**对比文件名称**：2008-02-14_US20080036889A_发明申请_US20080036889A1 Solid-state imaging device and driving method for a solid-state imaging device
**目标专利名称**：374高动态范围图像传感器CN103141081B
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本 <br> **《直接公开》** | [0098] “At time t1, a HIGH pulse is applied to signal line RW and signal line TRAN, and signal line WL1 for selecting the first storage cell 29-1 is driven HIGH, to turn on the storage cell selection MOS transistor 28-1 and transfer a piece of information from the photoelectric converter 21 to the first storage cell 29-1.” <br> （在时间t1，向信号线RW和信号线TRAN施加高电平脉冲，并且驱动用于选择第一存储单元29-1的信号线WL1至高电平，以导通存储单元选择MOS晶体管28-1，并将来自光电转换器21的一条信息传输到第一存储单元29-1。） | 对比文件公开了在特定时间点（t1）对来自光电转换器（即像素单元）的信号进行取样（传输）并存储到第一存储单元中，该存储的信息即对应于“第一样本”。这与目标专利中“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”的技术特征完全相同。其作用都是获取一个时刻的图像信号。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征B**：在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本 <br> **《直接公开》** | [0099] “Likewise, at time t2, signal line WL2 for selecting the second storage cell 29-2 is driven HIGH, to turn on the storage cell selection MOS transistor 28-2 and transfer a piece of information from the photoelectric converter 21 to the second storage cell 29-2.” <br> （同样地，在时间t2，驱动用于选择第二存储单元29-2的信号线WL2至高电平，以导通存储单元选择MOS晶体管28-2，并将来自光电转换器21的一条信息传输到第二存储单元29-2。） | 对比文件明确公开了在不同于第一时间（t1）的第二时间（t2），对来自同一光电转换器的信号再次进行取样并存储到第二存储单元，该信息即对应于“第二样本”。这与目标专利的技术特征完全一致，其作用也是获取另一个时刻的图像信号。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征C**：将第一可变加权因子应用于所述第一样本，其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的核心在于应用一个**基于函数界定**的**可变**加权因子，该因子根据样本值（如亮度）动态变化（例如图2的组合曲线C()），用于在组合时调整不同曝光样本的贡献。对比文件虽然公开了组合存储单元中的信息（例如[0092]连接存储单元以平均电荷），但未公开任何“加权因子”的概念，更没有公开该加权因子是“可变的”且“基于函数界定”。对比文件的组合是简单的电荷平均或直接相加，并非基于样本值通过函数计算出的权重进行加权组合。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：将第二可变加权因子应用于所述第二样本，其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征C，对比文件未公开应用任何“基于函数界定的可变加权因子”于样本。其组合操作不涉及对单个样本应用独立的、由函数定义的权重。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)＝SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))... <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 目标专利的该等式是其特定的HDR图像合成算法，包含基于长曝光样本值SLONG(i,j)的可变加权因子M(i,j)以及用于标准化曝光时间差异的标度值n。对比文件公开了组合多个存储的信息（例如[0092]将三个存储单元连接以平均电荷），但未公开该特定数学组合等式，也未公开等式中的关键元素“可变加权因子M(i,j)”和“标度值n”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：使所述第一时间与所述第二时间对准，使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 目标专利中该特征用于实现交错曝光（如奇偶行不同曝光时间同时结束），以生成单帧HDR图像。对比文件公开的是在离散时间点t1, t2, t3...连续存储多帧图像信号用于高速摄影，其目的是捕获时间序列上的多个瞬间，并非为了使两个不同的曝光时段“大体上同时结束”以合成一帧扩展动态范围的图像。两者目的和实现方式均不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件通篇未提及“偶数编号线”或对图像传感器阵列的特定行（如偶数行）进行独立的曝光控制。其描述的是单个像素内包含多个存储单元的结构，曝光控制是针对整个像素而非阵列中的特定行。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征依赖于技术特征G（偶数编号线曝光）。既然对比文件未公开对偶数编号线进行独立曝光，自然也未公开针对这些线的各个空间位置产生样本。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征G，对比文件未提及“奇数编号线”或对奇数行进行独立曝光控制。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征依赖于技术特征I（奇数编号线曝光）。既然对比文件未公开对奇数编号线进行独立曝光，自然也未公开针对这些线的各个空间位置产生样本。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征涉及通过上/下采样从一种曝光模式的样本生成另一种曝光模式的样本，以实现全分辨率HDR图像。对比文件仅涉及在像素内存储和组合时间序列信号，完全没有提及任何上采样或下采样操作。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征K，对比文件未公开任何上采样或下采样操作。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中M(i,j)的值介于零与一之间，包含零和一 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了目标专利中可变加权因子的取值范围。由于对比文件根本没有公开“可变加权因子M(i,j)”这一概念（参见特征C、D的论述），因此更不可能公开其取值范围。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合 <br> **《直接公开》** | [0092] “At time t3b that follows, the storage cell selection MOS transistors 28-1, 28-2, and 28-3 corresponding to the first storage cell 29-1, the second storage cell 29-2, and the third storage cell 29-3 are simultaneously turned on. As a result, the first storage cell 29-1, the second storage cell 29-2, and the third storage cell 29-3 are connected in parallel, and the charges accumulated in these storage cells are averaged.” <br> （在随后的时间t3b，对应于第一存储单元29-1、第二存储单元29-2和第三存储单元29-3的存储单元选择MOS晶体管28-1、28-2和28-3同时导通。结果，第一存储单元29-1、第二存储单元29-2和第三存储单元29-3并联连接，并且这些存储单元中累积的电荷被平均。） | 对比文件明确公开了在像素内部（即在传感器上）通过导通MOS晶体管将多个存储单元连接，从而直接组合（平均）其中存储的电荷信息。这与目标专利中“在传感器上组合”样本的技术特征相符。虽然对比文件组合的是多个时间点的样本，而目标专利组合的是不同曝光的样本，但“在传感器上进行组合”这一物理操作和位置特征是相同的。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征O**：其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号 <br> **《直接公开》** | [0067] “...an image sensor according to CCD may instead be used.” <br> （也可以使用根据CCD的图像传感器。） <br> 以及全文（如图3、6电路）隐含其基础为MOS（CMOS）图像传感器。 | 对比文件在具体实施方式中描述了基于MOS晶体管（即CMOS）的电路，并在[0067]明确说明也可使用CCD图像传感器。这公开了图像信号可由CMOS或CCD图像传感器产生。这与目标专利的技术特征相同。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征P**：打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件描述的是利用电子转移和存储单元进行高速连续采样的技术，并未提及使用“机械快门”来控制曝光。其曝光由电子信号（如TRAN， RST）控制。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区 <br> **《直接公开》** | [0098] “...transfer a piece of information from the photoelectric converter 21 to the first storage cell 29-1.” <br> （将来自光电转换器21的一条信息传输到第一存储单元29-1。） | 对比文件公开了将光电转换器产生的信号（基于光形成）在特定时间传送到存储单元（存储区）。这与目标专利的技术特征完全一致。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征R**：从所述存储区读出所述第一样本 <br> **《直接公开》** | [0095] “At time t9, signal line OE is driven HIGH and the storage cell selection MOS transistor 28-1 corresponding to the first storage cell 29-1 is turned on, as a result of which the combined information stored in the first storage cell 29-1 is output.” <br> （在时间t9，信号线OE被驱动至高电平，并且对应于第一存储单元29-1的存储单元选择MOS晶体管28-1导通，结果，存储在第一存储单元29-1中的组合信息被输出。） | 对比文件明确公开了通过导通相应开关，从存储单元（即存储区）读出所存储的信息（尽管此处读出的是组合后的信息，但该信息最初来源于第一时间存入的第一样本）。该操作即“从存储区读出信息”。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征S**：在第二时间关闭所述机械快门 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征P，对比文件未提及“机械快门”，因此不存在关闭机械快门的操作。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T**：将第二样本传送到所述存储区 <br> **《直接公开》** | [0099] “...transfer a piece of information from the photoelectric converter 21 to the second storage cell 29-2.” <br> （将来自光电转换器21的一条信息传输到第二存储单元29-2。） | 对比文件公开了在第二时间（t2）将来自光电转换器的信息（即第二样本）传送到第二存储单元（即另一个存储区）。这与目标专利的技术特征完全一致。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征U**：从所述存储区读出所述第二样本 <br> **《隐含公开》** | [0095] 提到了从存储单元读出信息。[0099] 存储了第二样本到第二存储单元。 | 对比文件明确公开了从存储单元读出信息的操作（特征R），也公开了将第二样本存储到存储区（特征T）。虽然附图中示例性读出的是第一和第四存储单元的组合信息，但本领域技术人员基于对比文件公开的“可从存储单元读出信息”这一基本功能，结合已公开的“第二样本被存储在存储区（第二存储单元）”的事实，能够毫无困难地理解或推理出：存储在第二存储单元中的第二样本同样可以通过类似的读出操作被读取。根据宽松的隐含公开判断标准，该技术特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **技术特征V**：使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光 <br> **《直接公开》** | [0088] “At time t7, a HIGH pulse is applied to signal line RST, signal line RW, and signal line OE, to output a pixel noise signal.” （在时间t7，向信号线RST、信号线RW和信号线OE施加高电平脉冲，以输出像素噪声信号。）以及全文隐含光电转换器持续曝光。 | 对比文件中的信号线RST用于控制复位MOS晶体管23（见[0073]），其操作会使与光电转换器相关的节点复位。同时，光电转换器21始终或根据光信号工作，即暴露于光。这公开了“使像素单元复位”和“使像素单元暴露于光”两个步骤。虽然复位和曝光的时序关系可能不完全相同，但两个子操作均已公开。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征W**：在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器 <br> **《直接公开》** | [0078] “Drains of the storage cell selection MOS transistors 28-1, 28-2, . . . , 28-n are respectively connected to storage cells 29-1, 29-2, . . . , 29-n...” 存储单元通常由电容器实现。结合[0098]的传输操作。 | 对比文件公开了存储单元（29-1, 29-2...），在半导体器件领域，此类用于暂时存储电荷的存储单元通常由电容器实现。同时，对比文件公开了在第一时间将信号“传输”到第一存储单元（29-1）（见特征A、Q）。因此，“将基于光形成的第一样本传送到电容器”这一技术特征已被对比文件公开。其作用都是临时存储电荷信号。因此，该技术特征被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征X**：在第二时间读出基于所述光形成的第二样本 <br> **《隐含公开》** | [0099] 存储了第二样本到第二存储单元。[0095] 公开了从存储单元读出信息的操作。 | 对比文件明确公开了在第二时间产生了第二样本并存储在存储区（特征T），也公开了从存储区读出信息的通用操作（特征R）。虽然未明确示出“在第二时间”立即读出该第二样本，但根据对比文件公开的系统能力，本领域技术人员可以合理推断，存储在存储区中的第二样本可以在需要时被读出。根据宽松的隐含公开判断标准，该技术特征被对比文件**隐含公开**。 |
<<<A>>><<<B>>><<<N>>><<<O>>><<<Q>>><<<R>>><<<T>>><<<V>>><<<W>>><<<u>>><<<x>>>