对比文件名称：2007-08-30_US2007200490A_发明申请_US20070200490A1 Nitrogenous Heterocycle Derivative, And Organic Electroluminescent Element Employing The Same
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：自定义模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | [0071]“本发明的有机EL器件优选由基板支撑。...可以使用玻璃、透明塑料、石英等构成的基板。”实施例1使用玻璃基板。 | 对比文件明确公开了有机EL器件包括基板，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件全部内容未公开透明阴极。[0073]公开阴极使用低功函数金属（如Al），不透明。 | 对比文件没有公开透明阴极，也没有公开倒序结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | [0072]“阳极使用具有大功函数（4eV以上）的金属、合金、导电化合物。”实施例1使用ITO阳极。 | 对比文件明确公开了阳极，直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件公开的有机材料层设置在阳极和阴极之间，但阴极不是透明阴极。 | 由于透明阴极未被公开，该特征不成立，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（直接公开） | [0077]“电子注入层包含还原性掺杂剂”。实施例1：在发光层上形成化合物1-41:Li膜作为电子注入层（即n型掺杂的电子传输层）。 | 对比文件公开了发光层和掺杂的电子注入层，该层实质上是n型掺杂的电子传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（直接公开） | 实施例1：化合物1-41（电子传输材料）和Li（还原性掺杂剂）共蒸镀形成掺杂层。 | 对比文件直接公开了掺杂层由电子传输材料和掺杂剂组成，直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件中的掺杂层设置于阴极（Al）和发光层之间，但阴极不是透明阴极。 | 透明阴极未被公开，因此该特征不成立，未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件未公开掺杂剂的具体重量百分比含量，实施例中仅给出沉积速率比。 | 对比文件没有公开该含量范围，也未给出任何教导，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（直接公开） | [0078]“还原性掺杂剂选自碱金属、碱土金属、稀土金属、它们的氧化物、卤化物、有机络合物”。[0079]列出Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba。[0082]列出LiF、NaF、KF、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2等。实施例1使用Li。 | 对比文件直接公开了Li、Na、K、Cs、Ca、LiF、NaF、KF、CaF2、MgF2等，因此直接公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开） | [0072]“阳极使用具有大功函数（4eV以上）的材料”，如ITO（功函数约4.5eV）。 | 对比文件公开的阳极材料功函数大于4eV，满足2.7eV以上，直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（未公开） | 对比文件未公开透明阴极。 | 对比文件没有公开透明阴极，也没有公开这些材料用于阴极，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | [0072]列出透明导电材料如CuI、ITO、SnO2、ZnO，实施例1使用ITO透明阳极。 | 对比文件公开了阳极是透明的，直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | [0072]列出ITO、SnO2、ZnO等，实施例1使用ITO。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO等透明金属氧化物形成，直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开） | 对比文件化合物1-41等含有苯并咪唑基（咪唑基），见实施例1。 | 对比文件使用的电子传输材料含有咪唑基，直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未提及掺杂剂浓度梯度。 | 对比文件没有公开或暗示任何浓度梯度，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（直接公开） | 实施例1：在发光层上先沉积10nm的化合物1-41膜，然后沉积化合物1-41:Li膜。 | 对比文件公开了在发光层和掺杂层之间设置未掺杂的电子传输层，直接公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（直接公开） | 实施例1：未掺杂层和掺杂层均使用化合物1-41。 | 对比文件公开了该层与掺杂层使用相同电子传输材料，直接公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件中的掺杂层与阴极（Al）接触，但阴极不是透明阴极。 | 透明阴极未被公开，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 实施例1：形成TPD232膜（空穴注入层）和NPD膜（空穴传输层）。 | 对比文件公开了空穴注入层和空穴传输层，直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | 实施例1：在阳极上形成TPD232膜（空穴注入层），该层是最临近阳极的有机层。 | 对比文件公开了最临近阳极的有机层（空穴注入层），直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件没有公开该化合物，也未公开类似结构，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件无该式。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件无该定义。 | 未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 对比文件无该定义。 | 未公开。 |
<<<A>>><<<C>>><<<E>>><<<F>>><<<I>>><<<J>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<P>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>>