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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括栅极
B
在所述栅极垂直下方的介电区
C
在所述栅极和所述介电区垂直下方
D
向第一侧水平偏移的源极端子
E
在所述栅极和所述介电区垂直下方
F
向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子
G
由所述介电区包围的
H
向所述漏极端子水平偏移的漏极侧Vt编程区
I
所述漏极侧Vt编程区由诸层材料构成
J
其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述漏极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱
K
由所述介电区包围的
L
与所述漏极侧Vt编程区水平相对
M
向所述源极端子偏移的源极侧Vt编程区
N
所述源极侧Vt编程区由诸层材料构成
O
其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述源极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；并且中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是电荷陷阱。
权利要求 2
P
其中，所述栅极是p型的。
权利要求 3
Q
其中，所述栅极是n型的。
权利要求 4
R
其中，所述栅极是金属栅极。
权利要求 5
S
其中，所述栅极是多晶硅栅极。
权利要求 6
T
其中，所述漏极侧Vt编程区提供所述栅极与所述漏极端子之间的第一导电路径。
权利要求 7
U
其中，所述源极侧Vt编程区提供所述栅极与所述源极端子之间的第二导电路径。
权利要求 8
V
其中，所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是所述半导体器件的双编程区；并且中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区两者都被编程。
权利要求 9
W
进一步包括耦合至所述栅极的编程电路
X
其中所述编程电路被配置成向所述栅极选择性地施加编程电压。
权利要求 10
Y
其中，所述半导体器件被集成到移动电话、移动通信设备、寻呼机、个人数字助理、个人信息管理器、移动手持式计算机、膝上型计算机、无线设备、或无线调制解调器之一中。