对比文件名称：2007-12-20_JP2007329896A_发明专利_JP2007329896A Imaging element and imaging apparatus
目标专利名称：374高动态范围图像传感器CN103141081B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本 | [2]“第２読出手段で読み出された前記短露光時間で露光時の電荷から構成される非標準露光画素データに基づき...” (译文：基于由所述第二读取手段读取的、由所述短曝光时间曝光时的电荷构成的非标准曝光像素数据...）<br>**位置**：说明书第[2]段，形态1、2等。 | **直接公开**。在目标专利中，“第一时间”对应于短曝光时间，产生第一样本（如SSHORT）。对比文件明确公开了在“短露光時間”（短曝光时间）对像素信号进行非破坏读取，获得“非標準露光画素データ”（非标准曝光像素数据），这即对应于“第一样本”。两者作用相同，都是用于后续组合以扩展动态范围。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征B**：在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本 | [2]“前記光電変換部の露光領域における前記光電変換素子の構成する各画素から、標準露光時間で露光された電荷を破壊読み出し方式で読み出す第１読出手段と...” (译文：从所述光电转换部的曝光区域中所述光电转换元件构成的各像素，以破坏读取方式读取在标准曝光时间曝光后的电荷的第一读取手段...）<br>**位置**：说明书第[2]段，形态1、2等。 | **直接公开**。在目标专利中，“第二时间”对应于长曝光时间，产生第二样本（如SLONG）。对比文件明确公开了在“標準露光時間”（标准曝光时间）对像素信号进行破坏读取，获得“標準露光画素データ”（标准曝光像素数据），这即对应于“第二样本”。两者作用相同，都是用于后续组合以扩展动态范围。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征C**：将第一可变加权因子应用于所述第一样本，其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定 | 未直接找到对应内容。对比文件在合成时，对于非标准曝光数据（对应第一样本）的处理是基于饱和预测结果进行选择或使用特定公式（如形态8的公式）进行合成，该公式中包含了基于该样本值（V1）和阈值（THR1）的计算，但未明确记载一个独立的、应用于第一样本本身的“可变加权因子”及其界定函数。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的技术特征C要求对第一样本（短曝光样本）也应用一个基于函数界定的可变加权因子。对比文件的方案核心在于：基于短曝光数据预测长曝光数据是否饱和，并据此选择使用长曝光数据或对短曝光数据进行增益补偿（正規化）。在整个处理流程中，并未对第一样本（短曝光数据）本身施加一个可变的权重因子。其合成公式（如形态8的公式(1)）虽然涉及对短曝光数据的运算，但这是为了将其增益调整至与长曝光时间匹配，而非一个从0到1变化的权重。本领域技术人员阅读对比文件，无法推理出需要对短曝光样本应用一个基于函数界定的可变加权因子这一技术手段。 |
| **技术特征D**：将第二可变加权因子应用于所述第二样本，其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定 | [2]“第１飽和予測部７２は、第１非標準画像生成部７０から入力された短露光画素データの示す輝度値Ｖ１と、...飽和予測レベルＴＨＲ１とを比較し、「Ｖ１＞ＴＨＲ１」であれば飽和予測結果として「１」を出力し、「Ｖ１≦ＴＨＲ１」であれば飽和予測結果として「０」を出力する...ＨＤＲ画像生成部１２ｄは、...飽和予測結果に基づき...標準露光画素データと...非標準露光画素データとを合成する。”(译文：第一饱和预测部72将来自第一非标准图像生成部70的短曝光像素数据的亮度值V1与...饱和预测水平THR1进行比较，若“V1>THR1”则输出“1”作为饱和预测结果，若“V1≤THR1”则输出“0”...HDR图像生成部12d基于饱和预测结果...合成标准曝光像素数据和非标准曝光像素数据。) | **隐含公开**。在目标专利中，应用于第二样本（长曝光样本）的可变加权因子M(i,j)是基于长曝光样本值SLONG(i,j)的函数C()界定的，其值在0到1之间变化，用于控制长曝光样本在最终组合结果中的贡献度。对比文件中，虽然没有一个名为“加权因子”的变量，但其合成逻辑实质上是：根据短曝光数据V1与阈值THR1的比较结果（一个二值函数：大于THR1则输出1，否则输出0），来决定在最终输出中是“选择”长曝光数据（V0）还是“选择”经处理后的短曝光数据。这种“选择”逻辑可以等价地视为对长曝光数据施加了一个权重：当预测为饱和（V1>THR1）时，长曝光数据的权重为0（完全不采用）；当预测为不饱和（V1≤THR1）时，长曝光数据的权重为1（完全采用）。这个权重是基于短曝光数据V1与固定阈值THR1的比较函数（一个阶跃函数）界定的。因此，对比文件隐含公开了“将基于函数界定的可变加权因子应用于第二样本”这一技术特征，尽管其函数是简单的二值阶跃函数，而非目标专利中图2所示的连续或分段函数。 |
| **技术特征E**：根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)＝SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))... | [2]“合成出力＝Ｋ１×（Ｖ１−ＴＨＲ１）＋（Ｔ０における信号出力）・・・（１）”（译文：合成输出 = K1 × (V1 - THR1) + (T0时的信号输出)...(1)）<br>**位置**：说明书第[2]段，第一实施形态。 | **隐含公开**。目标专利的等式描述了基于可变加权因子M(i,j)对长、短曝光样本进行线性组合。对比文件的等式(1)是其核心合成公式。在该等式中，K1是正規化係数（相当于目标专利的n），(T0时的信号输出)是标准曝光数据V0（相当于SLONG），(V1 - THR1)是基于短曝光数据的项。当预测为不饱和时（V1≤THR1），根据对比文件逻辑，合成输出就是V0，这对应于目标专利等式中M(i,j)=1的情况。当预测为饱和时（V1>THR1），对比文件使用该公式计算，此时V0（即SLONG）的贡献被隐含地置为0（因为不选择V0），而短曝光数据V1（即SSHORT）经过(K1*(V1-THR1)+V0)处理，虽然形式与目标专利的n*SSHORT*(1-M)不完全相同，但其物理本质是类似的：用经调整的短曝光数据来替代可能饱和的长曝光数据。考虑到对比文件中的权重是隐含的二值选择（0或1），其合成行为可以通过目标专利的等式框架来理解。因此，本领域技术人员可以从对比文件的合成方法中合理推断出与特征E类似的组合等式逻辑。 |
| **技术特征F**：使所述第一时间与所述第二时间对准，使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束 | [2]“前記第１読出手段と同じ露光期間において、前記光電変換素子の構成する各画素から、前記標準露光時間よりも短い露光時間である短露光時間で露光された電荷を非破壊読み出し方式で読み出す第２読出手段と”（译文：在与所述第一读取手段相同的曝光期间内，从所述光电转换元件构成的各像素，以非破坏读取方式读取在比所述标准曝光时间短的短曝光时间曝光后的电荷的第二读取手段）<br>**位置**：说明书第[2]段，形态1、2等。 | **直接公开**。目标专利的特征F旨在通过时间对准避免因两次独立曝光间的物体运动导致的图像模糊。对比文件明确公开了短曝光时间的非破坏读取是在“与第一读取手段相同的曝光期间内”进行的，即短曝光（第一时间）的结束点与标准曝光（第二时间）的结束点是对准的（大体同时结束）。这解决了相同的技术问题——在一次曝光周期内获取不同曝光的图像以避免运动模糊。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征G**：在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光 | 未找到关于“偶数编号线”和“奇数编号线”的明确划分和分别曝光控制的相关描述。对比文件描述了通过独立的读取控制线路（通常走査ライン和高速走査ライン）来对不同行的像素进行不同曝光时间的读取，但未限定这些行是“偶数编号”或“奇数编号”。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征G-H和I-J构成了一种具体的交错曝光实施方案，即分别控制CMOS传感器偶数线和奇数线进行不同曝光。对比文件虽然也涉及在传感器阵列上对不同行进行不同曝光时间的读取（见图7及相关描述），但其行选择是基于“通常走査ライン”和“高速走査ライン”的逻辑划分，并未公开或暗示必须按照“偶数编号”和“奇数编号”的固定物理顺序来分配曝光。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，毫无疑义地或通过合理推理得出这一具体的、限定性的曝光控制方式。 |
| **技术特征H**：以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本 | 同技术特征G，未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征G。 |
| **技术特征I**：且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光 | 同技术特征G，未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征G。 |
| **技术特征J**：以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本 | 同技术特征G，未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征G。 |
| **技术特征K**：通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本 | 未找到任何关于“向下取样”或“向上取样”操作的描述。对比文件的方案中，不同曝光时间的图像数据是从实际曝光的像素行读取的，未提及需要通过取样（上采样或下采样）来为未直接曝光的行生成数据。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征K-L是与其交错曝光方案（特征G-J）配套的、用于生成全分辨率图像的内插处理步骤。对比文件完全没有公开任何关于“向上取样”或“向下取样”的内容。本领域技术人员无法从对比文件中推理出这一技术特征。 |
| **技术特征L**：通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本 | 同技术特征K，未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征K。 |
| **技术特征M**：其中M(i,j)的值介于零与一之间，包含零和一。 | 未明确公开。对比文件中基于阈值比较的饱和预测结果是二值的（0或1），其对应的对长曝光数据的“权重”也是二值的（0或1）。未公开权重值可以取0和1之间的中间值。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征M明确了加权因子M(i,j)是一个可以在[0,1]区间内连续或分段变化的值，这是其实现平滑过渡组合的关键。对比文件公开的实质上是二值选择逻辑，其隐含的“权重”只有0或1两个极端值，并不包含0到1之间的中间状态。因此，对比文件没有公开，也无法使本领域技术人员推理出M(i,j)的值可以介于0和1之间这一特征。 |
| **技术特征N**：其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。 | 对比文件的合成处理（由HDR画像生成部12d执行）明确是在“映像処理系（ＤＳＰ）１２”中进行的，这是一个位于传感器（撮像素子100）后端的图像处理器（DSP）。未提及在传感器芯片上直接进行组合。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征N限定了组合操作在“传感器上”进行，这可以带来减少数据带宽等好处。对比文件明确将图像传感器（撮像素子100）和图像处理系统（映像処理系12）作为不同模块描述，组合操作在后者中完成。因此，对比文件没有公开“在传感器上组合”这一特定实施方式。 |
| **技术特征O**：其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。 | [2]“ここで、上記「光電変換部」は、例えば、ＣＭＯＳ技術を用いて構成されており、ＣＭＯＳ技術を利用した非破壊読み出し可能な撮像素子としては、...” (译文：这里，所述“光电转换部”例如是使用CMOS技术构成的，作为利用CMOS技术的可非破坏读取的摄像元件...）<br>**位置**：说明书第[2]段。 | **直接公开**。目标专利的特征O限定了图像传感器的类型为CMOS或CCD。对比文件在其具体实施方式中明确且多次指出其光电转换部是使用CMOS技术构成的（例如，传感器阵列56是CMOS）。因此，对比文件直接公开了由CMOS图像传感器产生像素单元信号。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征P**：打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光 | 对比文件全文均描述的是利用“電子シャッタ機能”（电子快门功能）来控制曝光时间，未提及使用“機械シャッタ”（机械快门）。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征P-U描述了一种使用CCD传感器和机械快门的特定HDR图像获取流程。对比文件专注于CMOS传感器及其电子快门技术，完全没有提及任何关于“机械快门”的内容。因此，这些技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征Q**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区 | 未找到对应描述。对比文件描述了非破坏读取，但未明确提及将电荷“传送到存储区”。其电荷是在传感器内读取并转换的。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征P。目标专利此处的“存储区”特指CCD结构中的屏蔽区等临时存储区域。对比文件的方案不涉及此结构。 |
| **技术特征R**：从所述存储区读出所述第一样本 | 未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征P、Q。 |
| **技术特征S**：在第二时间关闭所述机械快门 | 未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征P。 |
| **技术特征T**：将第二样本传送到所述存储区 | 未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征P、Q。 |
| **技术特征U**：从所述存储区读出所述第二样本。 | 未找到对应描述。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。理由同技术特征P、Q、R。 |
| **技术特征V**：使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光 | [2]“センサセルアレイ５６の各画素に蓄積される電荷量は時間の経過と共に増加する。...リセットタイミングは、センサセルアレイ５６に蓄積された電荷を空にするタイミングであり、このタイミングが標準露光時間を決定する。” (译文：传感器阵列56的各像素中积累的电荷量随时间增加。...复位定时是将传感器阵列56中积累的电荷清空的定时，该定时决定了标准曝光时间。）<br>**位置**：说明书第[2]段，结合图11描述。 | **直接公开**。目标专利的特征V描述了CMOS像素单元的标准操作：复位后曝光积分。对比文件明确描述了像素的复位操作（将积累电荷清空）以及复位后电荷随曝光时间积累的过程（见图11）。两者作用相同，都是开始图像捕获的初始步骤。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
| **技术特征W**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器 | 对比文件描述了在短曝光时间进行非破坏读取，但未明确提及将电荷“传送到电容器”这一具体电路动作。其读取机制是通过非破坏读取电路实现的。 | **未直接公开，亦未隐含公开**。目标专利的特征W引用了其说明书图1中的具体电路结构，即通过开关将光电二极管上的电荷传送到专用电容器20以存储短曝光样本。对比文件虽然公开了获取短曝光数据的结果，但并未披露实现这一结果的具体内部电路结构或电荷传送路径，特别是未提及使用一个独立的电容器来暂存短曝光样本。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推理出这一具体的电路实现细节。 |
| **技术特征X**：在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。 | [2]“標準露光時間で露光された電荷を破壊読み出し方式で読み出す”（译文：读取在标准曝光时间曝光后的电荷）<br>**位置**：说明书第[2]段。 | **直接公开**。目标专利的特征X对应于读出长曝光（第二时间）样本。对比文件明确公开了以破坏读取方式读出标准曝光时间（第二时间）的电荷（样本）。两者作用相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出。 |
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