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**对比文件名称**：2008-02-28_None_发明专利_JPWO2005097756A1 含窒素複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
**目标专利名称**：1842有机发光器件和制造该有机发光器件的方法CN101675144B
**本次调用的模型名称**：Claude
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该有机发光器件包括第一电极 《直接公开》 | 【0092】“本发明的有机EL元件中的正极，优选使用功函数大的（4eV以上）金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物作为电极物质。” | 对比文件明确公开了有机发光器件包括“正极”（阳极），即第一电极，且其作用与目标专利中的阳极作用相同，均为注入空穴。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：第二电极 《直接公开》 | 【0093】“另一方面，作为阴极，使用功函数小的（不足4eV）金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物作为电极物质。” | 对比文件明确公开了有机发光器件包括“阴极”，即第二电极，且其作用与目标专利中的阴极作用相同，均为注入电子。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：和包括设置在所述电极之间的发光层的至少一个有机材料层 《直接公开》 | 【0091】“本发明的有机EL元件，是有机化合物层的至少一层含有所述通式（A-1）或（A-2）...表示的含氮杂环衍生物，其元件结构是，在阴极和阳极之间夹持至少具有发光层的一层或多层有机薄膜层。” | 对比文件明确公开了有机发光器件包括在阴极和阳极（电极）之间设置发光层（有机材料层）的层结构。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：其中，所述有机材料层的至少一层包含掺杂有选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物的电子传输材料 《未公开》 | 【0096】“作为本发明的有机EL元件的优选形态，可以举出在电子传输区域或阴极与有机层的界面区域含有还原性掺杂剂的元件。...例如，选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物和稀土金属的有机络合物中的至少一种物质。” 【0098】“作为优选的碱金属卤化物，具体可以列举例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。” 【0128】实施例1：“接着，将Li（Li源：SAES GETTERS公司制造）和化合物1-41进行二元蒸镀，形成化合物1-41:Li膜作为电子注入层（或阴极）。” | 对比文件虽然公开了在电子注入层/电子传输层中可以使用“还原性掺杂剂”，并列举了LiF等碱金属卤化物，但其主旨是使用碱金属、碱土金属等具有还原性的物质（如Li）进行掺杂，以降低电子注入势垒。对比文件并未公开将“金属卤化物、金属氧化物、有机金属”作为掺杂剂加入到电子传输材料中，而是倾向于使用高还原性的金属单质。其实施例中明确使用的是“Li”金属，而非目标专利所限定的“金属卤化物”、“金属氧化物”或“有机金属”。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：所述电子传输材料是含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基中的官能团的化合物 《直接公开》 | 【0006】“本发明提供以下含氮杂环衍生物和有机电致发光元件。1. 下述通式（A-1）或（A-2）表示含氮杂环衍生物。” 【0008】“HAr是下述通式（A-3）或（A-4）表示的基团。(式中，R6a~R10a表示取代基。)］” 【0038】“R1~R10的未取代的杂芳基，包括碳原子数3~60的基团，优选选自呋喃、噻吩、吡咯、咪唑、吡唑、三唑、噁二唑、吡啶、吡嗪、三嗪、苯并呋喃、二苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并噻吩、咔唑、苯并咪唑和咪唑并吡啶等残基的基团。” 【0138】表1及实施例中使用的化合物1-41、1-42等均包含苯并咪唑基（咪唑基）。 | 对比文件的核心化合物是含氮杂环衍生物，其通式（A-3）和（A-4）明确包含咪唑基（如苯并咪唑）。对比文件全文公开了大量含有咪唑基的化合物，并将其用作电子传输材料。因此，技术特征E中“含有咪唑基”的化合物被直接公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述含有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基中的官能团的化合物为下列通式3的化合物 《隐含公开》 | 【0009】“2. 通式（A-1）表示的含氮杂环衍生物是下述通式（1-I）或（1-II）表示的上述1记载的含氮杂环衍生物。(式中，R1和R2分别独立选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。但是，R1和R2不同时为氢原子。R3选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。R6和R9选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。R7选自氢原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。R8和R10选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。Ar1选自取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的杂亚芳基、以及二价的取代或未取代的脂肪族烃基。)” | 目标专利的通式3为苯并咪唑衍生物。对比文件公开的通式（1-I）和（1-II）在核心结构（苯并咪唑环）和取代基定义（R1, R2, R3, Ar1等）上与目标专利的通式3高度相似，均涵盖了苯并咪唑环与芳环或杂环连接的结构。虽然存在细微差异（如通式3定义了X，通式1-I未定义），但本领域技术人员在阅读对比文件后，能够合理推断出通式（1-I）和（1-II）所代表的化合物涵盖了目标专利通式3的化合物。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：[通式3] 《隐含公开》 | 【0009】通式（1-I）和（1-II）的结构式，以及【0128】实施例1中化合物1-41的结构式（见对比文件说明书第112页，为一苯并咪唑环与蒽环相连的结构）。 | 对比文件虽然没有直接给出与目标专利完全相同的通式3结构式，但其公开的大量具体化合物（如化合物1-41）和通式（1-I/1-II）的结构，在核心骨架和连接方式上与通式3实质相同。本领域技术人员可以合理推断出通式3是这些结构的概括。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中，R5至R7彼此相同或不同，各自独立地为氢原子、C1～C20脂肪族烃、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 《隐含公开》 | 【0009】“R1和R2分别独立选自...取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基...R7选自氢原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。” | 目标专利通式3中的R5、R6、R7对应对比文件通式（1-I）中的R1、R2、R7。对比文件明确公开了这些基团可以为氢原子、脂肪族烃基、芳基、杂芳基，这些与目标专利的“C1~C20脂肪族烃、芳环、芳杂环”概念实质相同，且“脂肪族或芳族稠环”也属于芳基或杂芳基的范畴。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| **技术特征I**：Ar为直接键合、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 《隐含公开》 | 【0009】“Ar1选自取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的杂亚芳基、以及二价的取代或未取代的脂肪族烃基。” | 对比文件公开的Ar1为亚芳基、杂亚芳基、亚烷基，均为二价基团。目标专利的Ar在通式3中起连接作用，其定义的“直接键合、芳环、芳杂环”在作为连接单元时，其本质与对比文件的“亚芳基、杂亚芳基”等同。本领域技术人员可以合理推断，当n=1时，Ar即为连接基团。因此，技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J**：X为O、S或NRa 《隐含公开》 | 【0009】通式（1-I）和（1-II）的结构式中，苯并咪唑环上的X为N（氮原子）。 | 目标专利的通式3中，X是五元环上的杂原子，定义为O、S或NRa。对比文件的通式（1-I）中，该位置同为N，但N（NRa）是目标专利定义的一种情况。此外，对比文件说明书【0038】列举了“呋喃、噻吩、吡咯、咪唑”等五元杂环，表明其已考虑不同杂原子。因此，本领域技术人员在对比文件启示下，可以合理推断出X可以是O、S或NRa。技术特征J被隐含公开。 |
| **技术特征K**：Ra为氢原子、C1～C7脂肪族烃、芳环或芳杂环 《隐含公开》 | 【0009】“R7选自氢原子、取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂芳基。” | 当X为NRa时，Ra即为N上的取代基。对比文件通式（1-I）中，苯并咪唑环的N原子可能连接氢或取代基（如R7或R1等）。对比文件定义的R7等取代基可以是氢、脂肪族烃、芳基、杂芳基，这与目标专利的Ra定义完全对应。因此，技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L**：条件是R5和R6不能同时为氢；并且中，所述含有喹啉基的化合物选自下列通式5～11的化合物 《未公开》 | 【0009】“但是，R1和R2不同时为氢原子。” | 对比文件明确公开了“R1和R2不同时为氢原子”这一条件，该条件与目标专利中“R5和R6不能同时为氢”完全对应。因此，该部分条件被直接公开。然而，对比文件通篇未公开任何含有喹啉基且结构如通式5~11所示的化合物。对比文件表1中使用的化合物均为苯并咪唑衍生物，无一涉及喹啉骨架。因此，关于喹啉基化合物的部分未被对比文件以任何形式公开。由于该技术特征包含两个部分，且其中一个部分（喹啉基化合物）完全未被公开，故技术特征L整体未被公开。 |
| **技术特征M-Y**：通式5～11及其相关定义 《未公开》 | 对比文件全文未公开任何与通式5~11结构相似的化合物，也未提及相关定义。 | 经过全文检索，对比文件未公开任何含有喹啉基且具有通式5~11所示结构的化合物，也未对其中n、m、R9、Y等特征进行定义或公开。因此，技术特征M至Y均未被对比文件公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述有机材料层进一步包括空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层 《直接公开》 | 【0091】“具体地，可以列举（阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极）、（阳极/发光层/电子注入层/阴极）、（阳极/空穴注入层/发光层/阴极）和（阳极/发光层/阴极）等。” | 对比文件明确公开了有机发光器件的有机材料层可以包括“空穴注入层”（正孔注入层）、“空穴传输层”（正孔输运层）等。因此，技术特征Z被直接公开。 |
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