本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
对比文件名称：2010-09-29_EP2232800A_发明公开_EP2232800A1 DE-EMPHASIS CIRCUIT FOR A VOLTAGE MODE DRIVER USED TO COMMUNICATE VIA A DIFFERENTIAL COMMUNICATION LINK
目标专利名称：带有内置去加重的高速预驱动器和电压电平转换器CN103947114B
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：串行化器<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件描述了一个用于差分通信链路的电压模式驱动器去加重电路的系统（图2及对应描述），其中提到了处理器202、桥接电路204、高速I/O设备206等组件，并描述了传输电路218、234包含预驱动器电路298、去加重电路224、240和电压模式差分驱动器电路225、241。然而，对比文件全文没有提及“串行化器（Serializer）”或其功能等效的组件。串行化器是将并行数据转换为高速串行数据的关键部件，在目标专利中用于产生差分输入信号。对比文件中的预驱动器电路298接收的是“differential voltage signal 300”，但并未说明该信号由串行化器产生。因此，对比文件既未直接描述也未隐含公开“串行化器”这一组件。 |
| 技术特征B：被耦合以从所述串行化器接收差分输入的预驱动器，<br>**《未公开》** | 第[0035]段：“The transmission circuit 218, 234 includes a predriver circuit 298... During operation, the predriver circuit 298 transmits a differential voltage signal 300 via terminal 302 and terminal 304.” | 对比文件公开了“预驱动器电路（predriver circuit）298”，并且该电路输出差分电压信号300。然而，技术特征B明确限定该预驱动器是“被耦合以从所述串行化器接收差分输入”。如上所述，对比文件未公开串行化器，因此预驱动器电路298的输入信号来源未被明确限定为来自串行化器。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该预驱动器必然与串行化器耦合。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征C：其中所述预驱动器包括：全p型金属氧化物硅(PMOS)交叉耦合电平转换器，其包括四个PMOS晶体管以从所述串行化器接收差分输入并提供预驱动器输出<br>**《未公开》** | 1. 第[0036]段：“The voltage mode differential driver circuit 225, 241 includes a first voltage mode driver circuit 312 and a second voltage mode driver circuit 314 as known in the art.”<br>2. 第[0044]段：“In some embodiments, the transistors are n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (i.e., NMOS transistors). However, any suitable transistor can be used in accordance with the present disclosure, such as, for example, p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (i.e., PMOS transistors).” | 技术特征C限定了预驱动器包含一个特定的电路结构：“全PMOS交叉耦合电平转换器，其包括四个PMOS晶体管”。首先，对比文件虽然描述了电压模式差分驱动器电路225、241，但将其描述为“as known in the art”（如本领域已知），并未揭示其内部具体为交叉耦合的PMOS晶体管结构。其次，对比文件在描述双向电流源电路308时（图4、5），提到了可以使用NMOS或PMOS晶体管，但这属于去加重电路部分，而非预驱动器或电平转换器的主干结构。最后，该特征明确其功能是“以从所述串行化器接收差分输入”，由于串行化器未被公开，该功能连接也无法确立。因此，对比文件既未直接公开该具体的全PMOS交叉耦合电平转换器结构，也未隐含公开其与串行化器的连接关系。 |
| 技术特征D：形成分别耦合到所述交叉耦合电平转换器的输出的去加重抽头的两个去加重PMOS晶体管，<br>**《未公开》** | 1. 第[0035]段：“The de-emphasis circuit 224, 240 includes a bi-directional current source circuit 308.”<br>2. 第[0044]段：“In some embodiments, the transistors are n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (i.e., NMOS transistors). However, any suitable transistor can be used in accordance with the present disclosure, such as, for example, p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (i.e., PMOS transistors).”<br>3. 图4、5展示了双向电流源电路308的实施例，其中包含多个电流源电路（400, 500），每个包含晶体管（408, 508）。 | 技术特征D限定了两个特定的“去加重PMOS晶体管”，它们“形成分别耦合到所述交叉耦合电平转换器的输出的去加重抽头”。对比文件公开了独立的“去加重电路（de-emphasis circuit）224, 240”，其包含“双向电流源电路（bi-directional current source circuit）308”。该电路用于对输出信号进行去加重。虽然对比文件提到可以使用PMOS晶体管（第[0044]段），并且图4、5的电流源电路中包含晶体管，但这些晶体管构成的是独立的、并联在输出端之间的电流源阵列，用于控制去加重电流的大小（第[0043]段），其结构和连接方式（如通过使能晶体管控制）与目标专利中“形成去加重抽头”并直接耦合到交叉耦合电平转换器输出的两个特定PMOS晶体管不同。更重要的是，对比文件未公开“交叉耦合电平转换器”，因此“耦合到其输出”这一关系无法成立。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：其中所述两个去加重PMOS晶体管与所述交叉耦合电平转换器并联耦合<br>**《未公开》** | 无直接对应内容。 | 技术特征E描述了去加重PMOS晶体管与交叉耦合电平转换器之间的连接关系——“并联耦合”。由于对比文件既未公开“全PMOS交叉耦合电平转换器”（特征C），也未公开“两个去加重PMOS晶体管…耦合到所述交叉耦合电平转换器的输出”（特征D），因此这两者之间的“并联耦合”关系自然也无法从对比文件中得出或推断。该特征是建立在未被公开的特定组件基础上的特定连接关系，因此未被公开。 |
| 技术特征F：耦合到预驱动器输出并被配置成从所述预驱动器接收差分输入的驱动器。<br>**《直接公开》** | 第[0035]段：“The transmission circuit 218, 234 includes a predriver circuit 298, the de-emphasis circuit 224, 240, the voltage mode differential driver circuit 225, 241...”<br>第[0036]段：“The voltage mode differential driver circuit 225, 241 is operatively coupled to the predriver circuit 298 via terminals 302 and 304...” | 对比文件明确公开了传输电路218/234包含“电压模式差分驱动器电路（voltage mode differential driver circuit）225, 241”。该电路通过端子302和304“operatively coupled to the predriver circuit 298”，即从预驱动器电路298接收差分电压信号300。这与技术特征F“耦合到预驱动器输出并被配置成从所述预驱动器接收差分输入的驱动器”完全对应。在对比文件中，该驱动器电路的作用是接收预驱动器的信号并驱动差分链路，与目标专利中驱动器的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，来自所述串行化器的所述差分输入的每一输入线耦合到所述交叉耦合电平转换器的相应互补输入。<br>**《未公开》** | 无 | 该技术特征描述了串行化器的差分输出与交叉耦合电平转换器输入之间的具体连接关系。对比文件未公开“串行化器”（特征A）和“全PMOS交叉耦合电平转换器”（特征C），因此这两者之间的连接关系“每一输入线耦合到…相应互补输入”无从谈起。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特定连接。 |
| 技术特征H：其特征在于，来自所述串行化器的所述差分输入的每一输入线耦合到所述去加重PMOS晶体管中的相应一个去加重PMOS晶体管的输入。<br>**《未公开》** | 无 | 该技术特征描述了串行化器的差分输出与去加重PMOS晶体管输入之间的具体连接关系。对比文件未公开“串行化器”（特征A）和“两个去加重PMOS晶体管”（特征D），因此这两者之间的连接关系“每一输入线耦合到…相应一个去加重PMOS晶体管的输入”无法从对比文件中得出或推断。 |
| 技术特征I：其特征在于，进一步包括：耦合在所述交叉耦合电平转换器与接地之间的尾电流控制晶体管<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件中未描述任何与“交叉耦合电平转换器”串联并连接到接地的“尾电流控制晶体管”结构。图4和图5所示的偏置电路（402, 502）和电流源晶体管（408, 508）的连接方式（连接在输出端316和318之间，并经由使能晶体管连接到偏置或地）与目标专利中设置在交叉耦合电平转换器与地之间的尾电流控制晶体管的结构和功能不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：被耦合以控制所述尾电流控制晶体管的第一电流镜。<br>**《未公开》** | 第[0043]段：“The de-emphasis control circuit 310 controls the magnitude of current provided by the bi-directional current source circuit 308 by selectively enabling particular current source circuits 400.”<br>图4、5展示了包括偏置电路（402, 502）的电流源电路，偏置电路用于确保电流源晶体管工作在饱和区。 | 技术特征J限定了一个“第一电流镜”，其被耦合以控制“尾电流控制晶体管”（特征I）。对比文件公开了“去加重控制电路（de-emphasis control circuit）310”和“偏置电路（bias circuit）402/502”。偏置电路可以理解为一种产生参考电流/电压的电路，可能包含电流镜结构。然而，对比文件中的偏置电路是用于控制“双向电流源电路308”中的电流源晶体管（408, 508），使其工作在饱和区，以提供可控的去加重电流。这与目标专利中用于控制连接在交叉耦合电平转换器与地之间的尾电流控制晶体管（用于设置主信号通路的尾电流和共模点）的“第一电流镜”在电路位置、控制对象和功能上均不相同。由于特征I的“尾电流控制晶体管”未被公开，控制它的“第一电流镜”自然也无法被对应。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，进一步包括：第二电流镜，所述第二电流镜被耦合以由所述第一电流镜控制，并且用以向所述两个去加重PMOS晶体管提供电流。<br>**《未公开》** | 无 | 该技术特征描述了由第一电流镜控制的第二电流镜，用于向两个去加重PMOS晶体管提供电流。对比文件完全没有描述这种两级电流镜结构，其中第一级控制尾电流，第二级专门为去加重晶体管提供电流。图4、5中的偏置电路402/502和使能晶体管404/406、504/506的结构与控制逻辑与目标专利的电流镜结构不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述串行化器由第一功率域供电，并且所述交叉耦合电平转换器由第二功率域供电。<br>**《未公开》** | 无 | 该技术特征涉及不同电路部分（串行化器与交叉耦合电平转换器）由不同功率域供电的特定电源架构。对比文件中没有提及“功率域（power domain）”的概念，也没有描述串行化器（因其未被公开）和电平转换器（因其未被公开）分别由不同电压的电源供电。虽然图2所示的系统200中，桥接电路204和高速I/O设备206可能内部有不同的电源轨，但对比文件说明书并未明确描述传输电路内部存在不同的功率域并为不同部件供电。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述集成电路与HDMI v1.4兼容设备、移动设备、机顶盒、电视、计算机、计算机视频卡、游戏控制台、DVD播放器、卫星接收机、监视器、显示器头戴式送受话器、视频中继器、摄像机、家庭影院接收机和视频切换设备中的至少一者集成。<br>**《隐含公开》** | 第[0027]段：“...device 200 such as a wireless phone, a mobile and/or stationary computer, a printer, a LAN interface (wireless and/or wired), a media player, a video decoder and/or encoder, and/or any other suitable digital device is depicted.” | 技术特征M限定了集成电路可集成的设备类型列表。对比文件第[0027]段描述了包含所公开传输电路的设备200的示例，包括无线电话、移动和/或固定计算机、媒体播放器、视频解码器/编码器等。虽然列表不完全重合，但“移动设备（mobile computer）”、“计算机（computer）”与目标专利的“移动设备”、“计算机”直接对应。此外，“媒体播放器（media player）”和“视频解码器/编码器（video decoder and/or encoder）”在功能和应用场景上与目标专利列出的“DVD播放器”、“显示器”、“摄像机”、“家庭影院接收机”等视频/音频设备属于相同或类似的技术领域。本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出所公开的电路可以应用于需要进行高速差分数据传输的多种电子设备中，包括但不限于对比文件列举的和目标专利列举的那些设备。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述串行化器、所述预驱动器和所述驱动器中的至少一者集成在至少一个半导体管芯上。<br>**《隐含公开》** | 第[0054]段：“Also, integrated circuit design systems (e.g., work stations) are known that create integrated circuits based on executable information stored on a computer readable memory... As such, the ‘circuits’ described herein may also be produced as integrated circuits by such systems. For example an integrated circuit may be created for use in a display using information stored on a computer readable medium that when executed cause the integrated circuit design system to create an integrated circuit that includes a voltage mode differential circuit and a bi-directional current source circuit.” | 技术特征N限定了电路的制造形式，即集成在半导体管芯上。对比文件第[0054]段明确指出，文中描述的“电路”可以通过集成电路设计系统制造为“集成电路（integrated circuits）”。在半导体领域，“集成电路”通常意味着电路组件被制造在至少一个半导体管芯（semiconductor die）上。虽然对比文件没有明确使用“半导体管芯”一词，但本领域技术人员熟知集成电路的物理实现形式就是在半导体管芯上。因此，可以合理推断对比文件所公开的包含预驱动器、去加重电路和驱动器等电路的传输电路，可以被制造为集成在至少一个半导体管芯上的集成电路。该技术特征被对比文件隐含公开。 |
<<<F>>><<<m>>><<<n>>>