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对比文件列表
2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005038939A_发明专利_JP2005038939A Semiconductor device, motor driving device, and motor-driven power steering device_+++A_C_E+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
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2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx

对比文件名称:2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法 CN101375392B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括金属片(未公开)【0011】“金属反射板”为薄片金属,但插入空腔,并非用于安装芯片的基底金属片。对比文件未公开在封装底部设置独立的金属片。目标专利的金属片是用于安装LED芯片并散热的金属基底,而对比文件的金属反射板是围绕LED芯片的反射结构,未在芯片下方设置金属片,因此未公开。
技术特征B:表面安装在金属片上的发光二极管芯片(未公开)【0011】“LED素子…前記第1セラミック基板上面の実装領域に配置され”(LED芯片配置在第一陶瓷基板上面的安装区域)。目标专利的LED芯片直接表面安装在金属片上,而对比文件的LED芯片安装在陶瓷基板上,因此未公开。
技术特征C:在金属片上的绝缘层(未公开)对比文件未公开在金属片上的绝缘层;其绝缘层(陶瓷基板)位于芯片下方,但无金属片支撑。目标专利的绝缘层(FR-4)形成在金属片上,对比文件无此结构,因此未公开。
技术特征D:绝缘层与发光二极管芯片隔离(未公开)【0011】绝缘层(第一陶瓷基板)直接与LED芯片接触(芯片安装在其上)。目标专利的绝缘层与芯片隔离(芯片安装在金属片上,绝缘层不接触芯片);对比文件芯片直接接触绝缘层,因此未公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框《直接公开》【0011】“第1セラミック基板…所定の導電性パターンが形成された”(第一陶瓷基板,形成有预定导电图案),该导电图案相当于引线框。对比文件直接公开了在绝缘层(第一陶瓷基板)上的引线框(导电图案),用于电连接LED芯片,作用与目标专利相同,因此直接公开。
技术特征F:在引线框上的反射涂层(未公开)【0011】“金属反射板”为独立部件,并非形成在引线框上的涂层。目标专利的反射涂层是涂覆在引线框上的白色树脂,对比文件的金属反射板是独立插入的金属件,未形成在引线框上,因此未公开。
技术特征G:模塑材料《直接公开》【0012】“透明モールディング材から成った絶縁部”(由透明模塑材料构成的绝缘部),用于密封LED芯片。对比文件直接公开了模塑材料(透明模塑材料),用于填充空腔,因此直接公开。
技术特征H:模塑材料以预定形状模制发光二极管芯片《直接公开》【0012】“LED素子を密封する透明モールディング材”(密封LED芯片的透明模塑材料),模塑材料填充空腔形成预定形状。对比文件直接公开了模塑材料以空腔形状模制LED芯片,因此直接公开。
技术特征I:反射涂层包括在其内部的第一空间《隐含公开》【0011】“金属反射板…前記少なくとも一つのLED素子を囲繞すべく前記第2セラミック基板のキャビティ内に形成された”(金属反射板形成在第二陶瓷基板的空腔内以围绕LED芯片),金属反射板内部形成有空间。虽然对比文件使用金属反射板而非反射涂层,但其内部空间与目标专利中反射涂层内部的第一空间功能类似(容纳模塑材料和芯片),本领域技术人员可合理推断出该空间特征,因此隐含公开。
技术特征J:模塑材料设置在反射涂层的第一空间的内部《隐含公开》【0012】“絶縁部を前記金属反射板に連結させて”(将绝缘部与金属反射板连接),且模塑材料填充在金属反射板内部空间。对比文件模塑材料(绝缘部)设置在金属反射板内部空间,即第一空间内部,因此隐含公开。
技术特征K:模塑材料设置在由绝缘层和引线框所包围的第二空间中《隐含公开》【0011】公开了第2セラミック基板(绝缘层)和導電性パターン(引线框),模塑材料填充在由第二陶瓷基板(绝缘层)和第一陶瓷基板上的导电图案(引线框)所包围的空腔中。对比文件模塑材料填充的空腔由绝缘层(第二陶瓷基板)和引线框(导电图案)包围,本领域技术人员可合理推断出该第二空间的存在,因此隐含公开。
技术特征L:模塑材料部分形成在高于反射涂层内部的第一空间的垂直位置上《隐含公开》【0012】未明确模塑材料高度,但本领域技术人员可根据需要通过调整模塑量使模塑材料部分高于金属反射板内部空间。目标专利中模塑材料可高于反射涂层内部空间,对比文件虽未明确,但本领域技术人员在实施时可容易地使模塑材料填充高度超过金属反射板顶部,从而形成高于第一空间的部分,因此隐含公开。
技术特征M:金属片具有25μm~75μm的厚度(未公开)对比文件未公开金属片厚度,也未公开金属反射板的具体厚度数值。对比文件未给出任何厚度数值,因此未公开。
技术特征N:绝缘层由玻璃环氧基材料形成(未公开)对比文件使用陶瓷基板作为绝缘层,未使用玻璃环氧基材料。对比文件绝缘层为陶瓷,而非玻璃环氧基,因此未公开。
技术特征O:绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(未公开)对比文件未使用阻燃剂-4树脂。对比文件未公开FR-4树脂,因此未公开。
技术特征P:反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(未公开)对比文件金属反射板为金属,未使用氧化钛和树脂涂层。对比文件反射涂层为金属,不含氧化钛和树脂,因此未公开。
技术特征Q:反射涂层由白色树脂制成(未公开)对比文件金属反射板非白色树脂。对比文件未公开白色树脂反射涂层,因此未公开。
技术特征R:白色树脂通过混合碳酸钙、硫酸钡、氧化锌中的至少一种形成(未公开)对比文件未公开该白色树脂组成。对比文件未公开,因此未公开。
技术特征S:反射涂层仅形成在引线框的部分区域上(未公开)对比文件金属反射板为整体结构,未提及仅部分区域形成。对比文件未公开反射涂层部分区域形成,因此未公开。

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