公开阴极设置在基板上的技术方案。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 【0082】「陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、金、白金、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ），酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。」（翻译：作为阳极材料，优选功函数尽可能大的，例如金、铂、镍、钯、钴、硒、钒等金属单质或这些的合金，氧化锡、氧化锌、氧化锡铟（ITO）、氧化锌铟等金属氧化物可以使用。） | 对比文件明确公开了有机发光元件具有阳极，并详细列出了阳极材料，与目标专利的阳极特征一致。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件公开的有机材料层位于阳极与阴极之间（正序），但阴极未公开为透明阴极，且未设置在基板上，因此不满足“透明阴极和阳极之间”的限定。 | 目标专利的透明阴极是特定结构的前提，对比文件缺乏透明阴极，故无法公开该特征。 |
| 技术特征E：有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | 对比文件公开了发光层和电子传输层（图3、实施例），但电子传输层未提及n型掺杂。 | 对比文件未涉及任何形式的掺杂电子传输层，没有公开n型掺杂的概念。 |
| 技术特征F：n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 对比文件未公开任何n型掺杂剂，仅提及电子传输材料（如菲咯啉化合物）。 | 对比文件完全不涉及n型掺杂剂，因此无法公开该特征。 |
| 技术特征G：n型掺杂的电子传输层设置于透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件未公开透明阴极和n型掺杂电子传输层，因此无对应位置关系。 | 该特征依赖于透明阴极和n型掺杂层，对比文件均未公开。 |
| 技术特征H：基于n型掺杂的电子传输层材料的总重量，n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件无任何n型掺杂剂的含量公开。 | 对比文件未涉及n型掺杂，因此无含量范围公开。 |
| 技术特征I：n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（未公开） | 对比文件未公开任何上述掺杂剂。 | 对比文件没有提及任何n型掺杂剂种类。 |
| 技术特征J：透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开（阳极部分）） | 【0082】「陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよく、例えば、金、白金、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ），酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。」（翻译：作为阳极材料，优选功函数尽可能大的，例如金、铂、镍、钯、钴、硒、钒等金属单质或这些的合金，氧化锡、氧化锌、氧化锡铟（ITO）、氧化锌铟等金属氧化物可以使用。） | 对比文件明确公开阳极材料优选功函数大的材料，且列举的ITO等功函数均大于2.7eV，因此直接公开了阳极由高功函数材料形成，满足“透明阴极或阳极”的替代条件。 |
| 技术特征K：透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（隐含公开） | 【0083】「陰極材料としては、... 酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。」（翻译：作为阴极材料，... 氧化锡铟（ITO）等金属氧化物的使用也是可能的。） | 对比文件公开了阴极可以使用ITO，而ITO是透明金属氧化物，本领域技术人员可以合理推断出阴极可由透明金属氧化物形成，且ITO、IZO、ZnO均为已知透明导电氧化物，因此隐含公开了透明阴极的材料选择。 |
| 技术特征L：阳极是透明的（直接公开） | 【0082】列举了阳极材料包括ITO、氧化锌等透明金属氧化物；实施例中使用ITO阳极。 | 对比文件使用的阳极材料（如ITO）是透明的，本领域技术人员可直接确定阳极是透明的。 |
| 技术特征M：阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 【0082】「酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ），酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。」（翻译：氧化锡、氧化锌、氧化锡铟（ITO）、氧化锌铟等金属氧化物可以使用。） | 对比文件明确公开了阳极可由ITO、氧化锌等透明金属氧化物形成，且这些材料形成的阳极是透明的，直接公开了该特征。 |
| 技术特征N：n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（未公开） | 对比文件公开了电子传输层可采用菲咯啉（邻二氮杂菲）化合物（如一般式［I］‑［III］化合物），但未公开该层为n型掺杂。 | 特征N限定于“n型掺杂的电子传输层”，对比文件未公开任何n型掺杂层，故不能公开该特征整体。电子传输材料本身虽被公开，但缺少n型掺杂的前提。 |
| 技术特征O：n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未涉及n型掺杂剂，也无浓度梯度。 | 对比文件无任何关于掺杂剂浓度梯度的记载。 |
| 技术特征P：有机材料层进一步包括设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件公开了电子传输层，但未公开n型掺杂电子传输层，且无在此层与发光层之间额外设置电子传输层的结构。 | 该特征依赖于n型掺杂电子传输层，对比文件未公开，故无法公开。 |
| 技术特征Q：设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 对比文件未公开关联结构。 | 同上。 |
| 技术特征R：n型掺杂的电子传输层与透明阴极接触（未公开） | 对比文件未公开透明阴极和n型掺杂电子传输层。 | 无公开。 |
| 技术特征S：有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 【0066】‑【0068】公开了空穴传输层（ホール輸送層5）和空穴注入层（ホール注入層7）；图2‑4显示这些层。 | 对比文件明确在有机材料层中设置空穴传输层和/或空穴注入层，与本特征一致。 |
| 技术特征T：有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | 图4显示在阳极2上直接设置空穴注入层7，该层为最临近阳极的有机层。 | 对比文件公开了在最临近阳极的位置设置空穴注入层，满足“置于最临近阳极的最上侧”的层结构。 |
| 技术特征U：有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件公开的化合物为一般式［I］‑［III］的菲咯啉衍生物，与式23结构不同。 | 式23是目标专利的特定化合物，对比文件未公开任何具有该式的化合物。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未出现式23的化学结构。 | 无公开。 |
| 技术特征W：R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1‑C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1‑C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未公开式23化合物，故无对应取代基定义。 | 无公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1‑C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5‑7元杂环中（未公开） | 对比文件未公开式23化合物，故无对应R、R’定义。 | 无公开。 |
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