本次调用的模型名称：GPT-4。
对比文件名称：1995-11-28_US5471515A_发明授权_US5471515A Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
目标专利名称：374高动态范围图像传感器CN103141081B
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：** 在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本 <br> **隐含公开** | [2] “The reset sample and hold (SHR) briefly turns on the S/H FET 225 immediately after the reset signal RST has caused the resetting of the potential of the floating diffusion 40, so that the capacitor 230 stores the voltage at which the floating diffusion has been reset to.” | 对比文件公开了在复位操作后（可视为第一时间）立即对浮动扩散节点40的复位电平进行采样并保持在电容器230中，产生了一个样本（复位样本）。该操作是在积分周期开始前进行的，是对像素单元信号（浮动扩散电位）的一次取样，产生了一个样本（VOUTR）。这与技术特征A“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”的技术方案相同。因此，本领域技术人员能够从对比文件毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **B：** 在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本 <br> **隐含公开** | [2] “the signal sample and hold (SHS) briefly turns on the S/H FET 200 after the charge accumulated beneath the photogate electrode 30 has been transferred to the floating diffusion 40, so that the capacitor 205 stores the source voltage of the source follower FET 55 indicating the amount of charge previously accumulated beneath the photogate electrode 30.” | 对比文件公开了在积分周期结束时，将光电门30下积累的电荷转移到浮动扩散40后，对浮动扩散节点40的信号电平进行采样并保持在电容器205中，产生了另一个样本（信号样本）。该操作是在积分周期结束后（第二时间）进行的，是对像素单元信号（浮动扩散电位）的另一次取样，产生了一个样本（VOUTS）。这与技术特征B“在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本”的技术方案相同。因此，本领域技术人员能够从对比文件毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **C：** 将第一可变加权因子应用于所述第一样本，其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定 <br> **未公开** | 无 | 对比文件未公开对复位样本或信号样本应用任何可变加权因子。对比文件中的相关双采样技术是将两个样本（复位样本和信号样本）直接做差分以消除kTC噪声，这是一个固定的减法运算，而不是应用一个基于函数（例如随信号强度变化）界定的可变加权因子。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征C。 |
| **D：** 将第二可变加权因子应用于所述第二样本，其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定 <br> **未公开** | 无 | 同上。对比文件未公开对信号样本应用任何可变加权因子。信号样本在差分运算中是以固定系数（1）参与计算的，不存在根据某个函数（如组合曲线）变化的加权过程。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征D。 |
| **E：** 根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)＝SLONG(i,j)\*M(i,j)+n\*SSHORT(i,j)\*(1-M(i,j))... <br> **未公开** | 无 | 对比文件未公开任何与上述等式类似的组合方案。对比文件公开的组合是简单的差分运算（VOUTS - VOUTR）以得到净信号。该等式涉及对不同曝光时间样本（SLONG, SSHORT）进行基于可变加权因子M(i,j)和标度值n的非线性组合，目的是扩展动态范围和处理饱和。这与对比文件为消除噪声而进行的固定差分运算在目的、数学形式和功能上均完全不同。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **F：** 以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：使所述第一时间与所述第二时间对准，使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束 <br> **未公开** | 无 | 对比文件中第一时间（复位后采样）和第二时间（积分后采样）分别处于一个积分周期的开始和结束，两者在时间上是分离的，并非“大体上同时结束”。目标专利中该特征旨在实现奇偶线同时曝光等具体HDR方案，对比文件未涉及此类对准概念。因此，该特征未被公开。 |
| **G：** 在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光， <br> **未公开** | 无 | 对比文件虽然涉及CMOS图像传感器，但未公开任何关于将像素阵列的线（例如偶数编号线）分组并在不同时间进行不同曝光控制的技术内容。其曝光控制是针对整个像素阵列或单个像素的。因此，该特征未被公开。 |
| **H：** 以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本， <br> **未公开** | 无 | 由于技术特征G未被公开，基于其产生的样本（第一样本）的生成方式也未被公开。 |
| **I：** 且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光， <br> **未公开** | 无 | 同技术特征G。对比文件未公开对奇数编号线进行独立曝光控制。 |
| **J：** 以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本 <br> **未公开** | 无 | 由于技术特征I未被公开，基于其产生的样本（第二样本）的生成方式也未被公开。 |
| **K：** 通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本 <br> **未公开** | 无 | 对比文件未公开任何关于“向下取样”或“向上取样”的操作，也未涉及为了在奇偶线之间生成对应样本而进行的此类空间插值或处理。该特征是实现HDR全分辨率图像的特定图像处理步骤，在对比文件中不存在。 |
| **L：** 通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者，针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。 <br> **未公开** | 无 | 同技术特征K。对比文件未公开任何取样操作以在不同空间位置间生成样本。 |
| **M：** 其中M(i,j)的值介于零与一之间，包含零和一。 <br> **未公开** | 无 | 对比文件未公开可变加权因子M(i,j)，因此也未公开其取值范围在0到1之间。 |
| **N：** 其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。 <br> **隐含公开** | [2] “The readout circuit 70 consists of a signal sample and hold (S/H) circuit... and a reset sample and hold (S/H) circuit...” “The readout circuit provides correlated double sampling of the potential of the floating diffusion, in that the charge integrated beneath the photogate 12 each integration period is obtained at the end of each integration period from the difference between the voltages at the output nodes VOUTS and VOUTR of the readout circuit 70.” | 对比文件公开了读出电路70（包括采样保持电路等）集成在CMOS图像传感器芯片上（“monolithic complementary metal oxide semiconductor integrated circuit”）。该电路直接在传感器上对两个样本（信号样本和复位样本）执行差分运算（一种组合形式）以输出最终信号。虽然对比文件中的组合（差分）并非目标专利的加权组合，但其“在传感器上执行组合操作”这一物理位置和集成方式的概念已被公开。本领域技术人员可以理解，在传感器上执行某种信号处理（包括组合）是可行的。因此，该特征被隐含公开。 |
| **O：** 其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。 <br> **直接公开** | [2] “The invention is embodied in an imaging device formed as a monolithic complementary metal oxide semiconductor integrated circuit...” | 对比文件明确其发明体现在一个单片CMOS集成电路中，即其图像传感器是CMOS图像传感器。因此，其产生的像素单元信号必然是由CMOS图像传感器产生的。这直接公开了技术特征O中“由所述CMOS图像传感器...产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号”的方案。 |
| **P：** 其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光 <br> **未公开** | 无 | 对比文件虽然提到CCD，但其核心是CMOS兼容的像素内电荷转移结构，并未描述使用机械快门来控制曝光开始和结束的步骤。其曝光通过控制光电门PG等信号的电平来控制。因此，该特征未被公开。 |
| **Q：** 在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区 <br> **隐含公开** | [2] “the signal sample and hold (SHS) briefly turns on the S/H FET 200 after the charge accumulated beneath the photogate electrode 30 has been transferred to the floating diffusion 40, so that the capacitor 205 stores the source voltage of the source follower FET 55...” | 对比文件公开了在积分结束后，将基于光形成的电荷转移到浮动扩散40，然后该信号被采样并存储在电容器205（一种存储区）中。这个过程包含了“将基于光形成的第一样本传送到存储区”的核心步骤。因此，该特征被隐含公开。 |
| **R：** 从所述存储区读出所述第一样本 <br> **隐含公开** | [2] “The one side of the capacitor 205 is also connected to the gate of an output FET 210. The drain of the output FET is a connected through a column select FET 220 to a signal sample output node VOUTS...” | 对比文件公开了存储在电容器205（存储区）中的信号，可以通过输出FET 210和列选择FET 220被读出到输出节点VOUTS。这直接对应于从存储区读出样本。因此，该特征被隐含公开。 |
| **S：** 在第二时间关闭所述机械快门 <br> **未公开** | 无 | 同技术特征P，对比文件未提及机械快门，因此也没有关闭快门的步骤。 |
| **T：** 将第二样本传送到所述存储区 <br> **隐含公开** | [2] “the reset sample and hold (SHR) briefly turns on the S/H FET 225 immediately after the reset signal RST has caused the resetting of the potential of the floating diffusion 40, so that the capacitor 230 stores the voltage at which the floating diffusion has been reset to.” | 对比文件公开了在复位操作后，将浮动扩散40的复位电平（可视为一种样本）采样并存储在电容器230（另一种存储区）中。这个过程包含了“将第二样本传送到存储区”的核心步骤。因此，该特征被隐含公开。 |
| **U：** 从所述存储区读出所述第二样本。 <br> **隐含公开** | [2] “The one side of the capacitor 230 is also connected to the gate of an output FET 240. The drain of the output FET 240 is connected through a column select FET 245 to a reset sample output node VOUTR...” | 同技术特征R，对比文件公开了存储在电容器230（存储区）中的复位样本，可以通过输出FET 240和列选择FET 245被读出到输出节点VOUTR。因此，该特征被隐含公开。 |
| **V：** 其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括：使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光 <br> **隐含公开** | [2] “At the end of the integration period, the surface potential beneath the floating diffusion 40 is quickly reset to a potential level 100...” 以及光电门PG下积累电荷的描述。 | 对比文件公开了在积分周期开始前或结束后对浮动扩散节点进行复位的操作（通过RST信号），并且在整个积分周期内，光电门下的区域暴露于光并积累电荷。这涵盖了“使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光”的基本过程。因此，该特征被隐含公开。 |
| **W：** 在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器 <br> **隐含公开** | 同技术特征Q的引用。对比文件公开了在积分周期结束时，将基于光形成的信号电荷转移到浮动扩散后，其电压样本被传送到电容器205。因此，该特征被隐含公开。 | |
| **X：** 在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。 <br> **隐含公开** | 同技术特征B和R的引用。对比文件公开了在积分周期结束时（第二时间），基于光形成的信号样本（存储在电容器205中）被读出的过程。因此，该特征被隐含公开。 |
<<<O>>>
<<<a>>><<<b>>><<<n>>><<<q>>><<<r>>><<<t>>><<<u>>><<<v>>><<<w>>><<<x>>>