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对比文件列表
1988-06-29_None_发明专利_JPS63155826A Data transmission equipment_+++A_C_D_E_F_H_I_J_L_P_Q_S_g_k+++.docx
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1992-01-06_None_实用新型_JPH04509U JPH04509U -_+++C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_P_Q_R_S+++.docx
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1994-01-04_US5276912A_发明授权_US5276912A Radio frequency power amplifier having variable output power_+++D_E_F_H_M_N_c_g_o_q+++.docx
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2001-10-09_US6301128B_发明授权_US06301128B1 Contactless electrical energy transmission system_+++A_B_C_D_E_H_I_L_S_f_g_j_k+++.docx
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2001-10-18_US2001030581A_发明申请_US20010030581A1 Bidirectional direct current power conversion circuits and methods_+++C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_N_O_P_R_S_a_b+++.docx
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2001-11-02_JP2001309580A_发明专利_JP2001309580A Non-contact power transfer apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_S+++.docx
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2004-12-16_WO2004070941A_发明申请_WO2004070941A3 MONOLITHIC SUPPLY-MODULATED RF POWER AMPLIFIER AND DC-DC POWER CONVERTER IC_+++A_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_R_S_b_n+++.docx
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2005-01-13_KR1020050005480A_发明公开_KR1020050005480A 비접촉 배터리 충전 방법 및 장치, 비접촉 충전 가능한배터리로 동작하는 디바이스용 장치 및 시스템_+++A_B_C_D_E_I_S_f_g_h_j_k_l+++.docx
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2005-01-27_JP2005026741A_发明专利_JP2005026741A Non-contact ic card reader_writer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_p+++.docx
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2005-02-10_US2005029351A_发明申请_US20050029351A1 Noncontact IC card reader_writer_+++A_B_C_D_E_H_f_g+++.docx
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2005-05-26_JP2005137040A_发明专利_JP2005137040A Noncontact power supply_+++A_B_C_D_E_F_H_Q_g_p+++.docx
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2005-06-14_US6907231B_发明授权_US06907231B2 On-chip impedance matching power amplifier and radio applications thereof_+++C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_P_Q_m_r_s+++.docx
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2006-08-08_US7088971B_发明授权_US07088971B2 Integrated RF front end_+++B_C_D_E_I_P_Q_R_S_a_b_c_d_e_f_g_h_j_k_l_m_n+++.docx
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2007-04-11_KR1020070039127A_发明公开_KR1020070039127A 양방향 에너지 변환 시스템_+++D_E_h_s+++.docx
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2007-11-01_US2007252441A_发明申请_US20070252441A1 Non-Contact Power Transmission Device_+++A_B_C_D_P_Q_S_e_h_i_l+++.docx
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2007-12-11_US7307475B_发明授权_US07307475B2 RF generator with voltage regulator_+++A_B_C_D_E_H_I_L_M_Q_S_f_g_j_k_n_p_r+++.docx
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2008-05-08_None_发明专利_JPWO2006022365A1 非接触電力伝送装置_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_S+++.docx
2026-03-23 23:49
WO2006022365A1_Description_20260320_0228_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_S+++.docx
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2005-02-10_US2005029351A_发明申请_US20050029351A1 Noncontact IC card reader_writer_+++A_B_C_D_E_H_f_g+++.docx

对比文件名称:2005-02-10_US2005029351A_发明申请_US20050029351A1 Noncontact IC card reader_writer

目标专利名称:用于无线功率发射的发射器 CN104617678B

模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:发射电路,其配置为谐振储能电路,所述谐振储能电路包含与第一电感器耦合的第一电容器,《直接公开》说明书第[0032]段:“...a loop antenna 3...a first resonance circuit 4 for resonating the loop antenna 3 with a desired first frequency...” 图1中显示了由C41、C42和L31组成的第一谐振电路(first resonance circuit 4)与环路天线3连接。对比文件公开了包含环路天线3和第一谐振电路4的发射电路,其中第一谐振电路4用于使环路天线3以期望的第一频率谐振。根据图1,第一谐振电路4包括电容C41、C42和电感L31,因此构成了包含与电感器(L31)耦合的电容器(C41、C42)的谐振储能电路。该电路用于向非接触IC卡传输能量和信号,其作用与目标专利中用于无线功率发射的谐振储能电路作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B**:所述发射电路经配置以响应于时变信号来无线地发射功率以对接收器装置供电或充电《直接公开》说明书第[0034]段:“...send data from CPU 12 is modulated in the modulator 8, is amplified in the class E amplifier 9...and is transmitted from the loop antenna 3...” 第[0035]段:“...the induced voltage at the antenna coil 13 is rectified...and used for a power source of each circuit in the noncontact IC card 30.”对比文件中的发射电路(包含调制器8、E类放大器9、负载网络10、低通滤波器11、第一谐振电路4和环路天线3)响应于来自CPU 12的发送数据(经调制后成为时变信号)进行工作,通过环路天线3无线发射信号。该信号被非接触IC卡30接收后,其感应电压被整流并用作IC卡内各电路的电源。这明确公开了发射电路响应于时变信号无线发射功率,以为作为接收器装置的非接触IC卡供电。作用与目标专利相同。因此被直接公开。
**技术特征C**:驱动器电路,其可操作地耦合到所述发射电路,《直接公开》说明书第[0037]段:“In the detailed block of the class E amplifier 9, a reference number 7 denotes the signal generator, FET1 denotes FET for a switching device...” 图1显示了信号发生器7、调制器8、E类放大器9依次连接,其输出通过负载网络10、低通滤波器11和第一谐振电路4耦合至环路天线3(发射电路)。对比文件中的信号发生器7、调制器8和E类放大器9共同构成了一个产生并放大射频信号的驱动电路。该驱动电路的输出通过后续网络可操作地耦合到由第一谐振电路4和环路天线3组成的发射电路。因此,驱动器电路可操作地耦合到发射电路这一特征被直接公开。
**技术特征D**:所述驱动器电路经配置以产生所述时变信号,《直接公开》说明书第[0038]段:“A send signal of a carrier frequency generated by the signal generator is input to the gate of FET1...When a send signal modulated in the modulator 8 is input, it is amplified...”对比文件明确记载了信号发生器7产生载波频率的发送信号,调制器8对其进行调制,E类放大器9对其进行放大。这个由信号发生器、调制器和放大器组成的驱动器电路正是为了产生用于驱动天线3的时变信号(已调制的载波)。其作用与目标专利中驱动器电路产生时变信号的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征E**:所述驱动器电路包括:第一驱动器级电路,其包括:第一开关,其经配置以响应于第一控制信号来控制所述时变信号《直接公开》说明书第[0037]段:“...FET1 denotes FET for a switching device...the signal generator 7 is connected to the gate of FET1...” 第[0038]段:“A send signal of a carrier frequency generated by the signal generator is input to the gate of FET1, and as the signal is a digital signal, FET1 executes switching operation at the carrier frequency.”对比文件中的E类放大器9包含一个开关器件FET1。信号发生器7产生的信号(作为第一控制信号)输入到FET1的栅极,控制FET1执行开关操作,从而控制(放大和整形)时变信号。这构成了一个驱动器级电路(第一级)。其作用是通过开关控制信号,与目标专利中第一开关响应于第一控制信号来控制时变信号的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征F**:第二电容器,其与所述第一开关并联耦合《隐含公开》说明书第[0039]段:“...the capacitor C1 is connected between the node between the drain and the second coil L2 and the ground.” 图2A示出了基本的E类放大器结构,其中与开关(FET)并联连接有一个电容器。对比文件图2A公开了基本的E类放大器结构,其中电容器C1与开关(FET)并联。虽然在具体实施例的文字描述(第[0039]段)中,电容器C1被描述为连接在漏极与第二线圈L2之间的节点和地之间,但该节点直接连接到FET1的漏极(见第[0037]段),因此电容器C1实质上连接在FET1的漏极(开关的一端)和地之间。在典型的E类放大器电路中,与开关并联的电容器是用于实现零电压开关(ZVS)的关键元件。本领域技术人员结合对比文件公开的E类放大器结构和图2A,能够合理推断出该并联电容器(C1)的存在及其连接关系。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征G**:第三电容器,其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点《隐含公开》说明书第[0039]段:“the drain of FET1 is connected to one end of the second coil L2, the other end of the second coil L2 is connected to the second capacitor C2, and the capacitor C1 is connected between the node between the drain and the second coil L2 and the ground.”对比文件描述了FET1的漏极连接到第二线圈L2的一端,L2的另一端连接到第二电容器C2。同时,电容器C1连接在“漏极与第二线圈L2之间的节点”和地之间。这个“节点”就是第一开关(FET1)与第二线圈L2之间的连接点。在E类放大器的典型电路分析中,与开关并联的电容器(C1)可以视为“第二电容器”(即特征F)。那么,“第三电容器”(特征G)耦合到“第一开关与第二电容器之间的节点”。在对比文件的描述中,第二电容器C2通过电感L2耦合到了该节点(FET1的漏极)。虽然C2不是直接连接到该节点,而是通过L2连接,但在电路拓扑上,对于交流信号而言,L2和C2串联后的一端(即L2与FET1漏极的连接点)就是该节点。本领域技术人员为了实现E类放大器的工作波形(如对比文件图2C、2D),能够理解负载网络需要包含串联的L2和C2,且C2耦合至该节点。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征H**:第二电感器,其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点《直接公开》说明书第[0039]段:“the drain of FET1 is connected to one end of the second coil L2...”对比文件明确公开了第二线圈(电感器)L2的一端连接到FET1(第一开关)的漏极。如前所述,电容器C1连接在FET1漏极和地之间,可视为“第二电容器”。因此,第二电感器L2直接耦合到了“第一开关(FET1)与第二电容器(C1)之间的节点”(即FET1的漏极节点)。其作用是在E类放大器的负载网络中形成谐振,与目标专利中相应电感器的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征I**:第二驱动器级电路,其包括:第二开关,其经配置以响应于第二控制信号来控制所述时变信号《未公开》对比文件全文未提及第二个开关或第二个驱动器级电路。图1和图2所示的放大器均为单端E类放大器,仅包含一个开关器件FET1。目标专利权利要求明确限定了包括第一驱动器级电路和第二驱动器级电路的对称结构。对比文件仅公开了一个包含单个开关(FET1)的E类放大器电路,即只有一个驱动器级电路。没有公开任何第二个开关或第二个驱动器级电路。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征J**:第四电容器,其与所述第二开关并联耦合《未公开》对比文件未公开第二开关,因此也不可能公开与第二开关并联耦合的第四电容器。由于技术特征I(第二开关)未被公开,依赖于第二开关存在的技术特征J也必然未被公开。
**技术特征K**:第五电容器,其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点《未公开》对比文件未公开第二开关和第四电容器,因此也不可能公开耦合到它们之间节点的第五电容器。由于技术特征I和J未被公开,依赖于它们存在的技术特征K也必然未被公开。
**技术特征L**:第三电感器,其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点《未公开》对比文件未公开第二开关和第四电容器,因此也不可能公开耦合到它们之间节点的第三电感器。由于技术特征I和J未被公开,依赖于它们存在的技术特征L也必然未被公开。
**技术特征M**:其中所述发射电路与所述驱动器电路并联耦合。《未公开》对比文件图1显示,发射电路(环路天线3及第一谐振电路4)通过低通滤波器11、负载网络10连接到驱动器电路(E类放大器9)的输出端。这是一种串联连接关系,而非并联耦合。说明书文字也未描述并联耦合。目标专利权利要求明确限定了发射电路与驱动器电路并联耦合。对比文件中的电路连接是典型的级联结构,驱动器电路的输出依次经过负载网络、低通滤波器、匹配/谐振电路后驱动天线,是串联关系。本领域技术人员不能从对比文件中得出或推断出发射电路直接与驱动器电路并联耦合的技术方案。因此,该特征未被公开。
**技术特征N**:其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路,且其中所述第二驱动器级电路配置为E类放大器电路。《未公开》对比文件公开了单个E类放大器电路(第[0037]-[0039]段,图1)。虽然对比文件公开了第一驱动器级电路(即其唯一的放大器级)配置为E类放大器电路,但其并未公开存在第二驱动器级电路,更未公开第二驱动器级电路也配置为E类放大器电路。目标专利要求的是两个E类放大器电路构成的对称结构。因此,该特征中关于“第二驱动器级电路配置为E类放大器电路”的部分未被公开。
**技术特征O**:其中所述驱动器电路的质量因数包括至少《未公开》对比文件全文未提及驱动器电路或E类放大器负载网络的质量因数(Q值)的具体数值或范围要求。目标专利权利要求对驱动器电路的质量因数提出了明确要求(“包括至少”意味着有下限值)。对比文件虽然描述了E类放大器及其负载网络,但完全没有涉及质量因数的具体数值特征。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该质量因数要求。因此,该特征未被公开。
**技术特征P**:其进一步包括与所述第二电感器串联耦合的第一电源电压以及与所述第三电感器串联耦合的第二电源电压。《未公开》对比文件第[0037]段记载:“the drain of FET1 is connected to the other end of the coil L1 one end of which is connected to a power source”。图1中,线圈L1一端接电源Vcc,另一端接FET1漏极。仅公开了一个电源电压与一个电感器(L1)串联。目标专利要求两个电源电压分别与两个电感器(第二和第三电感器)串联耦合。对比文件仅公开了一个电源电压(Vcc)通过一个电感器(L1,相当于扼流圈)为单个开关(FET1)供电。没有公开第二个电源电压,也没有公开与第三个电感器串联耦合的电源电压。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q**:其中所述第一电源电压及所述第二电源电压包括相同的电源电压。《未公开》对比文件未公开两个电源电压,因此更未公开这两个电源电压是相同的。由于技术特征P(两个电源电压)未被公开,因此技术特征Q中关于这两个电源电压相同的限定也未被公开。
**技术特征R**:其中所述驱动器电路配置为包括所述第一驱动器级电路及所述第二驱动器级电路的对称E类放大器电路,其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路,且所述第二驱动器级电路配置为所述第一驱动器级电路的镜像。《未公开》对比文件公开的E类放大器是单端结构(单个开关FET1),如图1和说明书第[0037]-[0039]段所述。目标专利明确限定了驱动器电路是对称E类放大器电路,包含镜像配置的两个E类放大器级(推挽操作)。对比文件仅公开了单端E类放大器,没有公开任何对称结构或镜像配置的第二级。这是两种不同的电路拓扑。因此,该特征未被公开。
**技术特征S**:其中所述第一控制信号和所述第二控制信号经配置为彼此相移180度,从而以180度相移波形分别驱动所述第一开关及所述第二开关。《未公开》对比文件仅公开了一个控制信号(来自信号发生器7)驱动单个开关FET1(第[0038]段)。目标专利要求两个控制信号彼此180度相移,用于驱动两个开关的推挽操作。对比文件只涉及单个控制信号驱动单个开关,完全没有提及第二个控制信号或180度相移驱动。因此,该特征未被公开。
**技术特征T**:其中所述发射电路的所述第一电容器与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相同或与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相组合。《未公开》对比文件中,发射电路的第一谐振电路包含电容器C41、C42(对应“第一电容器”)。驱动器电路中的电容器包括C1(与开关并联)和C2(在负载网络中)。它们是独立的、分开的元件。目标专利权利要求限定了发射电路中的电容器与驱动器电路中的多个电容器之一相同或组合。对比文件没有描述发射电路的电容器(C41, C42)与放大器负载网络中的电容器(C1, C2)是同一个元件或组合在一起。图1中它们也是分开绘制的。本领域技术人员不能从对比文件中得出或推断出这种电容器共享或组合的关系。因此,该特征未被公开。

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