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对比文件列表
1999-11-30_None_发明专利_JPH11327708A Power source system_+++J_K_c_d_e_g+++.docx
2026-03-24 23:36
2003-01-16_US2003011247A_发明申请_US20030011247A1 Power supply device_+++J_c_g_v_y+++.docx
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2005-07-14_WO2005064427A_发明申请_WO2005064427A1 CONSTANT VOLTAGE POWER SUPPLY_+++J_c_d_l_u_v+++.docx
2026-03-24 23:36
2007-01-31_EP1667158B_发明授权_EP1667158B1 A voltage down-converter with reduced ripple_+++C_D_E_F_G_J_K_P_Q+++.docx
2026-03-24 23:36
2008-10-21_US7441137B_发明授权_US07441137B1 Voltage regulator with internal controls for adjusting output based on feed-forward load information_+++B_C_L_U_v+++.docx
2026-03-24 23:36
2011-02-03_JP2011022837A_发明专利_JP2011022837A Power circuit and semiconductor device_+++c_g_k_p+++.docx
2026-03-24 23:36
2012-01-03_US8089353B_发明授权_US08089353B2 4Less—Xtaless, capless, indless, dioless TSOC design of SOC or 4Free—Xtalfree, capfree, indfree, diofree TSOC design of SOC_+++G_J_K_S_a_c_d_h_m_n_p_t+++.docx
2026-03-24 23:36
2012-04-12_US2012086420A_发明申请_US20120086420A1 Capless Regulator Overshoot and Undershoot Regulation Circuit_+++c_w+++.docx
2026-03-24 23:36
2012-05-24_US2012126781A_发明申请_US20120126781A1 ON-CHIP IR DROP DETECTORS FOR FUNCTIONAL AND TEST MODE SCENARIOS, CIRCUITS, PROCESSES AND SYSTEMS_+++c+++.docx
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2012-10-04_US2012249103A_发明申请_US20120249103A1 SYSTEMS AND METHODS FOR INTEGRATED SWITCH-MODE DC-DC CONVERTERS FOR POWER SUPPLIES_+++J_c+++.docx
2026-03-24 23:36
2012-05-24_US2012126781A_发明申请_US20120126781A1 ON-CHIP IR DROP DETECTORS FOR FUNCTIONAL AND TEST MODE SCENARIOS, CIRCUITS, PROCESSES AND SYSTEMS_+++c+++.docx

对比文件名称:2012-05-24_US2012126781A_发明申请_US20120126781A1 ON-CHIP IR DROP DETECTORS FOR FUNCTIONAL AND TEST MODE SCENARIOS, CIRCUITS, PROCESSES AND SYSTEMS

目标专利名称:用于集成无电容低压差(LDO)电压调节器的数字辅助调节CN105190465B

模型名称:DeepSeek-R1

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:所述方法包括:响应于由系统电路供应的提前通知信号启用数/模转换器DAC以提供电流。<br>**《未公开》**对比文件第[0046]段提到:“In FIG. 1B, circuit 150 is fed by an LDO (low drop-out voltage circuit) to provide or supply a stable voltage...”;第[0046]段也提到:“The analog reference voltage VREF is generated by a trimmable voltage reference circuit 150...”。第[0045]段提到:“Trim Bits Register 155 is configured either by Scan-in or through a bus 105.”。第[0095]段提到:“ADC 715 supplies an n-bit output representing difference voltage V in digital form.”**论述**:对比文件公开了LDO电路(用于生成稳定的参考电压VREF)以及ADC(模数转换器),并在多处提及DAC(数模转换器,例如在ADC的上下文中)。然而,对比文件中的LDO是作为参考电压发生器的一部分,DAC也主要出现在ADC的上下文中或作为数字控制的一部分,其功能是生成用于测试和监测的参考电压或处理数字信号,**而非**响应于一个来自系统电路的、指示即将发生负载变化的“提前通知信号”而被启用以向系统电路**提供电流**。目标专利中DAC的作用是作为数字辅助调节器的电流源,与LDO并联以主动补充负载电流,防止下冲。对比文件完全没有公开这种基于提前通知的、DAC作为辅助电流源的操作模式。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征B**:其中所述提前通知信号指示所述系统电路即将发生的负载变化将在预定时间段内开始。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及任何关于“提前通知信号(early notification signal)”、“即将发生的负载变化(impending load change)”或“预定时间段(predetermined period of time)”的内容。**论述**:“提前通知信号”是目标专利实现其发明目的(防止电压下冲)的核心控制机制。对比文件涉及对已发生或正在发生的IR压降(电压降)进行检测和监测的电路与方法,其所有操作(如扫描测试模式、比较、测量)都是对静态或动态电流导致的**现有**电压状态进行响应,**没有**任何关于预测或通知**未来**负载变化的内容。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征C**:所述即将发生的负载变化是需要增加电流的。<br>**《隐含公开》**对比文件第[0004]段:“In electronics, the voltage across an electrically resistive circuit portion is equal to the product of multiplying its resistance R (ohms) times the amount of electric current I (amperes) flowing through it according to Ohm's Law.”;第[0008]段:“IR drop in the chip can lead to reduction in device performance.”;第[0046]段:“...used to detect the IR drop at its tap 30.i.”。**论述**:对比文件的核心是检测IR压降,而IR压降是由流经电阻性通路的电流(I)引起的(欧姆定律)。虽然对比文件没有明确表述“负载变化需要增加电流”,但其技术背景和原理已充分揭示:芯片内电路模块的活动变化会导致电流需求(即负载电流)的变化,进而引起IR压降。本领域技术人员阅读对比文件后能够毫无疑义地理解,所讨论的导致IR压降的电流变化,自然包括了电流增加(以及减少)的情形。因此,“负载变化需要增加电流”这一技术特征所描述的物理现象,已被对比文件**隐含公开**。
**技术特征D**:将由所启用的DAC提供的电流与由低压差LDO调节器提供的电流组合以向所述系统电路供应,从而使得所述系统电路的电压下冲减小或去除。<br>**《未公开》**对比文件第[0046]段:“In FIG. 1B, circuit 150 is fed by an LDO (low drop-out voltage circuit) to provide or supply a stable voltage for ultimately deriving VREF as an analog reference voltage...”。第[0095]段:“ADC 715 supplies an n-bit output representing difference voltage V in digital form.”。**论述**:对比文件虽然提到了LDO和DAC(在ADC语境下),但其中LDO的作用是生成一个稳定的**参考电压VREF**,供给比较器或ADC,用于**监测**电源网格点的电压(IR压降)。它**不是**作为一个向系统电路供电的**调节器**。对比文件中的DAC也并非用于向系统电路提供辅助电流。整个对比文件的系统架构是“检测与监测”,而非“调节与供电”。目标专利中DAC与LDO**组合供电以主动抑制电压下冲**的技术方案,在对比文件中完全没有记载。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征E**:其中降低由所述DAC提供的所述电流直到达到所述系统电路的操作电压。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及通过控制DAC输出电流来将系统电路电压调节到某一操作电压的过程。**论述**:该特征描述了数字辅助调节器(通过DAC实现)在启动后的一种精细控制步骤,即通过降低其输出电流,使系统电压平滑地达到目标操作电压。对比文件中的电路仅用于电压检测和比较,不具备这种作为电源对负载电压进行闭环调节的功能。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征F**:其中将由所述DAC提供的所述电流降低到使由所述LDO供应的剩余负载电流平衡在预定范围内的电平。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及通过DAC和LDO之间的电流平衡控制,以使LDO工作在其线性范围内的操作。**论述**:该特征揭示了数字辅助调节器与模拟LDO之间的一种协同工作模式,即数字部分处理大范围的静态或慢变电流,使模拟LDO工作在其设计最优、响应最快的电流区间。这是目标专利提高系统稳定性和性能的关键点之一。对比文件的检测电路与电源调节无关,不存在这种电流分配与平衡机制。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征G**:其中所述DAC和所述LDO调节器在不需要到外部电容器的外部封装引脚连接的情况下嵌入在所述系统电路内。<br>**《未公开》**对比文件第[0046]段:“In FIG. 1B, circuit 150 is fed by an LDO (low drop-out voltage circuit) to provide or supply a stable voltage...”。整个说明书描述的都是**片上(on-chip)** 检测电路,例如标题“ON-CHIP IR DROP DETECTORS”。**论述**:对比文件确实公开了LDO和ADC/DAC等电路是集成在芯片上的(on-chip)。然而,目标专利该特征强调的是DAC和LDO作为**调节器**嵌入在**系统电路内**,且**无需外部电容器引脚**,这是为了解决背景技术中提到的使用外部大电容所带来的问题。对比文件中的LDO是参考电压源的一部分,并非用作向核心系统电路供电的主调节器;其“片上”集成是为了实现分布式电压检测,目的与目标专利不同。尽管在“集成于片上”这一物理形式上相似,但目标专利特征所限定的技术手段(作为调节器嵌入)和技术问题(去外部电容)均未被对比文件公开。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征H**:其进一步包括:通过电流模/数转换器监测由所述LDO调节器提供的所述电流以指示所述LDO输出电流是过高还是过低。<br>**《未公开》**对比文件公开了使用ADC监测**电压**(例如第[0095]段:“ADC 715 supplies an n-bit output representing difference voltage V in digital form.”),以及使用比较器比较**电压**(例如第[0047]段:“The comparator 110.i outputs a particular voltage level...if the compared power-grid-point voltage VPGP...is lower than the analog reference voltage VREF.”)。**论述**:该特征限定了使用**电流**模数转换器来监测**LDO调节器的输出电流**,并判断其是否超出范围。对比文件中监测的对象是**电压**(电源网格点电压VPGP或与参考电压的差值),而不是**电流**;监测的器件也不是作为供电调节器的LDO的输出。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征I**:其进一步包括:通过电流模/数转换器监测由所述LDO调节器提供的所述电流以指示所述LDO输出电流是过高、在中间范围操作电平下还是过低。<br>**《未公开》**同上(技术特征H的引用)。对比文件未公开监测LDO输出电流的电流ADC。**论述**:该特征是对技术特征H的进一步细化,要求电流ADC能区分三种状态(过高、中间、过低)。对比文件同样没有公开任何监测LDO输出电流的装置,更不用说具有多阈值判断功能的电流ADC。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征J**:所述设备包括:低压差LDO调节器,其经配置以提供电压和电流的线性调节。<br>**《未公开》**对比文件第[0046]段:“In FIG. 1B, circuit 150 is fed by an LDO (low drop-out voltage circuit) to provide or supply a stable voltage for ultimately deriving VREF as an analog reference voltage...”。**论述**:对比文件虽然提到了LDO电路,但其在该文件中的作用非常明确:作为**参考电压发生器**的一部分,为比较器或ADC提供一个稳定的、可微调的参考电压VREF。它**不是**“经配置以提供电压和电流的线性调节”给系统电路或负载的**调节器**。两者功能定位根本不同。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征K**:数字辅助调节器,其耦合到所述LDO调节器并且经配置以提供电压和电流的数字辅助调节。<br>**《未公开》**对比文件描述了包含数字控制器(如计数器、寄存器)、ADC、比较器等的监测电路(例如图1B中的100.i,包含比较器110.i、寄存器120.i等)。**论述**:对比文件中的数字电路(如ADC、寄存器、数字比较器)构成的是**监测和检测系统**,用于采集、比较和输出电压信息。它们**不是**一个“数字辅助调节器”,其目的不是向负载提供辅助的电压和电流调节,而是为了测试和诊断。这些数字电路并未与一个作为电源调节器的LDO耦合以协同工作。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征L**:系统电路,其耦合到所述数字辅助调节器并且耦合到所述LDO调节器以接收供电电压和电流,并且具有提前通知电路,所述提前通知电路经配置以适时地通知所述数字辅助调节器即将发生的负载变化以使得所述数字辅助调节器向所述系统电路供应所述负载变化所要求的电流。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及任何具有“提前通知电路”的“系统电路”。其描述的“functional circuit”(功能电路)是被监测的对象,本身不会发出关于未来负载变化的通知。**论述**:该特征定义了系统电路、数字辅助调节器、LDO调节器三者之间的连接关系和控制逻辑,其中“提前通知电路”是关键。对比文件中完全不存在“提前通知”这一概念。其功能电路只是被动地产生IR压降现象供检测电路监测,而不具备主动预测并通知未来负载变化的功能。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征M**:其进一步包括:电流模/数转换器IADC,其经配置以监测与所述LDO调节器相关联的电流并且向数字控制器提供呈数字形式的信息,所述信息表示由所述LDO调节器提供的电流电平。<br>**《未公开》**对比文件公开了ADC,但用于测量**电压**(如第[0095]段)。未公开专门用于监测LDO调节器输出**电流**的IADC。**论述**:该特征明确限定了IADC的监测对象是“与LDO调节器相关联的电流”。对比文件中的ADC测量的是电压(VPGP或VDD-VPGP),而非电流,且其测量点与LDO调节器的输出无关。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征N**:其中所述IADC包括:阈值比较器,其监测与LDO输出装置相关联的电流并且指示所述LDO输出电流是过高还是过低。<br>**《未公开》**对比文件公开了电压比较器(如110.i),用于比较电压VPGP和VREF(第[0047]段)。未公开用于监测电流的阈值比较器。**论述**:该特征是对IADC具体实现方式的限定。对比文件虽有比较器,但比较的是电压信号,且其参考端接的是参考电压VREF,而非用于判断电流高低的电流阈值。功能完全不同。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征O**:其中所述IADC包括:阈值比较器,其监测与所述LDO输出装置相关联的电流并且指示所述LDO输出电流是过高、在中间范围操作电平下还是过低。<br>**《未公开》**同上(技术特征N的引用)。对比文件未公开具有多阈值以区分三种电流状态的比较器。**论述**:该特征要求IADC能提供更精细的电流状态指示(三态)。对比文件既未公开电流监测,也未公开这种多阈值比较的判断逻辑。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征P**:其进一步包括晶体管组合件:其中所述晶体管组合件包含多个晶体管,其由所述数字控制器成组地控制以增加或降低供应到所述系统电路的电流。<br>**《未公开》**对比文件中提到了晶体管(如FET)作为多路复用器(MUX)中的开关(例如第[0066]段:“Multiplexer circuit 225 suitably has a set of FETs...”),或作为参考电压生成电路中的微调开关(第[0046]段:“...lower-resistance switching elements , such as transistors...”)。**论述**:对比文件中的晶体管用作信号路径的开关(在MUX中)或电阻网络的微调元件,其控制目的**是选择被测电压信号或微调参考电压值**。而目标专利中的“晶体管组合件”是一个受数字控制器**成组控制**的**并联电流源**,其功能是**直接向系统电路提供可调大小的电流**。两者虽然都使用了晶体管,但电路结构、控制方式和在整体系统中所起的作用(信号选择/微调 vs. 电流供应)有本质区别。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征Q**:其中所述晶体管组合件通过所述数字控制器将所述系统电路的所述供电电压朝向芯片的传入供电电压上拉而驱动。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及通过控制晶体管组合件将负载供电电压上拉到芯片输入电压(Vddext)的操作。**论述**:该特征描述了数字辅助调节器在接收到提前通知后的一个快速响应动作,即快速开启大电流通路,将输出电压预上拉,以应对即将到来的大负载电流需求。这是目标专利防止电压下冲的具体手段之一。对比文件的晶体管开关不具备这种供电电压上拉功能。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征R**:其中所述数字控制器从电流模/数控制器获得指示所述LDO调节器正发出多少电流的输入,并且作为响应,控制所述供电电压向所述系统电路的指定操作电压的斜降,其中所述系统电路的电压下冲被减小或去除。<br>**《未公开》**对比文件中的数字控制器(如计数器、状态机)用于控制多路复用器的选择、计数等(例如第[0066]段:“...selector control correspondingly responsive to ring counter 230.”)。未描述其从电流ADC获取输入并控制电压斜降。**论述**:该特征描述了数字控制器的闭环控制逻辑:基于电流ADC的反馈,控制输出电压平滑下降至目标值。这是一个精密的电源管理控制过程。对比文件中的数字控制器用于顺序扫描和测试控制,不执行电源调节的闭环控制算法。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征S**:其中所述数字控制器和所述晶体管组合件处理所述系统电路的静态电流需求,而所述LDO调节器处理所述系统电路的高频动态电流需求。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及在电源调节中对静态电流需求和高频动态电流需求进行分工处理的架构。**论述**:该特征揭示了目标专利中数字部分与模拟部分的一种优化分工架构,结合了两者的优点。对比文件的电路不涉及对负载电流的供应,因此不存在这种处理不同频率分量电流需求的分工。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征T**:所述数字控制器和所述晶体管组合件扩充所述LDO调节器的静态电流容量以支持为芯片上泄漏供电。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及通过数字辅助电路来扩展LDO静态电流容量以应对芯片泄漏电流的内容。**论述**:该特征指出了数字辅助调节器的另一个优点:扩展总电流处理能力,特别是应对静态泄漏电流。这同样是电源调节领域的特定问题。对比文件的检测电路不处理供电问题,故未涉及此内容。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征U**:其中:所述系统电路经配置以产生表示负载变化将在预定时间段中发生的提前通知信号。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及系统电路产生“提前通知信号”。**论述**:该特征与技术特征B、L相关,强调了提前通知信号的产生源。对比文件中的系统电路(功能电路)只是被测试和监测的对象,不具备产生此类预测性信号的功能。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征V**:所述低压差LDO调节器耦合到所述系统电路以接收所述提前通知信号并且响应于所述提前通知信号在所述负载变化时间期间扩展所述LDO调节器的带宽。<br>**《未公开》**对比文件第[0046]段提到了LDO,但其并未被描述为接收任何来自系统电路的信号以扩展自身带宽。**论述**:该特征描述了一种纯模拟LDO的增强方案,即通过接收提前通知信号来临时扩展其带宽。这仍然依赖于“提前通知信号”这一核心机制。对比文件中的LDO不接收此类信号,其带宽是固定的,用于生成稳定参考电压。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征W**:其进一步包括:米勒补偿电容器,其用以稳定所述LDO调节器。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及“米勒补偿电容器(Miller compensation capacitor)”。**论述**:米勒补偿是模拟LDO调节器中一种常用的频率补偿技术,用于确保环路稳定性。对比文件未描述LDO作为调节器的内部结构,因此未公开此具体补偿元件。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征X**:可变电阻器电路,其与所述米勒补偿电容器组合而提供对所述系统电路所需的特定负载电流的补偿。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及与米勒电容组合的、用于随负载电流变化而调整的可变电阻器电路。**论述**:该特征描述了LDO调节器内部的一种自适应补偿网络,使其能在宽负载电流范围内保持稳定。这是模拟LDO设计中的高级技术。对比文件未涉及LDO作为调节器的稳定性补偿设计。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。
**技术特征Y**:其中所述可变电阻器电路的值跟踪所述系统电路的所述负载电流的变化,其中所述LDO调节器在广泛的电流需求范围内提供稳定的电流供应。<br>**《未公开》**经查阅,对比文件全文未提及可变电阻器电路的值跟踪负载电流变化。**论述**:该特征进一步明确了可变电阻器电路的自适应跟踪功能,是实现宽范围稳定调节的关键。对比文件完全不涉及此类用于电源调节器稳定性补偿的自适应控制。因此,该技术特征**未被对比文件公开**。

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