A 所述光刻设备包括

B 光照单元

C 译光掩模

D 其中

E 所述光掩模生成纳米喷射近场图案

F 该纳米喷射近场图案直接修改所述光致抗蚀剂衬底以获得所述结构

G 其中

H 所述光掩模包括至少一个电介质材料层

I 折射率低于所述电介质材料的折射率的介质

J 其中

K 所述至少一个电介质材料层的表面具有形成台阶的至少一个突然的水平变化；并且中

L 至少所述表面相对于所述台阶和来自所述光照单元的电磁波的方向的基部和侧部与所述介质接触

M 译其中

N 所述纳米喷射近场图案是来自所述表面的所述基部和侧部的电磁波的相长干涉

O 译。