对比文件名称：2005-08-25_WO2005078916A_发明申请_WO2005078916A1 PROGRAMMABLE RADIO TRANSCEIVER
目标专利名称：401补偿封装电感的可调谐电容器电路CN103189979B
本次调用模型名称：专利创造性评估模型
根据目标专利说明书和权利要求，以及对比文件的内容，现进行特征比对分析如下：
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一IC接地焊盘，其被直接连接到片上接地节点<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | [p0007] “...bondwires 150 are connected (e.g., soldered) to bonding pads 152 that are printed or etched on the semiconductor substrate that supports the circuit 180...” <br> [p0007] “...a semiconductor integrated circuit 146, such as the RFIC of the present invention, is typically coupled to a lead frame 148 using a plurality of bondwires 150.” | 对比文件公开了键合线（bondwires）连接到芯片上的焊盘（bonding pads），焊盘可视为IC接地焊盘。然而，目标专利中的“第一IC接地焊盘”被“直接连接到片上接地节点”，其核心作用是为片上接地提供一个不经过调谐电容的直流（DC）路径（参见说明书[0041]段）。对比文件中虽然必然存在芯片内部接地节点与焊盘的连接，但未明确描述或暗示存在一个专门用于提供直接直流接地路径的焊盘，且其作用并非用于与第二焊盘配合形成“DC路径”和“RF路径”以补偿封装电感。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B**：第二IC接地焊盘，其经由可调谐电容器电路连接到所述片上接地节点<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | [p0007] “According to one embodiment, a programmable resonant LC circuit may be created using fixed inductors formed by transmission lines in conjunction with fixed and tunable capacitive elements.” <br> [p0005] “...a tunable resonant circuit fabricated in a semiconductor integrated circuit comprises at least one transmission line having an inductance, a plurality of switchable capacitors configured to be switched into and out of the tunable resonant circuit in response to a first control signal, and at least one variable capacitor that can be varied in response to a second control signal...” | 对比文件公开了包含可切换电容器和可变电容器的可调谐LC谐振电路（即可调谐电容器电路）。该电路与由传输线（如键合线）形成的电感并联，构成谐振回路。然而，目标专利中“第二IC接地焊盘”的作用是提供一个经由可调谐电容器电路连接到片上接地的路径（RF路径），其目的是与来自该焊盘到PCB接地的连接所产生的封装电感谐振（参见说明书[0036]-[0039]段）。对比文件中的可调谐LC电路是作为一个独立的谐振回路（例如用于VCO或LNA的匹配），其连接目的并非是为了补偿从特定IC接地焊盘到PCB接地的封装电感。对比文件未描述存在一个专门用于此目的的“第二IC接地焊盘”。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C**：，其中所述可调谐电容器电路的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | [p0005] “...a center resonant frequency of the resonant circuit is electronically tunable...” <br> [p0007] “The bondwire(s) 150 may be coupled with a tuning circuit that may include the fixed and variable capacitances that form part of the resonant circuit...” | 对比文件公开了可调谐LC谐振电路，其电容和电感（由键合线等传输线提供）共同决定谐振频率，该频率是可电子调谐的。然而，目标专利中的“封装电感”特指“来自于所述第二IC接地焊盘和所述PCB接地节点之间的连接”所产生的寄生电感（参见权利要求特征D及说明书[0027]段）。对比文件中的电感是作为谐振电路中有意设计的感性元件（键合线电感），其作用是提供谐振所需的电感值，而不是作为需要被补偿的、由封装互连引入的寄生电感。两者作用不同。因此，目标专利中“与封装电感谐振”这一特定技术手段未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：其特征在于，印刷电路板(PCB)接地节点被连接到所述第一IC接地焊盘和所述第二IC接地焊盘，其中所述封装电感来自于所述第二IC接地焊盘和所述PCB接地节点之间的连接。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | [p0007] “...bondwires 150 are connected (e.g., soldered) to bonding pads 152 that are printed or etched on the semiconductor substrate that supports the circuit 180 and on the lead frame 148.” <br> [p0007] FIG. 8 shows bondwires coupling a circuit to a lead frame. | 对比文件公开了键合线将芯片上的焊盘连接到引线框架（lead frame），而引线框架最终会安装到PCB上并接地。因此，可以理解为存在从IC焊盘到PCB接地的连接，并且键合线本身会引入电感。然而，目标专利明确限定了两个IC接地焊盘（第一和第二）都连接到PCB接地节点，并且特别指出封装电感来源于“第二IC接地焊盘”与PCB接地节点之间的连接。这种区分两个焊盘、并明确指定封装电感来源的双焊盘接地架构，是对比文件完全没有描述或暗示的。对比文件仅描述了键合线作为电感元件使用，并未将其区分为特定焊盘的封装寄生电感。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，当所述可调谐电容器电路与所述封装电感谐振时，所述片上接地节点在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容器电路的情形要低。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | 无直接对应内容。对比文件未讨论通过谐振降低片上接地节点阻抗的技术问题或效果。 | 目标专利所要解决的技术问题是降低因封装接地电感引起的片上接地在高频下的阻抗（参见说明书[0030]段及图5）。技术特征E正是该方案带来的技术效果：通过谐振使工作频率处的片上接地阻抗降低。对比文件中的可调谐LC电路用于构成VCO的谐振回路或用于LNA的阻抗匹配，其目的是产生特定频率的振荡或实现功率传输的最大化，而不是为了降低芯片内部接地节点本身的阻抗。因此，该技术效果未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述可调谐电容器电路包括与开关电容器并联的固定电容器。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | [p0005] “...a plurality of switchable capacitors... and at least one variable capacitor...” <br> [p0007] “...the tuning circuit 154 includes two tunable capacitive elements 136, 138... the first tunable capacitive element 136 may comprise a switchable bank of fixed capacitors 156 (Cl, C2, C3) and the second capacitive element 138 may comprise one or more variable capacitors 158a, 158b.” | 对比文件公开了可调谐电容部分包括可切换的固定电容器组和可变电容器（如变容二极管）。其中，“可变电容器”（varactor）是通过偏置电压连续改变电容值的元件，其作用是进行精细调谐。而目标专利中的“固定电容器”是电容值固定、不与开关串联的电容器（如图6中的C0），其作用是提高谐振品质因数（参见说明书[0049]段）。对比文件中的“固定电容器”是与开关串联构成“开关电容器”的，而可变电容器不是“固定电容器”。因此，对比文件没有公开一个与开关电容器**并联**的、独立的、非开关的**固定电容器**。该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述开关电容器包括与电容器串联的开关，其中所述开关进行操作以基于控制电压在可调谐电容器排中纳入或排除所述电容器的电容。<br>**判断结果**：《直接公开》 | [p0005] “...a plurality of switchable capacitors configured to be switched into and out of the tunable resonant circuit in response to a first control signal...” <br> [p0007] “...MOS or MIM capacitor banks that may be electronically switched by the control signals 144...” <br> [p0007] FIG. 7 shows a control circuit with switches 168 operated by control signals. | 对比文件明确公开了可切换电容器（switchable capacitors）可以通过控制信号切换进入或移出谐振电路。这必然意味着每个这样的电容器都与一个开关串联，由开关的通断来决定该电容是否被纳入电路。这完全对应于目标专利中“开关电容器”的结构和功能。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述开关是晶体管。<br>**判断结果**：《直接公开》 | [p0007] “In one embodiment, the switches 350 and/or 352 may be implemented using two MOS transistors 358a, 358b, as shown in FIG. 32.” | 对比文件在附图32及其说明中明确指出，开关（switches）可以使用MOS晶体管来实现。这直接公开了开关是晶体管。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述开关是n型金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管。<br>**判断结果**：《隐含公开》 | [p0007] “...switches... may be implemented using two MOS transistors...” <br> [p0007] “...can be implemented, for example, in a 0.35 nm CMOS process.” | 对比文件明确指出开关可以用MOS晶体管实现，并且整个电路可以在CMOS工艺中制造。在CMOS工艺中，MOS晶体管自然包括NMOS和PMOS两种类型。对于射频开关应用，尤其是需要低导通电阻和良好高频性能的场合，使用NMOS晶体管是本领域的常规技术选择。因此，本领域技术人员从对比文件公开的“MOS晶体管”结合公知常识，能够毫无疑义地推断出可以使用NMOS场效应晶体管作为开关。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述可调谐电容器电路包括彼此并联并且与所述固定电容器并联的多个开关电容器。<br>**判断结果**：《直接公开》 | [p0007] “...the first tunable capacitive element 136 may comprise a switchable bank of fixed capacitors 156 (Cl, C2, C3)...” <br> [p0005] “...a plurality of switchable capacitors...” | 对比文件公开了“可切换的固定电容器组”，该组包含多个电容器（例如Cl, C2, C3）。这些电容器为了通过开关被选择性地接入电路，它们在电路连接关系上必然是彼此并联的（或者通过开关网络实现并联接入的效果）。因此，“多个开关电容器彼此并联”这一特征被对比文件直接公开。但需注意，此处的“并联”是指它们作为可选项并联接入谐振回路的两端，而非特指与目标专利中特征F所述的“固定电容器”并联（因特征F未被公开）。仅就“多个开关电容器彼此并联”这一子特征而言，已被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述开关电容器中的所述电容器的电容根据二进制比特递增来增大。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | 无相应内容。对比文件未描述可切换电容器的电容值按照二进制权重（如C, 2C, 4C, 8C）进行缩放。 | 目标专利中（参见说明书[0044]段及图6），开关电容器的电容值按照二进制权重递增（C, 2C, 4C, 8C），这有助于实现数字化的电容调谐。对比文件虽然公开了多个可切换电容器，但并未提及这些电容器的电容值之间存在特定的比例关系，例如二进制递增关系。本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出这一具体设计。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述开关电容器中的所述晶体管的接通电阻根据二进制比特递增来增大。<br>**判断结果**：未直接公开，未隐含公开 | 无相应内容。对比文件完全未提及晶体管的导通电阻，更没有描述其与电容值二进制递增相关的缩放关系。 | 目标专利中（参见说明书[0049]段），为了优化性能，晶体管的尺寸（从而影响其导通电阻）随着所串联电容器电容值的二进制递增而相应增大（X, 2X, 4X, 8X）。这是一个非常具体且非公知的设计细节。对比文件对此没有任何记载或暗示。因此，该特征未被对比文件公开。 |
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