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权利要求与技术特征

G 其特征在于，第一晶体管尺寸与第二晶体管尺寸相同。

H 其特征在于，所述第一电流源包括具有第三输入端口、第三输出端口和连接至所述第三输出端口的第三控制端口的第三晶体管，且其中所述第二电流源包括具有第四输入端口、第四输出端口和连接至所述第三控制端口的第四控制端口的第四晶体管。

I 其特征在于，第四晶体管尺寸比第三晶体管尺寸大。

J 其特征在于，所述第四晶体管尺寸至少为所述第三晶体管尺寸的两倍。

K 其特征在于，所述第四晶体管尺寸至少为所述第三晶体管尺寸的四倍。

L 其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管是场效应晶体管(FET)，且所述第一和第二输入端口是漏极、所述第一和第二输出端口是源极以及所述第一和第二控制端口是栅极。

M 其特征在于，所述第二电流至少为所述第一电流的两倍。

N 其特征在于，所述第二电流至少比所述第一电流大四倍。

O 包括： 第一FET，其具有第一漏极、第一源极、和第一栅极，其中所述第一栅极处的电压决定从所述第一漏极通过所述第一FET去往所述第一源极的第一电流，从所述第一源极连接至公共电势的参考负载
P 第二FET，其具有第二漏极和第二源极且具有连接至所述第一栅极和所述第二漏极的第二栅极，其中所述第一栅极处的所述电压决定从所述第二漏极通过所述第二FET去往所述第二源极的第二电流，所述第一和第二栅极连接至具有与所述第二FET的第二FET沟道纵横比相同的器件沟道纵横比的受偏器件
Q 提供所述第一电流的第三FET
R 提供比所述第一电流大的所述第二电流的第四FET。

S 其特征在于，所述第二电流至少为所述第一电流的两倍。

T 其特征在于，所述第二电流至少为所述第一电流的四倍。

U 其特征在于，第四FET尺寸至少为第三FET尺寸的两倍。

V 其特征在于，第四FET尺寸至少为第三FET尺寸的四倍。

W 包括： 用于对受偏器件进行偏置的第一偏置装置，所述第一偏置装置具有第一输入端口、第一输出端口和第一控制端口，其中所述第一控制端口处的电压决定从所述第一输入端口通过第一晶体管去往所述第一输出端口的第一电流，用于对所述第一偏置装置进行参考加载并从所述第一输出端口连接至公共电势的参考负载装置
X 用于对所述受偏器件进行偏置的第二偏置装置，所述第二偏置装置具有第二输入端口和第二输出端口且具有连接至所述第一控制端口和所述第二输入端口的第二控制端口，其中所述第一控制端口处的所述电压决定从所述第二输入端口通过第二晶体管去往所述第二输出端口的第二电流，所述第一和第二控制端口连接至受偏器件
Y 用于提供所述第一电流的第一电流源装置
Z 用于提供比所述第一电流大的所述第二电流的第二电流源装置。
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