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对比文件列表
1995-03-17_None_发明专利_JPH0775026A Image pickup device_+++A_B_D_E_F_O_P_Q_R_S_T_U_X_c_m_n_v_w+++.docx
2026-03-23 23:51
1995-11-28_US5471515A_发明授权_US5471515A Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer_+++O_a_b_n_q_r_t_u_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
1996-11-01_None_发明专利_JPH08289205A Light receiving element and image input device using the same_+++A_B_O_Q_R_T_U_W_X_c_d_f_m_n_p_s_v+++.docx
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2000-09-05_US6115065A_发明授权_US6115065A Image sensor producing at least two integration times from each sensing pixel_+++A_B_O_n_p_q_r_s_t_u_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
2003-03-18_US6535247B_发明授权_US06535247B1 Active pixel sensor with capacitorless correlated double sampling_+++O_a_b_n_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
2005-10-20_JP2005295336A_发明专利_JP2005295336A Light receiving part and solid-state image pickup device_+++A_B_O_Q_R_T_U_V_W_X_n+++.docx
2026-03-23 23:51
2005-11-17_US2005253935A_发明申请_US20050253935A1 Image input apparatus having addition and subtraction processing_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
2006-07-20_US2006158542A_发明申请_US20060158542A1 Photosensitive part and solid-state image pickup device_+++A_B_N_O_R_U_V_W_X_q_t+++.docx
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2006-08-17_US2006181624A_发明申请_US20060181624A1 Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter_+++A_B_N_O_V_W_X_m_r_u_x+++.docx
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2007-08-15_EP1819151A_发明公开_EP1819151A1 Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera_+++A_B_P_R_S_U_V_X_f_g_h_i_j_n_o_q_t_w+++.docx
2026-03-23 23:51
2007-08-21_US7259413B_发明授权_US07259413B2 High dynamic range image sensor_+++O_W_v_x+++.docx
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2008-02-14_US2008036889A_发明申请_US20080036889A1 Solid-state imaging device and driving method for a solid-state imaging device_+++A_B_N_O_Q_R_T_V_W_u_x+++.docx
2026-03-23 23:51
2008-06-12_WO2008069015A_发明申请_WO2008069015A1 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置_+++A_B_F_G_H_I_J_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_d_e_k_l+++.docx
2026-03-23 23:51
US2007216789A1_Description_20260320_0224_+++O_a_b_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
2006-08-17_US2006181624A_发明申请_US20060181624A1 Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter_+++A_B_N_O_V_W_X_m_r_u_x+++.docx

本次调用的模型名称:GPT-4

对比文件名称:2006-08-17_US2006181624A_发明申请_US20060181624A1 Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter

目标专利名称:374高动态范围图像传感器CN103141081B

根据目标专利说明书,其核心技术在于通过对不同曝光时间的像素单元信号进行取样,获得两个样本(如短曝光样本SSHORT和长曝光样本SLONG),并在组合样本之前,将一个基于函数(如组合曲线C())界定的可变加权因子(如M(i,j))应用于其中一个样本(特别是长曝光样本)。该加权因子是长曝光样本值的函数,旨在当长曝光样本接近或达到饱和时,减少甚至消除其在最终组合图像中的贡献,从而扩展动态范围。对比文件US20060181624A1描述了一种用于CMOS传感器的宽动态范围操作,其通过“冻结帧”像素结构,在短积分时间后和长积分时间后分别对光电探测器的信号进行采样,并将两次采样的电压在模拟存储器中进行线性叠加。

以下是根据目标专利权利要求严格划分的技术特征与对比文件的比对表格:

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本《直接公开》[0015] “The photodetector PD then begins integration of a signal to create a photocharge Q1 at time 315. After a short integration period t1, the signal is sampled to the analog memory capacitor C2 by enabling the switch S2 for a short time.”对比文件明确公开了在短积分时间(第一时间t1)结束后,对光电探测器PD的信号进行采样,并将该信号(即第一样本,对应短曝光产生的电荷Q1)传送到模拟存储器C2。该操作与目标专利中“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”的技术特征完全相同。
**技术特征B**:在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本《直接公开》[0015] “The photodetector PD continues to integrate the signal for a long integration period t2 to create a photocharge Q2. Following the long integration period t2, the signal is again sampled to the analog memory capacitor C2 by enabling the switch S2.”对比文件明确公开了在长积分时间(第二时间t2)结束后,再次对光电探测器PD的信号进行采样,并将该信号(即第二样本,对应长曝光产生的电荷Q2)传送到模拟存储器C2。该操作与目标专利中“在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本”的技术特征完全相同。
**技术特征C**:将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定《未公开》无相应内容。目标专利中,可变加权因子(如M(i,j))是基于函数(如组合曲线C())界定的,该函数的值(例如0到1之间)取决于样本(尤其是长曝光样本SLONG)的亮度值,用于动态调整组合权重。对比文件虽然最终电压是两次采样信号的加权和(见[0017]),但其权重(C2/(C1+C2)² 和 1/(C1+C2))是由固定电容C1和C2的比值决定的常数,并非基于样本值(如亮度、电荷量)通过函数动态变化的“可变加权因子”。因此,对比文件未公开“基于函数界定的可变加权因子”这一技术特征。
**技术特征D**:将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定《未公开》无相应内容。理由同特征C。对比文件中长积分信号Q2的权重是1/(C1+C2),是一个由硬件电容决定的固定值,并非基于样本值通过函数界定的可变因子。目标专利中的加权因子是随长曝光样本值变化的(例如,在饱和区从1降至0),以实现HDR组合。对比文件未公开此特征。
**技术特征E**:根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))其中SCOMBINED表示位于(i,j)处的所述像素单元的由SSHORT表示的所述第一样本与由SLONG表示的所述第二样本的所述组合,n表示取决于所述第一时间与所述第二时间之间的曝光时间的差的标度值,M(i,j)表示可变加权因子,《未公开》[0017] “the signal voltage will be equal to: Vsignal=Q1*C2/(C1+C2)2+Q2/(C1+C2).”对比文件公开了组合公式 Vsignal = Q1 * C2/(C1+C2)² + Q2/(C1+C2)。该公式是两次采样信号的线性加权和。然而,目标专利的组合等式包含一个关键的可变加权因子M(i,j),该因子是长曝光样本SLONG(i,j)的函数(例如,见图2和等式(1)-(3)),用于根据长曝光样本的饱和程度动态调整其贡献。对比文件的公式中,权重(C2/(C1+C2)² 和 1/(C1+C2))是固定常数,不随样本值变化,也没有体现目标专利中“n”这个用于标准化曝光时间差异的标度值。因此,对比文件未公开目标专利权利要求中这个特定的、包含可变加权因子M(i,j)的组合等式。
**技术特征F**:以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束《未公开》[0015] “After a short integration period t1, the signal is sampled... The photodetector PD continues to integrate the signal for a long integration period t2... Following the long integration period t2, the signal is again sampled...”对比文件描述的采样过程是顺序进行的:先进行短积分t1并采样,然后继续进行长积分t2(总积分时间为t1+t2)后再采样。两次积分的结束时间不同(长积分结束时间晚于短积分结束时间)。目标专利特征F要求两个曝光时间“大体上同时结束”,例如说明书第[0073]段描述的使两次曝光对准使其同时结束的技术。对比文件未公开这种时间对准方式。
**技术特征G**:在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光,《未公开》无相应内容。对比文件全文描述的是单个“冻结帧”像素(freeze-frame pixel)的操作(见图1及对应描述),以及该像素在短积分和长积分后的采样序列。没有提及任何关于将像素阵列分为偶数编号线和奇数编号线,并分别在不同时间对它们进行曝光的内容。因此,该特征未被公开。
**技术特征H**:以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本,《未公开》无相应内容。理由同特征G。对比文件未涉及针对偶数编号线产生第一样本的技术。
**技术特征I**:且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光,《未公开》无相应内容。理由同特征G。对比文件未涉及针对奇数编号线产生第二样本的技术。
**技术特征J**:以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本《未公开》无相应内容。理由同特征G。对比文件未涉及针对奇数编号线产生第二样本的技术。
**技术特征K**:通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本《未公开》无相应内容。对比文件未描述任何关于对来自部分像素线的样本进行向上或向下取样,以生成完整图像帧的技术。该特征涉及一种特定的图像重建或插值方法,在对比文件中没有依据。
**技术特征L**:通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。《未公开》无相应内容。理由同特征K。对比文件未描述任何关于对来自部分像素线的样本进行向上或向下取样,以生成完整图像帧的技术。
**技术特征M**:其中M(i,j)的值介于零与一之间,包含零和一。《隐含公开》[0017] “the signal voltage will be equal to: Vsignal=Q1*C2/(C1+C2)2+Q2/(C1+C2).”对比文件公开的组合公式 Vsignal = Q1 * C2/(C1+C2)² + Q2/(C1+C2) 中,两个权重系数分别是 C2/(C1+C2)² 和 1/(C1+C2)。由于C1和C2是正电容值,且C2/(C1+C2)² 是小于1的正数,1/(C1+C2)也是小于1的正数。因此,这两个权重系数的值均在0到1之间。虽然对比文件中的权重是固定电容比,而非目标专利中基于样本值的可变函数M(i,j),但从数值范围来看,对比文件隐含公开了在组合两个样本时,所使用的权重系数其值介于0和1之间。本领域技术人员可以从对比文件的线性组合公式中,毫无疑义地推导出用于组合两个信号的权重系数其数值范围在0到1内。
**技术特征N**:其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。《直接公开》[0015] “after two operations of sampling, the resulted voltage in the memory will be a linear superposition of the two signals representing bright and dark image.” 以及图1及对应描述。对比文件明确描述了在像素内部的模拟存储器C2中,通过电容分压效应(电压共享),最终存储的电压信号(Vsignal)是短积分信号和长积分信号的线性叠加(linear superposition)。这个组合过程发生在传感器像素内部(即“在传感器上”),而不是在外部处理器中。这直接公开了“在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合”这一技术特征。
**技术特征O**:其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。《直接公开》[0002] “This invention relates to CMOS sensors...” [0005] “CMOS active pixel image sensors may be operated...” [0013] 图1及全文描述。对比文件的标题、技术领域和具体实施方式均明确其涉及“CMOS传感器”(CMOS sensors)和“CMOS有源像素图像传感器”(CMOS active pixel image sensors)。其描述的像素结构和操作方法是针对CMOS传感器的。因此,对比文件直接公开了由CMOS图像传感器产生所述第一和第二像素单元信号。
**技术特征P**:其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光《未公开》无相应内容。对比文件描述的是CMOS传感器及其内部的电子开关操作(如开关S1, S2, S3),用于控制复位和采样。全文没有提及任何关于“CCD图像传感器”或“机械快门”的内容。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区《直接公开》[0015] “After a short integration period t1, the signal is sampled to the analog memory capacitor C2...”对比文件明确记载了在短积分期t1后,将信号采样到模拟存储器电容C2。这里的“模拟存储器电容C2”即相当于“存储区”。因此,该特征被直接公开。
**技术特征R**:从所述存储区读出所述第一样本《隐含公开》[0015] “The signal is then read out 330 to all memories in the entire pixel array.” [0014] “The readout of the data from the pixel is done row by row.”对比文件在[0015]描述了信号最终被读出(read out),并在[0014]提到数据是从像素中逐行读出的。虽然未明确说明在长积分采样后、最终读出前,需要单独先读出短积分样本,但本领域技术人员可以理解,为了最终获得代表两个信号叠加的电压Vsignal,存储在模拟存储器C2中的信号(包含两次采样的贡献)必然需要被读出。这个过程隐含了从存储区(C2)读出信号(该信号包含了第一样本的贡献)的步骤。
**技术特征S**:在第二时间关闭所述机械快门《未公开》无相应内容。理由同特征P。对比文件未涉及机械快门的操作。
**技术特征T**:将第二样本传送到所述存储区《直接公开》[0015] “Following the long integration period t2, the signal is again sampled to the analog memory capacitor C2...”对比文件明确记载了在长积分期t2后,再次将信号采样到模拟存储器电容C2。这直接对应于“将第二样本传送到所述存储区”。
**技术特征U**:从所述存储区读出所述第二样本《隐含公开》同特征R的论述。对比文件描述了最终信号的读出,该信号是两次采样结果的叠加。因此,读出该最终信号的过程,必然包含了读出其中第二样本贡献部分的技术含义。本领域技术人员可以合理推断出这一步骤。同特征R。对比文件描述了最终信号的读出。由于最终信号Vsignal是Q1和Q2的加权和,读出Vsignal即意味着读出了包含第二样本贡献的信号。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征V**:其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光《直接公开》[0015] “The process 300 then resets the photodetector PD to Vrst through the switch S1. The photodetector PD then begins integration of a signal...”对比文件明确描述了在开始积分(即曝光)之前,先通过开关S1将光电探测器PD复位到Vrst,然后PD开始积分(即暴露于光并产生光电荷)。这直接对应于“使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光”。
**技术特征W**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器《直接公开》[0015] “After a short integration period t1, the signal is sampled to the analog memory capacitor C2...”对比文件明确记载了在短积分期t1后,将信号采样到模拟存储器电容C2。C2即为电容器。这直接公开了该特征。
**技术特征X**:在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。《隐含公开》同特征R和U的论述。对比文件描述了在两次采样后,最终信号被读出。这个最终读出的信号包含了基于光形成的第二样本的贡献。因此,本领域技术人员可以推断出在第二时间(长积分结束后)需要执行读出操作以获取第二样本的信息。对比文件[0015]指出在长积分期t2后,信号被再次采样到C2,随后信号被读出。虽然未明确区分“读出第一样本”和“读出第二样本”为两个独立动作,但其描述的整个操作流程(复位、短积分采样、长积分采样、最终读出)必然隐含了在完成长积分采样后,需要执行一个读出动作来获取最终结果,该结果包含了第二样本的信息。因此,该特征被隐含公开。

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权利要求与技术特征

A 其包括: 在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本
B 在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本
C 将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定
D 将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定
E 根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))其中SCOMBINED表示位于(i,j)处的所述像素单元的由SSHORT表示的所述第一样本与由SLONG表示的所述第二样本的所述组合,n表示取决于所述第一时间与所述第二时间之间的曝光时间的差的标度值,M(i,j)表示可变加权因子,
F 以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束
G 在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光,
H 以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本,
I 且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光,
J 以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本
K 通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本
L 通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。
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