对比文件名称：2006-06-15_JP2006156828A_发明专利_JP2006156828A Organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | [2]实验1中“陽極は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜が形成されたガラス基板の上に、フロオロカーボン（ＣＦ X）層を形成することにより作製した。”译文：阳极是通过在形成有ITO膜的玻璃基板上形成氟碳层而制备的。 | 对比文件明确公开了玻璃基板，因此基板被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《不公开》 | [2]实验1中阴极材料为“Ａｌ（１００ｎｍ）”，且位于有机层顶部，并非透明阴极。 | 对比文件中的阴极是不透明的铝，且设置在远离基板的一侧，并非设置在基板上的透明阴极，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | [2]实验1中“陽極は、ＩＴＯ膜…”（阳极由ITO形成） | 对比文件公开了阳极（ITO），因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《不公开》 | 对比文件阴极非透明，且有机材料层设置在阳极和阴极之间，但阴极不是透明阴极。 | 由于对比文件没有透明阴极，因此无法公开“设置在透明阴极和阳极之间”的有机材料层。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《不公开》 | 对比文件公开了发光层和电子传输层（BCP），但未提及n型掺杂。 | 对比文件的电子传输层未掺杂，因此没有公开n型掺杂的电子传输层。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《不公开》 | 同E，未公开n型掺杂。 | 对比文件未公开n型掺杂剂及其与电子传输材料的组合。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《不公开》 | 同E，无透明阴极和n型掺杂电子传输层。 | 未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《不公开》 | 对比文件未涉及n型掺杂剂含量。 | 未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《不公开》 | 对比文件中间单元中电子注入层使用Li或Li2O，但并非作为n型掺杂剂掺杂在电子传输层中。 | 对比文件未公开将这些材料作为n型掺杂剂用于电子传输层。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | [2]阳极由ITO形成，ITO功函数通常为4.7eV以上。 | 对比文件公开的阳极ITO功函数大于2.7eV，因此直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成《不公开》 | 对比文件无透明阴极。 | 未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》 | 同C，阳极由ITO形成，是透明的。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | 同C，阳极是ITO，属于透明金属氧化物。 | 直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《隐含公开》 | [2]中间单元中电子输运层使用BCP（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉），属于邻二氮杂菲衍生物。 | 对比文件公开了BCP作为电子传输材料，其含有邻二氮杂菲基团。虽然对比文件未将该层限定为n型掺杂，但本领域技术人员在面临高功函数阴极电子注入困难时，容易想到将电子传输层进行n型掺杂以改善注入，因此BCP可被用于n型掺杂的电子传输层，故该特征被隐含公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《不公开》 | 对比文件未提及任何浓度梯度。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《不公开》 | 对比文件在阴极和发光单元之间设有电子传输层，但无n型掺杂电子传输层。 | 由于对比文件没有n型掺杂电子传输层，因此无法公开在其与发光层之间设置另一电子传输层。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《不公开》 | 同P，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《不公开》 | 对比文件无透明阴极，也无n型掺杂电子传输层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | [2]实验1中设有ホール注入層（HAT-CN6）和発光ユニット内含有ホール輸送材料（如NPB）。 | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | [2]实验1中阳极上依次为ホール注入層（HAT-CN6），即最临近阳极的有机层是空穴注入层。 | 对比文件公开了最临近阳极的有机层，因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《直接公开》 | [2]实验1中ホール注入層由HAT-CN6形成，该化合物是六氮杂苯并菲六氰基，属于式23的一种具体化合物。 | 对比文件公开的HAT-CN6落入式23的范围，因此直接公开。 |
| 技术特征V：[式23]《隐含公开》 | 对比文件未直接显示式23的化学式，但公开了具体化合物HAT-CN6。 | 本领域技术人员从具体化合物能够认识其通式结构，因此隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《隐含公开》 | 对比文件HAT-CN6的R基团为氰基，属于定义中的选项。 | 虽然对比文件未公开整个定义，但公开了具体取代基氰基，且该定义是常见选择，本领域技术人员可以合理推断该定义适用于该化合物，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《不公开》 | 对比文件HAT-CN6中不涉及R和R’基团。 | 对比文件未公开任何关于R和R’的信息，因此不公开。 |
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