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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包含透明阳极作为第一电极
B
包含透明阴极作为第二电极
C
包含置于第一电极和第二电极之间的发光层
D
其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层
E
所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层
F
所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物
G
包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层
H
包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层
I
所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低
J
所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高
K
[式1]
L
其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺。
权利要求 2
M
其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料。
权利要求 3
N
其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环。
权利要求 4
O
其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%。
权利要求 5
P
其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团。
权利要求 6
Q
其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料。
权利要求 7
R
其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成。
权利要求 8
S
其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成。
权利要求 9
T
其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料。
权利要求 10
U
其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极。
权利要求 11
V
进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层。
权利要求 12
W
进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层。
权利要求 14
X
进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤。
权利要求 15
Y
进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤。