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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx

对比文件名称:WO2005043637A1_Description_20260718_2107

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:本模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片《直接公开》第1实施方式:“放熱板13および14は、熱伝導性に優れる厚さ0.5mm、幅(Z方向)5mmの銅板であり”。第8实施方式:“放熱板13Bは、熱伝導性に優れる厚さ0.2~0.3mmの銅板”。对比文件公开了金属板(放热板),作为散热和安装LED的基板,与目标专利的金属片作用相同,均是LED安装和散热,因此直接公开。
技术特征B:表面安装在金属片上的发光二极管芯片《直接公开》第1实施方式:“LED素子2は、下面は銀ペースト等の接着剤によって放熱板13に接着されている。”对比文件公开了LED元件表面安装在放热板(金属片)上,与目标专利相同,直接公开。
技术特征C:在金属片上的绝缘层《直接公开》第1实施方式:“放熱板13の端面にポリイミド等の絶縁層15aを介して接着されており”。对比文件公开了在放热板(金属片)的端面上设置有绝缘层(聚酰亚胺等),该绝缘层用于隔离引线部与金属片,与目标专利中绝缘层设置在金属片上并用于绝缘的作用相同,因此直接公开。
技术特征D:绝缘层与发光二极管芯片隔离《直接公开》第1实施方式中,LED元件安装在放热板表面,绝缘层在放热板端面,两者不接触。对比文件中,LED元件安装于放热板表面,绝缘层设置于放热板端面,两者位置不同,互不接触,实现隔离,与目标专利中绝缘层与LED芯片隔离的结构相同,直接公开。
技术特征E:在绝缘层上的引线框《直接公开》第1实施方式:“リード部15Aおよび15Bは、放熱板13の端面にポリイミド等の絶縁層15aを介して接着されており”。对比文件公开了引线部(引线框)通过绝缘层粘接在放热板端面上,即引线部设置在绝缘层上,与目标专利的引线框在绝缘层上的结构相同,直接公开。
技术特征F:在引线框上的反射涂层《直接公开》第1实施方式:“リード部15Aおよび15Bは、…表面に銀メツキが施されている。銀メツキを施すことでリード表面に当たる光が反射される。”对比文件公开了在引线部表面施加银镀层,该银镀层用于反射光,即反射涂层,与目标专利中在引线框上设置反射涂层的作用相同,均为反射LED光,因此直接公开。
技术特征G:模塑材料《直接公开》第1实施方式:“LED素子2はシリコン樹脂からなるモールド部2Aによって封止されている。”对比文件公开了用硅树脂模制部(模塑材料)封装LED元件,与目标专利的模塑材料相同,直接公开。
技术特征H:模塑材料以预定形状模制发光二极管芯片《直接公开》第1实施方式:同上,模制部形成预定形状覆盖LED元件。对比文件公开了模制部将LED元件封装成预定形状,与目标专利的模塑材料以预定形状模制LED芯片相同,直接公开。
技术特征I:反射涂层包括在其内部的第一空间《未公开》对比文件未公开反射涂层内部具有空间。目标专利的反射涂层在引线框上,并且由于基板穿孔形成内部空间;对比文件反射涂层(银镀层)在引线部表面,是平面,没有内部空间,且对比文件反射镜部虽有空间但不是涂层,因此未公开。
技术特征J:模塑材料设置在反射涂层的第一空间内部《未公开》对比文件未公开。由于对比文件没有反射涂层内部的第一空间,因此未公开该特征。
技术特征K:模塑材料设置在由绝缘层和引线框包围的第二空间中《未公开》对比文件未公开。对比文件没有绝缘层和引线框包围的第二空间结构,因此未公开。
技术特征L:模塑材料部分形成在高于反射涂层内部的第一空间的垂直位置上《未公开》对比文件未公开。对比文件没有反射涂层内部空间,且模塑材料位置关系不同,未公开。
技术特征M:金属片具有25μm~75μm的厚度《未公开》对比文件放热板厚度为0.5mm(500μm)或0.2-0.3mm(200-300μm),远大于75μm。对比文件未公开金属片厚度在25-75μm范围内,且未暗示该厚度范围,因此未公开。
技术特征N:绝缘层由玻璃环氧基材料形成《未公开》对比文件绝缘层为聚酰亚胺,不是玻璃环氧基材料。对比文件未公开玻璃环氧基材料,因此未公开。
技术特征O:绝缘层由阻燃剂-4树脂形成《未公开》对比文件绝缘层为聚酰亚胺,不是FR-4。对比文件未公开FR-4树脂,因此未公开。
技术特征P:反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分《未公开》对比文件反射涂层为银镀层,不是氧化钛和树脂。对比文件未公开氧化钛和树脂组分的反射涂层,因此未公开。
技术特征Q:反射涂层由白色树脂制成《未公开》对比文件反射涂层为银镀层,不是白色树脂。对比文件未公开白色树脂反射涂层,因此未公开。
技术特征R:白色树脂通过混合碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成《未公开》对比文件未公开白色树脂。对比文件未公开该白色树脂组成,因此未公开。
技术特征S:反射涂层仅形成在引线框的部分区域上《未公开》对比文件未公开反射涂层仅形成在部分区域。对比文件引线部表面银镀层可能覆盖整个表面,未提及选择性形成,因此未公开。

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